Los transistores

mosfet
¿Qué es y como funciona un mosfet?
 transistor de efecto de campo metal-oxido-semiconductor
 Un mosfet es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y amplificación
de señales
 Los mosfet poseen 4 terminales : fuente (S, Source), drenador (D, Drain), puerta (G, Gate)
y sustrato (B, Bulk), a su vez se subdividen en 2 tipos, los mosfet canal N y los canal P
 Clasificaciones:
 Según el tipo de portadores del canal
 Según el modo de formación del canal
 Según las diversas geometrías usadas en la implementación
Hay dos tipos de mosfet
MOSFET DECREMENTALES .
se forman sobre un substrato de silicio tipo p, con dos regiones de silicio n- muy dopado,
para formar conexiones de baja resistencia
MOSFET INCREMENTALES.
No tiene un canal físico. si el voltaje del compuerta y surtidor es mayor o igual al voltaje
umbral, se acumula una cantidad suficiente de electrones para formar un canal N, y la
corriente circula del drenaje a la fuente.

La estructura MOSFET
Si el MOSFET es de canal n (NMOS) entonces las regiones de dopado para el surtidor y el
drenador son regiones 'n+' y el sustrato es una región de tipo 'p'.

Si el MOSFET es de canal p (PMOS) entonces las regiones de dopado para el surtidor y el

drenador son regiones 'p+' y el sustrato es una región de tipo 'n'.
Modos de operación
El funcionamiento de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes regiones de
operación, dependiendo de las tensiones en sus terminales.
Corte= Cuando VGS < Vth
donde Vth es la tensión de umbral del transistor
De acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región el dispositivo se encuentra
apagado. No hay conducción entre la fuente y el drenador, de modo que el MOSFET se
comporta como un interruptor abierto.
Region lineal u óhmica= Cuando VGS > Vth y VDS < ( VGS – Vth )
Al polarizarse la puerta con una tensión mayor que la tensión de umbral, se crea una región de
agotamiento en la región que separa la fuente y el drenador. Si esta tensión crece lo suficiente,
aparecerán portadores minoritarios en la región de agotamiento, que darán lugar a un canal de
conducción. El transistor pasa entonces a estado de conducción, de modo que una diferencia de
potencial entre drenador y fuente dará lugar a una corriente. El transistor se comporta como una
resistencia controlada por la tensión de puerta.
Saturacion o activa= Cuando VGS > Vth y VDS > ( VGS – Vth )
Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto límite, el canal de conducción
bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del drenador y desaparece. La
corriente que entra por el drenador y sale por la fuente no se interrumpe, ya que es debida
al campo eléctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial
entre ambos terminales.

Parámetros característicos de los mosfet

1. Maxima tensión drenador-fuente
2. Maxima corriente de drenador
3. Resistencia en conducción
4. Tensiones umbral y máximas de puertas
5. Velocidad de conmutación
Caracteristicas estaticas

 Gate-Source Breakdown Voltage, VGSS: Tensión de ruptura puerta-fuente

 Gate-Source Cutoff Voltage, VGS: Tensión tope puerta-fuente
 Saturation Drain Current, Idss: Corriente de saturación dedrenaje.
 Gate Reserve Current, IGSS: Corriente inversa en la puerta.
 Gate Operating Current, IG: Corriente de operación en la puerta.
 Drain Cutoff Current, ID: Corriente tope de drenaje.
 Drain-Source On-Voltage, VDS: Tensión de encendido o umbral drenaje-
fuente.
 Drain-Source On-Resistance, RDS: Resistencia de encendido drenaje-fuente.
 Gate-Source Forward Voltage, VGS: Tensión directa puerta-fuente.
aplicaciones
La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS,
consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios. Las aplicaciones de
MOSFET discretos más comunes son:
 Resistencia controlada por tensión.
 Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
 Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.
Ventajas con respecto a transistores bipolaresLa principal aplicación de los MOSFET está en
los circuitos integrados PMOS, NMOS y CMOS, debido a las siguientes ventajas de los
transistores de efecto de campo con respecto a los transistores bipolares:Consumo en modo
estático muy bajo.Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de
media micra).Gran capacidad de integración debido a su reducido
tamaño.Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tienen una
impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta se expresa en
nanoamperios.Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, lo que
conlleva a un ahorro de superficie.La velocidad de conmutación es muy alta, siendo
expresada en nanosegundos.Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los
convertidores de alta frecuencias y baja potencia.
MOSFET COMO CONMUTADOR

Este fue quien desplazo al BJT, el cual

controlaba mediante la corriente de base al
contrario de los MOSFET, que controlan con
voltaje, independientes del uso de
resistencias, velocidades de conmutación
mayores.
Este dispositivo se controla con voltaje
positivo a la compuerta o gate.
REGION DE CORTE
La región de corte en el MOSFT canal N se define en base a que el
voltaje de entrada. Si este es igual a cero, por lo tanto la corriente
del drenaje es igual a cero, así como el voltaje drenaje fuente. Por
lo tanto, en un MOSFET de enriquecimiento, el canal D-S está
cerrado. Se dice que el mosfet interruptor esta en modo
“apagado”. Para un MOSFET canal P el voltaje que se “coloca”
en la compuerta tiene que ser positivo respecto a la fuente.
REGION DE SATURACION
En esta región de saturación (región lineal) el transistor se
polariza de tal manera que el voltaje de la compuerta sea
máximo. Lo que resulta en una resistencia del canal Rds lo
más pequeña posible. Lo que ocasiona una corriente de
drenaje máxima, por lo tanto el MOSFET está en modo
conducción y el dispositivo se considera “encendido”. Para
un MOSFET canal P, el potencial de la compuerta tiene que
ser negativo respecto a la fuente.