EL TRANSISTOR MOSFET

INTRODUCCIN.
Los problemas que vienen presentando los transistores bipolares o BJT, como son la
corriente que soportan y la dependencia de la temperatura a la que se ven sometidos,
unas veces por su emplazamiento, otras por un mal trazado y la mas evidente, el efecto
llamado de avalancha. Estas evidencias, han llevado a que se sustituyan por otros
transistores ms avanzados, hasta la llegada de los MOSFET.
Las ventajas que presentan este tipo de transistor, han llevado a que ocupen un lugar
importante dentro de la industria, desplazando a los viejos BJT a otros fines. Los MOSFET
de potencia son muy populares para aplicaciones de baja tensin, baja potencia y
conmutacin resistiva en altas frecuencias, como fuentes de alimentacin conmutadas,
motores sin escobillas y aplicaciones como robtica, CNC y electrodomsticos.
La mayora de sistemas como lmparas, motores, drivers de estado slido,
electrodomsticos, etc. utilizan dispositivos de control, los cuales controlan el flujo de
energa que se transfiere a la carga. Estos dispositivos logran alta eficiencia variando su
ciclo de trabajo para regular la tensin de salida. Para realizar la parte de conmutacin,
existen varios dispositivos semiconductores, a continuacin se muestra una tabla con
algunos de ellos.
La siguiente es una tabla comparativa de las diversas capacidades entre potencia y
velocidad de conmutacin de los tipos de dispositivos.

LOS TRANSISTORES MOSFET.
Vamos a estudiar un transistor cuyo funcionamiento no se basa en uniones PN, como el
transistor bipolar, ya que en ste, el movimiento de carga se produce exclusivamente por
la existencia de campos elctricos en el interior del dispositivo. Este tipo de transistores
se conocen como, efecto de campo JFET (del ingls, Juntion Field Effect Transistor).
El transistor MOSFET, como veremos, est basado en la estructura MOS. En los MOSFET
de enriquecimiento, una diferencia de tensin entre el electrodo de la Puerta y el substrato
induce un canal conductor entre los contactos de Drenador y Surtidor, gracias al efecto de
campo. El trmino enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad
elctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la regin
correspondiente al canal, que tambin es conocida como la zona de inversin.
LA ESTRUCTURA MOS.
La estructura MOS esta compuesta de dos terminales y tres capas: Un Substrato de
silicio, puro o poco dopado p o n, sobre el cual se genera una capa deOxido de Silicio (SiO2)
que, posee caractersticas dielctricas o aislantes, lo que presenta una alta impedancia de
entrada. Por ltimo, sobre esta capa, se coloca una capa de Metal (Aluminio o polisilicio),
que posee caractersticas conductoras. En la parte inferior se coloca un contacto hmico,
en contacto con la capsula, como se ve en la figura.

La estructura MOS, acta como un condensador de placas paralelas en el que G y B son
las placas y el xido, el aislante. De este modo, cuando VGB=0, la carga acumulada es cero y
la distribucin de portadores es aleatoria y se corresponde al estado de equilibrio en el
semiconductor.
Cuando VGB>0, aparece un campo elctrico entre los terminales de Puerta y substrato. La
regin semiconductora p responde creando una regin de empobrecimiento de cargas
libres p
+
(zona de deplexin), al igual que ocurriera en la regin P de una unin PN cuando
estaba polarizada negativamente. Esta regin de iones negativos, se incrementa con VGB.
Al llegar a la regin de VGB, los iones presentes en la zona semiconductora de
empobrecimiento, no pueden compensar el campo elctrico y se provoca la acumulacin
de cargas negativas libres (e
-
) atrados por el terminal positivo. Se dice entonces que la
estructura ha pasado de estar en inversin dbil ainversin fuerte.
El proceso de inversin se identifica con el cambio de polaridad del substrato, debajo de
la regin de Puerta. En inversin fuerte, se forma as un CANAL dee
-
libres, en las
proximidades del terminal de Puerta (Gate) y de huecos p
+
en el extremo de la Puerta.
La intensidad de Puerta IG, es cero puesto que, en continua se comporta como un
condensador (GB). Por lo tanto, podemos decir que, la impedancia desde la Puerta al
substrato es prcticamente infinita e IG=0 siempre en esttica. Bsicamente, la
estructura MOS permite crear una densidad de portadores libres suficiente para sustentar
una corriente elctrica.
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO DE CANAL N.
Bajo el terminal de Puerta existe una capa de xido (SiO2) que impide prcticamente el
paso de corriente a su travs; por lo que, el control de puerta se establece en forma de
tensin. La calidad y estabilidad con que es posible fabricar estas finas capas de xido es
la principal causa del xito alcanzado con este transistor, siendo actualmente el
dispositivo ms utilizado.
Adems, este transistor ocupa un menor volumen que el BJT, lo que permite una mayor
densidad de integracin. Comencemos con la estructura bsica del MOSFET, seguido de
sus smbolos.
Se trata de una estructura MOS, de cuatro terminales, en la que el substrato
semiconductor es de tipo p poco dopado. A ambos lados de la interfase Oxido-
Semiconductor se han practicado difusiones de material n, fuertemente dopado (n
+
).

Cuando se aplica una tensin positiva al terminal de puerta de un MOSFET de tipo N, se
crea un campo elctrico bajo la capa de xido que incide perpendicularmente sobre la
superficie del semiconductor P. Este campo, atrae a los electrones hacia la superficie,
bajo la capa de xido, repeliendo los huecos hacia el sustrato. Si el campo elctrico es muy
intenso se logra crear en dicha superficie una regin muy rica en electrones, denominada
canal N, que permite el paso de corriente de la Fuente al Drenador. Cuanto mayor sea la
tensin de Puerta (Gate) mayor ser el campo elctrico y, por tanto, la carga en el canal.
Una vez creado el canal, la corriente se origina, aplicando una tensin positiva en el
Drenador (Drain) respecto a la tensin de la Fuente (Source).
En un MOSFET tipo P, el funcionamiento es a la inversa, ya que los portadores son
huecos (cargas de valor positivas, el mdulo de la carga del electrn). En este caso, para
que exista conduccin el campo elctrico perpendicular a la superficie debe tener sentido
opuesto al del MOSFET tipo N, por lo que la tensin aplicada ha de ser negativa. Ahora,
los huecos son atrados hacia la superficie bajo la capa de xido, y los electrones
repelidos hacia el sustrato. Si la superficie es muy rica en huecos se forma el canal P.
Cuanto ms negativa sea la tensin de puerta mayor puede ser la corriente (ms huecos
en el canal P), corriente que se establece al aplicar al terminal de Drenador una tensin
negativa respecto al terminal de Fuente. La corriente tiene sentido opuesto a la de un
MOSFET tipo N.

Si con tensin de Puerta nula no existe canal, el transistor se denomina de acumulacin;
y de vaciamiento en caso contrario. Mientras que la tensin de Puerta a partir de la cual se
produce canal, se conoce como tensin umbral, VT. El terminal de sustrato sirve para
controlar la tensin umbral del transistor, y normalmente su tensin es la misma que la
de la Fuente.
El transistor MOS es simtrico: los terminales de Fuente y Drenador son
intercambiables entre s. En el MOSFET tipo N el terminal de mayor tensin acta de
Drenador (recoge los electrones), siendo el de menor tensin en el tipo P (recoge los
huecos). A modo de resumen, la figura anterior, muestra el funcionamiento de un
transistor MOS tipo N de enriquecimiento.
El smbolo ms utilizado para su representacin a nivel de circuito se muestra en la
figura siguiente. La flecha en el terminal de Fuente (Gate) nos informa sobre el sentido de
la corriente.

En la estructura MOS de la siguiente figura, aparecen diversas fuentes de tensin
polarizando los distintos terminales: VGS, VDS. Los terminales de substrato (B) y Fuente (S)
se han conectado a GND. De este modo, VSB=0 (tensin Surtidor-sustrato=0) , se dice que
no existe efecto substrato.

Segn los valores que tome la tensin VGS, se pueden considerar tres casos:
1) VGS=0. Esta condicin implica que VGS=0, puesto que VSB=0. En estas condiciones, no
existe efecto campo y no se crea el canal de e
-
, debajo de la Puerta. Las dos estructuras PN
se encuentran cortadas (B al terminal ms negativo) y aisladas. IDS=0 aproximadamente,
pues se alimenta de las intensidades inversas de saturacin.
2) La tensin VGS>0, se crea la zona de empobrecimiento o deplexin en el canal. Se
genera una carga elctrica negativa e
-
en el canal, debido a los iones negativos de la red
cristalina (similar al de una unin PN polarizada en la regin inversa), dando lugar a la
situacin de inversin dbil anteriormente citada. La aplicacin de un campo elctrico
lateral VDS>0, no puede generar corriente elctrica IDS.
3) La tensin VGS>>0, da lugar a la inversin del canal y genera una poblacin de e
-
libres, debajo del oxido de Puerta y p
+
al fondo del substrato. Se forma el CANAL N o canal
de electrones, entre el Drenador y la Fuente (tipo n
+
) que, modifica las caracterstica
elctricas originales del sustrato. Estos electrones, son cargas libres, de modo que, en
presencia de un campo elctrico lateral, podran verse acelerados hacia Drenador o
Surtidor. Sin embargo, existe un valor mnimo de VGS para que el nmero de electrones,
sea suficiente para alimentar esa corriente, es VT, denominada TENSIN UMBRAL (en
algunos tratados se denomina VTH).
Por lo tanto, se pueden diferenciar dos zonas de operacin para valores de
VGS positivos:

- Si VGS< VT la intensidad IDS=0 (en realidad slo es aproximadamente cero) y decimos
que el transistor opera en inversin dbil. En ella, las corrientes son muy pequeas y su
utilizacin se enmarca en contextos de muy bajo consumo de potencia. Se considerar que
la corriente es siempre cero. De otro lado;

- Si VGS>=VT, entonces IDS es distinto de cero, si VDS es no nulo. Se dice que el transistor
opera en inversin fuerte.
Cuanto mayor sea el valor de VGS, mayor ser la concentracin de cargas libres en el
canal y por tanto, ser superior la corriente IDS.
REGIONES DE OPERACIN.
Cuando ya existe canal inducido y VDS va aumentando, el canal se contrae en el lado del
Drenador, ya que la diferencia de potencial Puerta-canal es en ese punto, ms baja y la
zona de transicin ms ancha. Es decir, siempre que exista canal estaremos en regin
hmica y el dispositivo presentar baja resistencia.
La operacin de un transistor MOSFET se puede dividir en tres regiones de operacin
diferentes, dependiendo de las tensiones en sus terminales. Para un transistor MOSFET N
de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones: regin de corte, regin
hmica y regin de saturacin.
Regin de corte.
El transistor estar en esta regin, cuando VGS < Vt. En estas condiciones el transistor
MOSFET, equivale elctricamente a un circuito abierto, entre los terminales del Drenador-
Surtidor. De acuerdo con el modelo bsico del transistor, en esta regin, el dispositivo se
encuentra apagado. No hay conduccin entre Drenador y Surtidor, de modo que el
MOSFET se comporta como un interruptor abierto.
Regin hmica.
Cuando un MOSFET est polarizado en la regin hmica, el valor de RDS(on) viene dado
por la expresin:

VDS(on) = ID(on) x RDS(on)
En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de RDS(on) a una corriente de Drenaje (ID)
especfica y el voltaje Puerta-Surtidor.
Por ejemplo, si VDS(on)=1V y ID(on)=100mA = 0'1 A; entonces,
Rds(on) = 1V = 10 Ohms
100mA
As mismo, el transistor estar en la regin hmica, cuando VGS > Vt y VDS < ( VGS Vt ).
El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el Drenador y Surtidor.
El valor de esta resistencia vara dependiendo del valor que tenga la tensin entre la
Puerta y el Surtidor (VGS).
Regin de Saturacin.
El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento cuando la tensin entre el
Drenador y el Surtidor (VDS) supera un valor fijo denominado tensin de saturacin (Vds
sat) Drenador-Surtidor; este valor viene determinado en las hojas caractersticas
proporcionadas por el fabricante. En esta zona, el MOSFET mantiene constante su
corriente de Drenador (ID), independientemente del valor de tensin que haya entre el
Drenador y el Surtidor (VDS). Por lo tanto, el transistor equivale a un generador de
corriente continua de valor ID.
Es decir; el MOSFET estar en esta regin, cuando VGS > Vt y VDS > ( VGS Vt ).
O sea, estaremos en la regin de saturacin cuando el canal se interrumpe o estrangula,
lo que sucede cuando:
VDS VGS - VT Regin de saturacin
Cuando la tensin entre Drenador y Fuente supera cierto lmite, el canal de conduccin,
bajo la Puerta sufre un estrangulamiento en las cercanas del Drenador y desaparece. La
corriente entre Fuente y Drenador no se interrumpe, es debido al campo elctrico entre
ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.

En la figura anterior, la parte casi vertical corresponde a la zona hmica, y la parte casi
horizontal corresponde a la zona activa. El MOSFET de enriquecimiento, puede funcionar
en cualquiera de ellas. En otras palabras, puede actuar como una resistencia o como una
fuente de corriente. El uso principal est en la zona hmica.
Regin de Ruptura.
Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET pierde sus propiedades
semiconductoras y se puede llegar a romper el componente fsico. La palabra ruptura
hace referencia a que se rompe la unin semiconductora de la parte del terminal del
drenador.
Los transistores unipolares estn limitados en tres magnitudes elctricas:
-En tensin: no se puede superar el valor mximo de tensin entre la puerta y el surtidor.
Este valor se
denomina BVgs. Tampoco se puede superar un valor mximo de tensin entre el drenador y el
surtidor denominado BVds.
-En corriente: no se puede superar un valor de corriente por el drenador, conocido como
Idmax.
-En potencia: este lmite viene marcado por Pdmax, y es la mxima potencia que puede
disipar el componente.
Resumiendo:
Mxima Tensin Puerta-Fuente. La delgada capa de dixido de silicio en el MOSFET
funciona como aislante, el cual, impide el paso de corriente de Puerta, tanto para
tensiones de Puerta negativas como positivas. Muchos MOSFET estn protegidos con
diodos zener internos, en paralelo con la Puerta y la Fuente. La tensin del zener, es
menor que la tensin Puerta-Fuente que soporta el MOSFET VGS(Max).
Zona hmica. El MOSFET es un dispositivo de conmutacin, por lo que evitaremos, en
lo posible, polarizarlo en la zona activa. La tensin de entrada tpica tomar un valor bajo
o alto. La tensin baja es 0 V, y la tensin alta es VGS(on), especificado en hojas de
caractersticas.
Drenador-Fuente en resistencia. Cuando un MOSFET de enriquecimiento se polariza
en la zona activa, es equivalente a una resistencia de RDS(on), especificada en hojas de
caractersticas. En la curva caracterstica existe un punto Qtest en la zona hmica. En este
punto, ID(on) y VDS(on) estn determinados, con los cuales se calcula RDS(on).
Capacidades parsitas.
Al igual que en los transistores bipolares, la existencia de condensadores parsitos en la
estructura MOS origina el retraso en la respuesta del mismo, cuando es excitado por una
seal de tensin o intensidad externa. La carga/descarga de los condensadores parsitos,
requiere un determinado tiempo, que determina la capacidad de respuesta de los
MOSFET a una excitacin. En la estructura y funcionamiento de estos transistores se
localizan dos grupos de capacidades:

1) Las capacidades asociadas a las uniones PN de las reas de Drenador y Fuente. Son no
lineales con las tensiones
de las uniones. Se denominan Capacidades de Unin.

2) Las capacidades relacionadas con la estructura MOS. Estn asociadas principalmente a la
carga del canal
(iones o cargas libres) y varan notoriamente en funcin de la regin de operacin del
transistor, de modo que,
en general, no es posible considerar un valor constante de las mismas. Se denominan
Capacidades de Puerta.
De ellas, las capacidades de Puerta suelen ser las ms significativas y dentro de ellas, la
capacidad de Puerta-Fuente CGS y de Drenador-Fuente, CDS son en general, las dominantes.
En la siguiente figura, se muestran las curvas de entrada y salida de un transistor
MOSFET N con Vt= 2V conectado en Fuente comn (SC), es decir, el terminal de Fuente, es
comn la seal de entrada VGS y las seales de salida ID y VDS.

Estas curvas de salida, se obtienen al representar las variaciones de ID al aumentar VDS,
para diferentes valores de VGS, es decir, ID=(Vds)VGS=cte.
La curva ms baja es la curva de VGS(T). Cuando VGS es menor que VGS(T), la corriente de
Drenador es extremadamente pequea. Cuando VGS es mayor que VGS(T), fluye una
considerable corriente, cuyo valor depende de VGS.
Si VGSVT, el transistor MOSFET, estar en la regin de corte y la corriente ID=0.
Si VGSVT, el transistor MOSFET, estar en la regin de conduccin y se pueden dar dos
casos:
a) Si VDSVGS-VT, el transistor MOSFET, estar en la regin de saturacin y la corriente
ser constante para un valor determinado de VGS. La curva de transferencia de la figura
que representa ID=(VDS)VGS=cte., se obtiene a partir de las curvas de salida para una tensin
VDS constante que site al transistor en saturacin. Se observa que aproximadamente
corresponde a la curva de una parbola con vrtice en VT y por tanto, la corriente puede
determinarse de forma aproximada por:
ID = k(VGS-VT)
2

donde k es el parmetro de transconductancia del MOSFET N y se mide en mA/V
2
.
b) Si VDSVGS-VT, el transistor MOSFET, estar en la regin hmica de forma que, al
aumentar VDS, tambin lo harn la corriente y la resistencia del canal. El comportamiento
del transistor puede asociarse a la resistencia que presenta el canal entre Drenador y
Fuente.
EL MOSFET COMO INVERSOR.
El funcionamiento del transistor MOSFET en conmutacin implica que la tensin de
entrada y salida del circuito posee una excursin de tensin, elevada (de 0 a VDD) entre los
niveles lgicos alto H (asociada a la tensin VDD) y bajo L (asociada a la tensin 0). Para el
nivel bajo, se persigue que VGS > Vt y que el transistor se encuentre trabajando en la regin
hmica, con lo cual VDS << 1. Mientras que para en el nivel alto, se persigue que la tensin
de salida sea elevada, y en general, que el transistor est funcionando en la regin de
corte, con VDS >> 1. Se puede considerar que, el transistor MOSFET es capaz de funcionar
como un interruptor.
El funcionamiento como inversor del transistor MOSFET N se basa en sus caractersticas
en conmutacin: pasando de la regin de corte a la regin hmica.
El transistor MOSFET en conmutacin, basado en un interruptor con resistencia de
Drenador, es fundamental en circuitos digitales, puesto que la conmutacin de corte a
saturacin y viceversa, implica unos tiempos de retardo de gran importancia en estos
sistemas.
Inversor con carga pasiva. La palabra pasiva se refiere a una resistencia normal como
RD. En este circuito Vin puede ser alta o baja.
Cuando Vin esta en nivel bajo, el MOSFET esta en corte y Vout es igual a la tensin de
alimentacin. Cuando Vin esta en nivel alto, el MOSFET esta en conduccin y Vout cae a un
nivel bajo. Para que este circuito funcione la corriente de saturacin ID(sat) tiene que ser
menor que ID(on).

RDS(on)<< RD

Se denomina inversor, por que la tensin de salida, es de nivel opuesto a la tensin de
entrada. Lo nico que se requiere en los circuitos de conmutacin, es que las tensiones de
entrada y de salida se puedan reconocer fcilmente, ya sea en nivel alto o bajo.
EL MOSFET COMO INTERRUPTOR.
Sabemos que si en un MOSFET la tensin entre la Puerta y la Fuente es menor que la
tensin umbral, VGS<VT, el transistor est cortado. Es decir, entre los terminales de Fuente
y Drenador, la corriente es nula, ya que existe un circuito abierto. Sin embargo, cuando
VGS es mayor que VT se crea el canal, y el transistor entra en conduccin. Cuanto mayor es
la tensin de puerta menor es la resistencia del canal, y sta puede llegar a aproximarse a
un cortocircuito. As, el MOSFET es capaz de funcionar como un interruptor.
El MOSFET como interruptor se emplea frecuentemente en electrnica digital, para
transmitir o no, los estados lgicos a travs de un circuito. Existe, sin embargo, una
pequea dificultad: cuando el MOSFET tipo N acta como cortocircuito es capaz de
transmitir las tensiones bajas; sin embargo las tensiones altas se ven disminuidas en una
cantidad igual al valor de la tensin umbral.
Para que exista el canal bajo la puerta, la tensin en sta ha de ser VH (VH > VT). Al
transmitir VH, el terminal de la izquierda acta como Drenador, ya que est a una tensin
ms alta, y el de la derecha como Fuente. A medida que la tensin en el terminal de Fuente
aumenta, la tensin entre la Puerta y la Fuente, VGS, disminuye. Todo esto ocurre hasta
que la tensin de la Fuente alcanza el valor VH-VT, momento en que VGS iguala la tensin
umbral y el transistor deja de conducir.
En cambio, al transmitir la tensin VL el terminal de la izquierda acta como Fuente y el
de la derecha como Drenador. La tensin entre la Puerta y la Fuente permanece en todo
momento constante, a igual a VH-VL (valor que debe ser superior a la tensin umbral), por
lo que en el Drenador se llega a alcanzar VL.
De forma similar, el MOSFET tipo P transmite correctamente las tensiones altas, y falla
en las bajas. Para evitar estos inconvenientes se conectan en paralelo dos transistores
MOSFET, uno N y otro P.

Para terminar este punto, las tensiones bajas son transmitidas sin error por el MOSFET
tipo N, mientras que las altas lo son por el tipo P. Esta configuracin, se denomina puerta
de paso. Para su funcionamiento, las tensiones en las puertas han de ser complementarias
(cuando una es alta la otra es baja, y viceversa); esto se indica aadiendo un crculo a una
de las puertas, o una barra sobre una de las tensiones.
Polarizacin de MOSFET.
Los circuitos de polarizacin tpicos para MOSFET enriquecido, son similares al circuito
de polarizacin utilizados para JFET. La principal diferencia entre ambos es el hecho de
que el MOSFET de enriquecimiento tpico slo permite puntos de funcionamiento con
valor positivo de VGS para canal n y valor negativo de VGS para el canal p. Para tener un
valor positivo de VGS de canal n y el valor negativo de VGS de canal p, es adecuado un
circuito de auto polarizacin. Por lo tanto hablamos de recorte de realimentacin y
circuito divisor de tensin para mejorar el tipo MOSFET.
Realimentacin, circuito de polarizacin.
La siguiente figura, muestra el circuito de polarizacin con realimentacin tpico para
MOSFET canal n de enriquecimiento.

Como se mencion anteriormente, para el anlisis en corriente continua, podemos
reemplazar el condensador de acoplamiento por circuitos abiertos y tambin reemplazar
el resistor RG por su equivalente en corto circuito, ya que IG = 0.
La figura, tambin muestra, el circuito simplificado, para el anlisis con recorte de
realimentacin CC. Como los terminales de Drenaje y Puerta estn en cortocircuito,
VD = VG
y VDS = VGS => Vs = 0 [1]
Aplicando la segunda Ley de Kirchhoff a los circuitos de salida, obtenemos,
VDD - IDx RD - VDS = 0
si VDS = VDD - Id x Rd [2]
o VGS = VDD - ID x RD ; si VDS = VGS [3]
Ejemplo practico: Para el circuito dado en la siguiente figura, calcular VGS, ID y VDS.


Solucin: Tenemos que,
VDD = 12 V
VGS = 8 V
VT = 3 V

Como, VGS = VDD - ID x RD = 12 - ID x RD
tenemos que,
ID = K(VGS-VT)
2

Sustituyendo valores de VGS tenemos,
ID = K((12 - Id x Rd)-Vt)
2
= 0.24x10
-3
[12 - ID x 2 x 10
-3
-3]
2

= 0.24x10
-3
[81 - 36000 ID + 4000000 I
2
D]
As; ID = 0.01944 - 8.64 ID + 960 I
2
d
960 x I
2
D - 9.64 x ID + 0.01944 = 0 Esto es una ecuacin de segundo grado y se puede resolver
usando la frmula habitual.
Resolucin de ecuaciones cuadrticas, usando la frmula tendremos;
960 x I
2
D - 9.64 x ID + 0.01944 = 0 donde,

Si calculamos el valor de VDS teniendo ID = 7.2477mA nos quedar,
Vds= Vdd - Id x Rd = 12 - 7.2477 x 10
-3
x 2 x 10
3
= 12 - 14.495 = -2.495
En la prctica, el valor de VDS debe ser positivo, por lo tanto Id =7.2477mA, no es valido.

Ahora, calculemos el valor de VDS teniendo ID = 7.2477mA, obtenemos que,
Vgs = 12 - 2.794 x 10
-3
x 2 x10
3
= 12 - 5.588 = 6.412V

VGS = 6.412V
Inversor con carga activa.
En la figura se muestra un conmutador con carga activa, el MOSFET inferior acta como
conmutador, pero el superior acta como una resistencia de valor elevado, el MOSFET
superior tiene su Puerta conectada a su Drenador, por esta razn, se convierte en un
dispositivo de dos terminales, como una resistencia activa, cuyo valor se puede
determinar con:

Donde VDS(activa) e IDS(activa) son tensiones y corrientes en la zona activa.
Para que el circuito trabaje de forma adecuada, la RD del MOSFET superior, tiene que ser
mayor que la RD del MOSFET inferior.

En la figura anterior se indica como calcular la RD del MOSFET superior. Al ser VGS=VDS,
cada punto de trabajo de este MOSFET tiene que estar en la curva de dos terminales, si se
comprueba cada punto de la curva de dos terminales, se vera que VGS=VDS.
La curva de dos terminales
significa que el MOSFET superior
acta como una resistencia de
valor RD. Este valor
RD cambia ligeramente para los
diferentes puntos.
En el punto ms alto; ID= 3mA y
VDS=15V

En el punto mas bajo; ID= 0.7mA
y VDS=5v


Una sencilla y prctica explicacin del funcionamiento de un transistor MOSFET puede
resumirse en que; al aplicar una determinada tensin (positiva respecto a GND) sobre la
Puerta o Gate, dentro del transistor, se genera un campo elctrico que permite la
circulacin de corriente entre el terminal Drenador y el terminal Fuente. La tensin
mnima de Puerta, para que el transistor comience a conducir (depende de su hoja de
datos), por ej. para un IRFZ44N est ubicada entre 2 y 4V, mientras que la mxima tensin
que podremos aplicar, respecto al terminal Fuente, es de 20V.
En conmutacin y en saturacin, en el caso del transistor MOSFET IRFZ44N, nos
interesa aplicar 10V de tensin en la Puerta, para lograr la mnima resistencia entre
Drenador y Fuente. En otro caso, no obtendremos el mejor rendimiento, por la mayor
disipacin de calor, debido a una mayor resistencia a la circulacin de corriente entre
Drenador y Fuente. No se debe sobrepasar la tensin VGS mxima de 20V, ya que el
transistor se estropear. En cambio, si la tensin de Puerta no alcanza los 2 a 4V, el
transistor no entrar en conduccin.

Recapitulemos.
Consideremos, el caso de utilizar el MOSFET en conmutacin, se debe aplicar la seal de
activacin del MOSFET con un flanco de subida muy corto en tiempo, al igual que el flanco
de bajada. Tal vez con un ejemplo quede ms claro.
No es conveniente aplicar la salida de un microcontrolador directamente a un MOSFET,
las razones son evidentes. Existe gran variedad de drivers comerciales, adecuados para
cada necesidad. Por lo tanto, siempre, se debe emplear un driver. El ms sencillo sera un
transistor, como se muestra en la figura que sigue.

En el esquema de la figura, la salida del micro, se aplica a R1, cuando la tensin sea
positiva, el NPN conducir en saturacin, por lo tanto, su colector estar
aproximadamente a GND y como consecuencia, el MOSFET, no conducir. En el caso de
que a la base del NPN le llegue una tensin negativa o cercana a GND, el transistor no
conducir y la tensin en su colector ser cercana a la tensin Vcc, esto hace que el
MOSFET se comporte como un interruptor cerrado, dejando pasar la mxima intensidad
(IDds).
Que hace el transistor NPN, conmuta su estado entre Vcc y GND, la cuestin es que, lo
debe hacer con un tiempo muy corto, al pasar de un estado alto a un estado bajo y
viceversa. Esto se consigue, reduciendo en lo posible las capacidades, existentes incluso
en los propios transistores BJT. Puesto que lo que pretendemos es que el MOSFET, no
trabaje en la zona hmica, para evitar las perdidas que se evidencian con el calor que
desprender en su caso.
Mejorando el circuito anterior, podramos aadir un par de transistores BJT ms, para
reducir el tiempo se subida y bajada al conmutar los niveles de tensin, veamos la
siguiente figura.

Cmo se comporta en este caso el circuito. Supongamos un nivel alto, en la salida del
primer transistor NPN, al llegar a la base del transistor NPN de arriba, ste, conducir en
saturacin y por tal motivo, tambin lo har el MOSFET. Entre tanto, el ante dicho nivel, al
llegar el transistor PNP de abajo, har que se corte dicho transistor, no conduciendo. En el
supuesto de tener, un nivel bajo en la salida del primer transistor NPN, el llegar a la base
del segundo NPN, ste no conducir, sin embargo, el transistor PNP se comportar como
un interruptor cerrado, conduciendo en saturacin, lo que har que el MOSFET, se
bloquee o corte su paso de corriente. Supongo que ahora est, ms claro.
Naturalmente, el estudio del transistor MOSFET, requiere un calado mayor, aqu, slo he
querido hacer hincapi en los conceptos ms relevantes, si bien es cierto, sin entrar en
demasiados detalles. Entiendo que los lectores, actualmente disponen de medios y lugares
donde adquirir conocimientos ms profundos, si es de su inters.
Esto es todo, por este tutorial de teora, los que quieran leer ms sobre el tema, lo
pueden hacer consultando libros de texto de los distintos autores.