MOSFET

El transistor de efecto de campo de silicio de óxido metálico se abrevia como

MOSFET, es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y
amplificación de señales. El nombre completo, Transistor de Efecto de Campo
de Metal-Óxido-Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor, MOSFET) se debe a la constitución del propio transistor.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S), drenador
(D), puerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente está
conectado internamente al terminal de fuente y por este motivo físicamente estos
dispositivos quedan reducidos a tres terminales.

ESTRUCTURA BÁSICA DE UN MOSFET

El diseño y arquitectura del MOSFET utiliza un campo eléctrico generado por el
voltaje de la puerta. Para cambiar el flujo de los portadores de carga, electrones
para el canal n o huecos para el canal p, a través del canal semiconductor de
drenaje (Drain)-fuente (Source). El electrodo de puerta (Gate) se coloca en la
parte superior con una capa aislante muy delgada de dióxido de silicio (SiO2)
del semiconductor, y hay un par de áreas pequeñas de tipo n justo debajo del
drenaje (Drain) y la fuente (Source) de los electrodos.
Con un componente de puerta aislada para el MOSFET, no se aplica ninguna
limitación. Por lo tanto, es posible conectar una fuente de señal en cualquier
polaridad (positiva o negativa) a la puerta del MOSFET. Esto hace que los
MOSFET sean especialmente útiles como interruptores electrónicos o
dispositivos lógicos porque generalmente no conducen corriente sin una entrada
externa. Y la razón de esto es la alta impedancia de entrada de la puerta. Por lo
tanto, se necesita muy poco o ningún control para los MOSFET. Después de
todo, son dispositivos controlados desde el exterior por voltaje.

ESTRUCTURA FISICA

TIPOS
Según el modo de funcionamiento de los MOSFET se pueden dividir en dos tipos
o categorías también se le dice
  Modo de enriquecimiento (Mode Enhancement)
 Modo de agotamiento (Mode Deplextion)

En el modo de enriquecimiento (región lineal) el transistor se polariza de tal

manera que el voltaje de la compuerta sea máximo. Lo que resulta en una
resistencia del canal Rds lo más pequeña posible. Lo que ocasiona una corriente
de drenaje máxima, por lo tanto el MOSFET está en modo conducción y el
dispositivo se considera «encendido». Para un MOSFET canal P, el potencial de
la compuerta tiene que ser negativo respecto a la fuente.

Los MOSFET de agotamiento, empobrecimiento o deplexión tienen un canal

conductor en su estado de reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la
aplicación de la tensión eléctrica en la puerta, lo cual ocasiona una disminución
de la cantidad de portadores de carga y una disminución respectiva de la
conductividad.

VENTAJAS DEL MOSFET

La principal aplicación del transistor MOSFET está en los circuitos integrados

PMOS, NMOS y CMOS, algunas de sus ventajas son:

 Consumo en modo estático muy bajo.

 Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.
  Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que
tienen una impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula
por la puerta es del orden de los nanoamperios.
 Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan
resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva.
 La velocidad de conmutación es muy alta, siendo del orden de los
nanosegundos.

APLICACIONES DEL MOSFET

La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo

CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios.

 Resistencia controlada por tensión.

 Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc.).
 Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

EN RESUMEN

Es un interruptor controlado por tensión.

Al aplicar tensión conduce y cuando no hay tensión en la puerta no conduce.

El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado

por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no
corriente entre drenador y fuente.

El movimiento de carga se produce exclusivamente por la existencia de

campos eléctricos en el interior del dispositivo.