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UNIVERSIDAD TECNICA DE AMBATO

FACULTAD DE INGENIERIA EN SISTEMAS, ELECTRONICA E


INDUSTRIAL
CARRERA DE INGENIERIA INDUSTRIAL EN PROCESOS DE AUTOMATIZACION







ELECTRONICA INDUSTRIAL

Tema: MOSFET.

Nombre:
Washington Vladimir Chamorro Salazar
Nivel:
Cuarto
Paralelo:
A
ING.: Santiago Manzano

Fecha: 09 07 2013

TEMA

TRANSISTORES MOSFET

OBJETIVOS
GENERAL

- Investigar, los conceptos caractersticas y configuraciones de los transistores
MOSFET

ESPECFICOS

- Analizar las definiciones de transistores MOSFET
- Determinar las caractersticas de los tipos y configuraciones de los
transistores MOSFET

MARCO TERICO


INTRODUCCION
Hay dos familias de transistores de efecto de campo: los JFET y los MOSFET. Pese a que el
concepto bsico de los FET se conoca ya en 1930, estos dispositivos slo empezaron a
fabricarse comercialmente a partir de la dcada de los 60. Y a partir de los 80 los transistores
de tipo MOSFET han alcanzado una enorme popularidad. Comparados con los BJT, los
transistores MOS ocupan menos espacio, es decir, dentro de un circuito integrado puede
incorporase un numero mayor. Adems su proceso de fabricacin es tambin ms simple.
Adems, existe un gran nmero de funciones lgicas que pueden ser implementadas
nicamente con transistores MOS (sin resistencias ni diodos). Esto ha hecho del transistor
MOS el componente estrella de la electrnica digital.
QU ES?
MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada, es un
arreglo de cientos de transistores integrados en un sustrato de silicio. Cada uno entrega una
parte a la corriente total.
Uno de los motivos que impuls su desarrollo es que los transistores bipolares presentan
limitaciones. Es un dispositivo controlado por tensin, Es un dispositivo extremadamente
veloz en virtud a la pequea corriente necesaria para estrangular o liberar el canal. Por esta
facultad se los usa ampliamente en conmutacin. Su velocidad permite disear etapas con
grandes anchos de banda minimizando, as, lo que se denomina distorsin por fase.
La caracterstica constructiva comn a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal
de puerta (G) est formado por una estructura de tipo Metal/xido/Semiconductor. El xido
es aislante, con lo que la corriente de puerta es prcticamente nula, mucho menor que en los
JFET. Por ello, los MOS se emplean para tratar seales de muy baja potencia.

Tiene una versin NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado
MOSFET de canal P, En el MOSFET de canal N la parte "N" est conectado a la fuente
(source) y al drenaje (drain)
En el MOSFET de canal P la parte "P" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain):

PRINCIPIO DE OPERACION
Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensin en la compuerta
no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source)

Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensin positiva se debe aplicar en
la compuerta. As los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son
atrados a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos.
El movimiento de estos electrones, crea las condiciones para que aparezca un puente para
los electrones entre el drenaje y la fuente. La amplitud o anchura de este puente (y la
cantidad de corriente) depende o es controlada por la tensin aplicada a la compuerta.
En el caso del MOSFET de canal P, se da una situacin similar. Cuando se aplica una tensin
negativa en la compuerta, los huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de la
fuente son atrados hacia la compuerta y pasan a travs del canal N que hay entre ellos,
creando un puente entre drenaje y fuente. La amplitud o anchura del puente (y la cantidad
de corriente) depende de la tensin aplicada a la compuerta.

Debido a la delgada capa de xido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay
corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por
la tensin aplicada a la compuerta.

APLICACION
El MOSFET es frecuentemente usado como amplificador de potencia ya que ofrecen dos
ventajas sobre los MESFETs y los JFETs y ellas son:
En la regin activa de un MOSFET en modo de enriquecimiento, la capacitancia de entrada y
la trasconductancia es casi independiente del voltaje de la compuerta y la capacitancia de
salida es independiente del voltaje del drenador. Este puede proveer una potencia de
amplificacin muy lineal.
El rango de voltaje activo de la compuerta puede ser mayor porque los MOSFETs de canal n
en modo de vaciamiento pueden operar desde la regin de modo de vaciamiento (-Vg) a la
regin de modo de enriquecimiento (+Vg).

Capacitancia en el MOSFET
Dos capacitancias son importantes en un conmutador de encendido-apagado con MOSFET.
stas son Cgs entre Gate y la fuente y Cgd entre Gate y drenaje. Cada valor de capacitancia
es una funcin no lineal del voltaje. El valor para Cgs tiene solamente una variacin pequea,
pero en Cgd, cuando uDG haya pasado a travs de cero, es muy significativa. Cualquier
desprecio de estas variaciones crea un error substancial en la carga que es requerida en Gate
que es necesaria para estabilizar una condicin dada de operacin.
Encendido
En la mayora de los circuitos con MOSFET, el objetivo es encenderlo tan rpido como sea
posible para minimizar las prdidas por conmutacin. Para lograrlo, el circuito manejador del
gatillo debe ser capaz de alimentar la suficiente corriente para incrementar rpidamente el
voltaje de gatillo al valor requerido.
Apagado
Para apagar el MOSFET, el voltaje gate-fuente debe reducirse en accin inversa como fue
hecho para encenderlo. La secuencia particular de la corriente y el voltaje depende de los
arreglos del circuito externo.
rea segura de operacin
El rea segura de operacin de el MOSFET est limitada por tres variables que forman los
lmites de una operacin aceptable. Estos lmites son:
1. Corriente mxima pulsante de drenaje
2. Voltaje mximo drenaje-fuente
3. Temperatura mxima de unin.
Prdidas del MOSFET
Las prdidas de potencia del MOSFET son un factor tomado en cuenta para la seleccin de
un dispositivo de conmutacin. La eleccin no es sencilla, pues no puede decirse que el
MOSFET tenga menores o mayores prdidas que un BJT en un valor especfico de corriente.
Las prdidas por conmutacin en el encendido y apagado juegan un papel ms importante
en la seleccin. La frecuencia de conmutacin es tambin muy importante.
MOSFET DE TIPO DECREMENTAL.

Figura 157. Mosfet de tipo decremental
Aun cuando existen grandes similitudes entre las curvas de transferencia de los JFET y de los
MOSFET y que permiten realizar un anlisis muy parecido en el dominio de DC, los MOSFET
de tipo decremental permiten trabajar con puntos de operacin con valores V
GS
positivos y
niveles de I
D
que exceden el valor de I
DSS
.
Nos queda la pregunta: Hasta donde deber extenderse la curva de transferencia hacia la
regin de valores positivos de V
GS
y hacia valores de I
D
mayores de I
DSS
? Este intervalo estar
bien definido en los parmetros del MOSFET.









MOSFET DE TIPO INCREMENTAL.

Figura 158. Mosfet de tipo Incremental
Las caractersticas de transferencia del JFET difieren a las encontradas en el MOSFET de tipo
incremental. Por lo tanto, la solucin grfica es diferente para los dos casos ya vistos.
Debemos tener en cuenta que para un MOSFET de tipo incremental de canal-n, la corriente
de drenaje (I
D
) es cero para aquellos niveles de voltaje compuerta fuente menores al nivel
de umbral V
GS (TH).

La corriente de drenaje se define como un exponencial a partir del nivel de umbral:
I
D
= k (V
GS
V
GS

(TH)
)
2
(5.6)
En las hojas de caractersticas tcnicas se definen claramente los valores de voltaje de
umbral y un nivel de corriente de drenaje (I
D (encendido)
)
,
valores que permiten encontrar el
valor de la constante k.
k = I
D (encendido)
/ V
GS (Encendido)
- V
GS (TH)
(5.7)

Una vez se obtenga k, se podrn obtener los dems valores para I
D
.









Arreglo de polarizacin por retroalimentacin

En la figura (2) de proporciona un popular arreglo de polarizacin para los MOSFETs de tipo
incremental. El resistor
G
R proporciona un voltaje suficientemente grande a la compuerta
para llevar al MOSFET al encendido. Dado que mA I
G
0 = y , 0V V
G
R
= la red equivalente de
dc se muestra como en la figura (3).

Ahora existe una conexin directa entre el drenaje y la compuerta, con lo que resulta
Figura 2. Arreglo de
polarizacin por
retroalimentacin.
Figura 3. Equivalente
de dc para la red de la
figura 2.

G D
V V = y
GS DS
V V =


Para el circuito de salida,
D D DD DS
R I V V =
la cual se convierte en la siguiente ecuacin despus de sustituir en la ecuacin (3):
D D DD GS
R I V V =

Se obtiene una ecuacin que relacione las mismas dos variables que la ecuacin (1)lo que
permite graficar cada una sobre el mismo conjunto de ejes.

Ya que la ecuacin (4) es la ecuacin de una lnea recta, puede utilizarse el mismo
procedimiento descrito antes, para determinar los dos puntos que definirn el trazo sobre la
grfica. Al sustituir mA I
D
0 = en la ecuacin (4) se obtiene


mA I V V
D DD GS
0 = =

Al sustituir V V
GS
0 = en la ecuacin (4), tenemos
`

V V R
V
I
GS D
DD
D
0 =
=

Las grficas definidas por las ecuaciones (1) y (4) se muestran en la figura 4 junto con el
punto de operacin resultante.

Ec. (3)
Ec. (4)














EJEMPLOS

MOSFETs de tipo decremental



1. Para la red de la figura, determine:
a)
Q
D
I y
Q
GS
V
b)
DS
V y
D
V
Figura 4. Determinacin
del punto Q para la red de
la figura 2.
SOLUCIN:
a)
Cuando V V
GS
0 =
mA I I
DSS D
8 = =
Cuando mA I
D
0 =
V V V
p GS
8 = =
Cuando V
V
V
p
GS
4
2
= =
mA
I
I
DSS
D
2
4
= =
Cuando mA
I
I
DSS
D
4
2
= =
( )
V
mA k I R
V
D S
GS
56 , 1
2
6 43 , 0
2
=
O
= =
Cuando V V
GS
1 + =
mA I
D
125 , 10
8
1
1 8
2
= |
.
|

\
|
+ =
Cuando V V
GS
2 + =
mA I
D
5 , 12
8
2
1 8
2
= |
.
|

\
|
+ =



Para la configuracin por autopolarizacin de la figura, determine:
a)
Q
D
I y
Q
GS
V
V V
mA I
Q
Q
GS
D
5 , 0
9
~
~
b)
DS
V y
D
V
SOLUCIN:
a)
Cuando V V
GS
0 =
mA I I
DSS D
6 = =
Cuando mA I
D
0 =
V V V
p GS
4 = =
Cuando V
V
V
p
GS
2
2
= =
mA
I
I
DSS
D
5 , 1
4
= =
Cuando mA
I
I
DSS
D
3
2
= =
( )
V
mA k I R
V
D S
GS
29 , 1
2
6 43 , 0
2
=
O
= =

b)
( )
( )
V V
k k mA V V
R R I V V
DS
DS
S D D DD DS
27 , 9
43 , 0 2 , 1 8 , 2 14
=
O + O =
+ =
( )( )
V V
k mA V V
R I V V
D
D
D D DD D
52 , 10
2 , 1 9 , 2 14
=
O =
=

MOSFETs de tipo incremental
Para la red de la figura, determine
a)
Q
D
I
b)
Q
GS
V y
Q DS
V
c)
D
V y
S
V
d)
DS
V
SOLUCIN:
a)
( )
( )
( ) ( )
( ) ( )
2
3
2 2
2
10 556 , 0
4 7
5
V
A
V V
mA
V V
I
K
V V K I
TH T m GS
m D
T GS D

=
=
y
( )
2 3
4 10 556 , 0 V V I
GS D
=



( )
V V V entonces I Si
mA
K K
V
R R
V
I
entonces V V Si
R R I V V
DD DS D
S D
DD
D
DS
S D D DD DS
22 ; , 0
87 , 12
51 , 0 2 , 1
22
; , 0
= = =
=
O + O
=
+
=
=
+ =

b)
( )
( )
V V
V K K mA V V
V R R I V V
DS
DS
SS S D D DD DS
69 , 7
4 39 , 0 2 , 1 9 18
=
+ O + O =
+ + =
V V V
Q
GS S
5 , 0 = =




Para la configuracin por divisin de voltaje de la figura, determine:
a)
Q
D
I y
Q
GS
V
b)
D
V y
S
V
SOLUCIN:
a)

( )
( )
V V
V
M M
M
V
V
R R
R
V
G
G
DD G
71 , 9
24
8 , 6 10
8 , 6
2 1
2
=
O + O
O
=
+
=


( )
mA
K
V
I entonces V Si
V V entonces I Si
K I V V
R I V V
D GS
GS D
D GS
S D G GS
95 , 12
75 , 0
71 , 9
, 0
71 , 9 , 0
75 , 0 71 , 9
=
O
= =
= =
O =
=

( )
( ) ( )
( ) ( )
2
3
2 2
10 556 , 0
3 6
5
V
A
V V
mA
V V
I
K
TH GS m GS
on D
=

=
Entonces de la ecuacin: ( )
2 3
3 10 556 , 0 V V I
GS D
=



GS
V
D
I
3V 0mA
4V 0,556mA
5V 2,22mA
6V 5mA
7V 8,9mA

b)
( )( )
V V
k mA V V
R I V V
D
D
D D DD D
13
2 , 2 5 24
=
O =
=
( )
V V
k mA V
R I R I V
S
S
S D S S S
75 , 3
75 , 0 5
=
O =
= =


CONCLUSIONES

- El mosfet gracias a su gran velocidad de conmutacin presenta una gran
versatilidad de trabajo;este puede reemplazar dispostivos como el jfet.

- los MOS se emplean para tratar seales de muy baja potencia esto es una gran
ventaja ya que pueden ser utilizados en una gran gama de aplicaciones

- Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensin positiva se debe
aplicar en la compuerta. As los electrones del canal N de la fuente (source) y el
drenaje (Drain) son atrados a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre
ellos.

- Gracias a la delgada capa de xido que hay entre la compuerta y el
semiconductor, no hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre
drenaje y fuente es controlada por la tensin aplicada a la compuerta.