MOSFET

ELECTRONICA BASICA
 MOSFET
• Metal-Oxide Semiconductor FET
(Transistor efecto de campo)
• El MOSFET es dispositivo de
un
terminales llamados fuente (S,cuatro
Source),
drenador (D, Drain), puerta (G, Gate) y
sustrato (B, Body). Sin embargo, el
sustrato generalmente está conectado
internamente al terminal de fuente y por
este motivo se pueden encontrar
dispositivos MOSFET de tres terminales.
 MOSFET
• Un transistor de efecto de campo de puerta
aislada o IGFET (Insulated-gate field-effect
transistor) es un término relacionado que es
equivalente a un MOSFET. El término IGFET es
más inclusivo, ya que muchos transistores
MOSFET utilizan una puerta que no es
metálica, y un aislante de puerta que no es un
óxido. Otro dispositivo es
relacionado MISFET, que es un el
campo transistor
metal-aislante-semiconductor
de efecto
(Metal- insulator-semiconductor field-effect
de
transistor).
SIMBOLOGI
A
 FUNCIONAMIENTO
• Existen dos tipos de transistores MOSFET,
ambos basados en la ESTRUCTURA MOS. Los
primeros son los
MOSFET de enriquecimiento los cuales se
basan en la creación de un canal entre el
drenador y la fuente, al aplicar una tensión
en la puerta. La tensión de la puerta atrae
portadores minoritarios hacia el canal, de
manera que se forma una región de
inversión, es decir, una región con dopado
opuesto al que tenía el sustrato
originalmente.
 FUNCIONAMIENTO
El término enriquecimiento hace
referencia al incremento de la
conductividad eléctrica debido a un
aumento de la cantidad de p
ortadores de carga en la región
correspondiente al canal. El canal
puede formarse con un
incremento en la concentración de electrones (en
un nMOSFET o NMOS), o huecos (en un pMOSFET
o PMOS). De este modo un transistor NMOS
se construye con un sustrato tipo p y tiene
un canal de tipo n, mientras que un
transistor PMOS se construye con un sustrato
tipo n y tiene un canal de tipo p.
 FUNCIONAMIENTO
Los MOSFET de empobrecimiento o
deplexión tienen un canalconductor
en su estado de reposo, que se debe
hacer desaparecer mediante la
aplicación de la tensión eléctrica en la
puerta, lo cual ocasiona una
disminución de la cantidad de
portadores de carga y una disminución
respectiva de la conductividad.
 MOSFET DE
EMPOBRECIMIENTO

PUER
T A
 MOSFET DE
EMPOBRECIMIENTO

PUER
T A
 MOSFET DE
ENRIQUECIMIENTO

PUER
T A
 MODOS DE OPERACION
El funcionamiento de un transistor MOSFET se
puede dividir en tres diferentes regiones de
operación, dependiendo de las tensiones en
sus terminales.
Para
un
transistor NMOS de enriquecimiento se
tienen las siguientes regiones:

CORTE
REGION LINEAL U OHMICA
 MODOS DE OPERACIÓN
Cuando V < V GS th
CORT
th
E
donde V es la tensión de umbral del transistor
De acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región el dispositivo se
encuentra apagado. No hay conducción entre la fuente y el drenador, de modo
que el MOSFET se comporta como un interruptor abierto.
Un modelo más exacto considera el efecto de la energía térmica descrita por la
distribución de Boltzmann para las energías de los electrones, en donde se
permite que los electrones con alta energía presentes en la fuente ingresen al
canal y fluyan hacia el drenador. Esto ocasiona una corriente subumbral, que es
una función exponencial de la tensión entre puerta-fuente. La corriente
subumbral sigue aproximadamente la siguiente ecuación:

donde ID0 es la corriente que existe cuando VGS = Vth, VT

= kT/q es el voltaje térmico,
n = 1 + CD/COX
donde CD es la capacidad de la región de agotamiento, y
COX es la capacidad de la capa de óxido.
 MODOS DE OPERACIÓN
CORT
NMOS en modo de corte. La region Blanca indica
E libres en esta zona, debido
que no existen portadores
a que los electrones son repelidos del canal.
 MODOS DE OPERACIÓN
LINEAL
Cuando VGS > Vth y VDS < ( VGS – Vth )

Al polarizarse la puerta con una tensión mayor

que la tensión de umbral, se crea una región de
agotamiento en la región que separa la fuente y
el drenador. Si esta tensión crece lo suficiente,
aparecerán portadores minoritarios (huecos en
PMOS, electrones en NMOS) en la región de
agotamiento, que darán lugar a un canal de
conducción. El transistor pasa entonces a
estado de conducción, de modo que una
diferencia de potencial entre drenador y fuente
dará lugar a una corriente. El transistor se
comporta como una resistencia controlada por
 MODOS DE OPERACIÓN
LINEAL
NMOS en la región lineal. Se forma un canal
de tipo n al lograr la inversión del sustrato, y
la corriente fluye de drenador a fuente..
 MODOS DE OPERACIÓN
ACTIVA
Cuando VGS > Vth y VDS > ( VGS – Vth )

Cuando la tensión entre drenador fuente

supera
y cierto límite, el canal de conducción bajo
la puerta sufre un estrangulamiento en las
cercanías del drenador y desaparece. La
corriente que entra por el drenador y sale por la
fuente no se interrumpe, ya que es debida al
campo eléctrico entre ambos, pero se hace
independiente de la diferencia de potencial
entre ambos terminales.
 MODOS DE OPERACIÓN
ACTIV
Ade saturación o activa.
NMOS en la región
Al aplicar una tensión de drenador más alta,
los electrones son atraídos con más fuerza
hacia el drenador y el canal se deforma.
 APLICACIONES

La forma más habitual de emplear transistores MOSFET

es en circuitos de tipo CMOS, consistentes en el uso de
transistores PMOS y NMOS complementarios. Las
aplicaciones de MOSFET discretos más comunes son:

Resistencia controlada por tensión.

Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET,
FREDFET)
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de
doble puerta.
 14.5
CMOS
Similar a Amplificador en clase B
MOSFET canal P
Q1 conduce Q2 en corte

MOSFET canal n
Circuito Curva
 CMOS FUNCIONAMIENTO
Cuando un circuito CMOS como el de la Figura 14-15a
se emplea en una aplicación de conmutación, la
tensi6n de entrada puede ser alta (+VDD) o baja (0
V). Si la tensión de entrada es alta, Q, está en corte y
Q2 conduce. En este caso, el Q, cortocircuitado lleva
la tensión de salida a masa. Por otro ' lado, si la
tensión de entrada es baja, Q, conduce y Q, está en
corte. Ahora, el Ql cortocircuitado lleva la tensión de
salida hasta -i-VDD. Como la tensión de salida está
invertida, el circuito se denomina inversor CMOS.
La principal ventaja del CMOS es que su consumo de
potencia es extremadamente bajo. Como los MOSFET
están en serie la corriente de drenador en el punto Q
viene determinada por el dispositivo que no conduce.
Ya que la resistencia es del orden de mega ohmios, el
14.6 FET DE POTENCIA