Destellador de luces de emergencia

Marco teórico:
Mosfet:
Vamos a estudiar un transistor cuyo funcionamiento no se basa en uniones PN,
como el transistor bipolar, ya que, en este, el movimiento de carga se produce
exclusivamente por la existencia de campos eléctricos en el interior del
dispositivo. Este tipo de transistores se conocen como, efecto de campo JFET
(del inglés, Juntion Field Effect Transistor).
El transistor MOSFET, como veremos, está basado en la estructura MOS. En
los MOSFET de enriquecimiento, una diferencia de tensión entre el electrodo
de la Puerta y el substrato induce un canal conductor entre los contactos de
Drenador y Surtidor, gracias al efecto de campo. El término enriquecimiento
hace referencia al incremento de la conductividad eléctrica debido a un
aumento de la cantidad de portadores de carga en la región correspondiente al
canal, que también es conocida como la zona de inversión.
Estructura del mosfet
La estructura MOS está compuesta de dos terminales y tres capas: Un
Substrato de silicio, puro o poco dopado p o n, sobre el cual se genera una
capa de Oxido de Silicio (SiO2) que, posee características dieléctricas o
aislantes, lo que presenta una alta impedancia de entrada. Por último, sobre
esta capa, se coloca una capa de Metal (Aluminio o polisilicio), que posee
características conductoras. En la parte inferior se coloca un contacto óhmico,
en contacto con la capsula.

Figura. Estructura del MOS.

La intensidad de Puerta IG, es cero puesto que, en continua se comporta como
un condensador (GB). Por lo tanto, podemos decir que, la impedancia desde la
Puerta al substrato es prácticamente infinita e IG =0 siempre en estática.
Básicamente, la estructura MOS permite crear una densidad de portadores
libres suficiente para sustentar una corriente eléctrica.
El transistor MOS es simétrico: los terminales de Fuente y Drenador son
intercambiables entre sí. En el MOSFET tipo N el terminal de mayor tensión
actúa de Drenador (recoge los electrones), siendo el de menor tensión en el
tipo P (recoge los huecos).
El símbolo más utilizado para su representación a nivel de circuito se muestra
en la figura siguiente. La flecha en el terminal de Fuente (Gate) nos informa
sobre el sentido de la corriente.

Figura. Simbolización del transistor MOSFET (tipo N Y P).

Regiones de operación de un MOSFET
La operación de un transistor MOSFET se puede dividir en tres regiones de
operación diferentes, dependiendo de las tensiones en sus terminales. Para un
transistor MOSFET N de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones:
región de corte, región óhmica y región de saturación.
 Región de corte:
El transistor estará en esta región, cuando VGS < Vt. En estas condiciones el
transistor MOSFET, equivale eléctricamente a un circuito abierto, entre los
terminales del Drenador-Surtidor. De acuerdo con el modelo básico del
transistor, en esta región, el dispositivo se encuentra apagado. No hay
conducción entre Drenador y Surtidor, de modo que el MOSFET se comporta
como un interruptor abierto.
 Región óhmica.
Cuando un MOSFET está polarizado en la región óhmica, el valor de RDS(on)
viene dado por la expresión:
𝑉 𝐷𝑆(𝑜𝑛) = 𝐼𝐷(𝑜𝑛) 𝑥 𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛)

En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de RDS(on) a una corriente de
Drenaje (ID) específica y el voltaje Puerta-Surtidor
  Región de Saturación.
El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento cuando la tensión
entre el Drenador y el Surtidor (VDS) supera un valor fijo denominado tensión de
saturación (Vds sat) Drenador-Surtidor; este valor viene determinado en las hojas
características proporcionadas por el fabricante. En esta zona, el MOSFET
mantiene constante su corriente de Drenador (ID), independientemente del
valor de tensión que haya entre el Drenador y el Surtidor (V DS). Por lo tanto, el
transistor equivale a un generador de corriente continua de valor ID.
Es decir; el MOSFET estará en esta región, cuando VGS > Vt y VDS > ( VGS – Vt
).O sea, estaremos en la región de saturación cuando el canal se interrumpe o
estrangula, lo que sucede cuando:
VDS ≥ VGS - VT → Región de saturación
Cuando la tensión entre Drenador y Fuente supera cierto límite, el canal de
conducción, bajo la Puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del
Drenador y desaparece. La corriente entre Fuente y Drenador no se
interrumpe, es debido al campo eléctrico entre ambos, pero se hace
independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.

Figura. Regiones de funcionamiento de un MOSFET.

DATASHET de nuestros componentes requeridos
MOSFET que vamos a utilizar en nuestro circuito:
 Transistor MOSFET IRF53
 Transistor PNP BC557