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INTRODUCCIN AL MOSFET

Los MOSFET, o simplemente MOS (Metal-Oxide Semiconductor, Field Effect Transistor) son
muy parecidos a los JFET. La diferencia entre estos estriba en que, en los MOS, la puerta est
aislada del canal, consiguindose de esta forma que la corriente de dicho terminal sea muy
pequea, prcticamente despreciable. Debido a este hecho, la resistencia de entrada de este
tipo de transistores es elevadsima, del orden de 10.000 M, lo que les convierte en
componentes ideales para amplificar seales muy dbiles.

Existen dos tipos de MOSFET en funcin de su estructura interna: los de empobrecimiento y


los de enriquecimiento. Los primeros tienen un gran campo de aplicacin como amplificadores
de seales dbiles en altas frecuencias o radio-frecuencia (RF), debido a su baja capacidad de
entrada. Los segundos tienen una mayor aplicacin en circuitos digitales y sobre todo en la
construccin de circuitos integrados, debido a su pequeo consumo y al reducido espacio que
ocupan.

MODELO ESTTICO

El modelo esttico del transistor MOSFET se denomina modelo de Schichman-Hodges. Es un


modelo muy parecido al modelo de los transistores JFET. El circuito equivalente se compone
de un interruptor abierto y una fuente de intensidad cuyo valor ID depende de la regin de
funcionamiento del transistor.

Fig: Modelo de Schichman-Hodges para el transistor MOSFET

MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO

Para que un transistor de efecto de campo funcione no es necesario suministrar corriente al


terminal de puerta o graduador. Teniendo en cuenta esto, se puede aislar totalmente la
estructura de la puerta de la del canal. Con esta disposicin se consigue eliminar
prcticamente la corriente de fuga que apareca en dicho terminal en los transistores JFET. En
la siguiente figura se puede apreciar la estructura de un MOSFET de canal N.
Este componente, puede funcionar tanto en la forma de empobrecimiento como de
enriquecimiento, como puede observarse en la siguiente figura:

La forma de trabajo de empobrecimiento se explica debido a que los electrones de la fuente


pueden circular desde el surtidor hacia el drenador a travs del canal estrecho de material
semiconductor tipo N. Cuanto mayor sea la diferencia de potencial VDD aplicada por la fuente,
mayor ser esta corriente. Como ocurra con el JFET, la tensin negativa, aplicada a la puerta,
produce un estrechamiento en el canal, debido al empobrecimiento de portadores, lo que
hace que se reduzca la corriente de drenador. Aqu se aprecia claramente que, el fenmeno de
control se realiza a travs del efecto del campo elctrico generado por la tensin VGG de la
puerta.

Debido a que la puerta est aislada del canal, se puede aplicar una tensin positiva de
polarizacin al mismo. De esta manera, se consigue hacer trabajar al MOSFET en
enriquecimiento. Efectivamente, la tensin positiva del graduador provoca un aumento o
enriquecimiento de electrones libres o portadores en el canal, de tal forma que, al aumentar la
tensin positiva VGG, aumenta tambin la corriente de drenador.

CURVAS CARACTERSTICAS.
Fig. Caracterstica VDS - ID del transistor MOSFET de empobrecimiento

Obsrvese cmo en esta curva aparecen tanto tensiones negativas de VGS (trabajo en modo de
empobrecimiento), como positivas (trabajo en modo de enriquecimiento). La corriente ms
elevada se consigue con la tensin ms positiva de VGS y el corte se consigue con tensin
negativa de VGS(apag).

De esta familia de curvas se puede obtener la curva de transconductancia, que nos indica la
relacin que existe entre VGS e ID.

Fig. Caracterstica VGS - ID del transistor JFET de empobrecimiento

Obsrvese cmo esta curva aparece dibujada en los dos cuadrantes del eje de tensiones. Esto
es debido a que el MOSFET puede operar tanto con tensiones positivas como negativas. Por
esta razn, la corriente IDSS, correspondiente a la interseccin de la curva con el eje ID, ya no es
la de saturacin.

Como ocurra con el JFET, esta curva de trasconductancia es parablica y la ecuacin que la
define es tambin:

Segn se puede apreciar en la curva de transconductancia de un MOSFET, este tipo de


transistor es muy fcil de polarizar, ya que se puede escoger el punto correspondiente a VGS=0,
ID=IDSS. Cuando ste queda polarizado as, el transistor queda siempre en conduccin o,
normalmente, encendido.
SIMBOLOGA

El smbolo que representa al MOSFET de empobrecimiento son los que se indican en las
siguientes figuras:

MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO

El MOSFET de empobrecimiento fue parte de la evolucin hacia el MOSFET de enriquecimiento


que es tambin llamado de acumulacin. Sin el MOSFET de enriquecimiento no existiran los
ordenadores.

Idea Bsica

En la siguiente figura se presenta un MOSFET de enriquecimiento. El substrato p se extiende a


lo ancho hasta el dixido de silicio; ya no existe un canal n entre la fuente y el drenador. La
figura muestra las tensiones de polarizacin normales. Cuando la tensin de puerta es nula, la
corriente de fuente y el drenador es nula.

Por esta razn, el MOSFET de enriquecimiento est normalmente en corte cuando la tensin
de puesta es cero. La nica forma de obtener corriente es mediante una tensin de puerta
positiva. Cuando la puerta es positiva, atrae electrones libres dentro de la regin p, y stos se
recombinan con los huecos cercanos al dixido de silicio. Cuando la tensin de puerta es lo
suficientemente positiva, todos los huecos prximos al dixido de silicio desaparecen y los
electrones libres empiezan a circular desde la fuente hacia el drenador.

Esta capa conductora se denomina capa de inversin tipo n. Cuando existe, los electrones
libres pueden circular fcilmente desde la fuente hacia el drenador. La VGS mnima que crea la
capa de inversin de tipo n se llama tensin umbral, simbolizada por VGS(th). Cuando VGS es
menor que VGS(th) la corriente de drenador el nula. Pero cuando VGS es mayor que VGS(th),
una capa de inversin tipo n conecta la fuente al drenador y la corriente de drenador es
grande. Los valores tpicos de VGS(th) para dispositivos de pequea seal puede variar entre 1
y 3 V. El MOSFET de enriquecimiento se clasifica porque su conductividad mejora cuando la
tensin de puerta es mayor que la tensin umbral. Los dispositivos de enriquecimiento estn
normalmente en corte cuando la tensin de puerta es cero.

CURVAS CARACTERSTICAS.

Un MOSFET de enriquecimiento para pequea seal tiene una limitacin de potencia de 1 W o


menos. La figura muestra un conjunto de curvas de salida de un MOSFET de enriquecimiento
tpico. La curva inferior es la curva de VGS(th). Cuando VGS es mayor que VGS(th), el
dispositivo conduce y la corriente de drenador se controla por medio de la tensin de puerta.

La parte casi vertical corresponde a la zona hmica, y la parte casi horizontal corresponde a la
zona activa. El MOSFET de enriquecimiento puede funcionar en cualquiera de ellas. En otras
palabras, puede actuar como una resistencia o como una fuente de corriente. El uso principal
es en la zona hmica

Fig. Caracterstica de salida

En la siguiente figura se muestra la curva caracterstica de transferencia tpica. No hay


corriente de drenador hasta que VGS es mayor que VGS(th). A partir de entonces, la corriente
de drenador se incrementa rpidamente hasta que alcanza la corriente de saturacin ID(sat).
Ms all de este punto el dispositivo est polarizado en la regin hmica. Por tanto, ID no
puede crecer aunque VGS crezca. Para asegurar la saturacin fuerte se usa una tensin de
puerta VGS(on) bastante por encima de VGS(th).
Fig. Caracterstica de transferencia

SIMBOLOGA

El smbolo que representa al MOSFET de enriquecimiento son los que se indican en las
siguientes figuras.

FORMULAS

Para el transistor NMOS de enriquecimiento las regiones de funcionamiento son:

1. Regin de corte

o Condicin VGS<VTH
o Intensidad ID=0
2. Regin lineal.

o Condiciones: VGS>VTH

VGD < VTH VGS < VTH+VDS

Donde K es una constante que depende del material y de las dimensiones del
transistor

me es la movilidad de los electrones, que depende del material y la temperatura

W, L son la anchura y la longitud del canal. Factores geomtricos que dependen del

diseo del transistor.

C'OX es la capacidad por unidad de superficie del condensador que forman el metal de

la puerta con el canal. Depende fuertemente del espesor del xido de puerta.

3. Regin de saturacin

o Condiciones VGS > VTH

VGD > VTH VGS > VTH+VDS

Modelo para seales alternas

Para el caso en el que el transistor soporte seales alternas de pequea amplitud y baja

frecuencia sobre un punto de polarizacin en regin de saturacin, puede demostrarse de

forma anloga a como se ha realizado para el transistor JFET que la

transconductancia gm se calcula a travs de la siguiente expresin


Bibliografa

file:///C:/Users/khghkf/Downloads/Principios-de-Electronica.pdf

http://esimerobotica.tripod.com/MOSFET2.pdf

http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/MOSFET.html

http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/trans_campo.htm

http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/tecnicas/electro_gen/teoria/tema-7-
teoria.pdf

https://cv3.sim.ucm.es/access/content/group/portal-uatducma-
43/webs/material_original/apuntes/PDF/02_modelos_ps_dispositivos.pdf