MOSFET

ELECTRONICA BASICA
 MOSFET
• Metal-Oxide Semiconductor FET (Transistor
efecto de campo)
• El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales
llamados fuente (S, Source), drenador (D, Drain),
puerta (G, Gate) y sustrato (B, Body). Sin
embargo, el sustrato generalmente está
conectado internamente al terminal de fuente y
por este motivo se pueden encontrar dispositivos
MOSFET de tres terminales.
 MOSFET
• Un transistor de efecto de campo de puerta
aislada o IGFET (Insulated-gate field-effect
transistor) es un término relacionado que es
equivalente a un MOSFET. El término IGFET es
más inclusivo, ya que muchos transistores
MOSFET utilizan una puerta que no es metálica, y
un aislante de puerta que no es un óxido. Otro
dispositivo relacionado es el MISFET, que es un
transistor de efecto de campo metal-aislante-
semiconductor (Metal-insulator-semiconductor
field-effect transistor).
SIMBOLOGIA
 FUNCIONAMIENTO
• Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos
basados en la ESTRUCTURA MOS. Los primeros
son los MOSFET de enriquecimiento los cuales se
basan en la creación de un canal entre el
drenador y la fuente, al aplicar una tensión en la
puerta. La tensión de la puerta atrae portadores
minoritarios hacia el canal, de manera que se
forma una región de inversión, es decir, una
región con dopado opuesto al que tenía el
sustrato originalmente.
 FUNCIONAMIENTO
El término enriquecimiento hace referencia al
incremento de la conductividad eléctrica debido a
un aumento de la cantidad de portadores de
carga en la región correspondiente al canal. El
canal puede formarse con un incremento en la
concentración de electrones (en un nMOSFET o
NMOS), o huecos (en un pMOSFET o PMOS). De
este modo un transistor NMOS se construye con
un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n,
mientras que un transistor PMOS se construye
con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p.
 FUNCIONAMIENTO
Los MOSFET de empobrecimiento o
deplexión tienen un canal conductor en su
estado de reposo, que se debe hacer
desaparecer mediante la aplicación de la
tensión eléctrica en la puerta, lo cual ocasiona
una disminución de la cantidad de portadores
de carga y una disminución respectiva de la
conductividad.
MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO

PUERTA
MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO

PUERTA
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO

PUERTA
 MODOS DE OPERACION
El funcionamiento de un transistor MOSFET se puede
dividir en tres diferentes regiones de operación,
dependiendo de las tensiones en sus terminales.
Para un transistor NMOS de enriquecimiento se tienen
las siguientes regiones:

CORTE
REGION LINEAL U OHMICA
SATURACION O ACTIVA
 MODOS DE OPERACIÓN CORTE
Cuando VGS < Vth
donde Vth es la tensión de umbral del transistor
De acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región el dispositivo se
encuentra apagado. No hay conducción entre la fuente y el drenador, de modo
que el MOSFET se comporta como un interruptor abierto.
Un modelo más exacto considera el efecto de la energía térmica descrita por la
distribución de Boltzmann para las energías de los electrones, en donde se
permite que los electrones con alta energía presentes en la fuente ingresen al
canal y fluyan hacia el drenador. Esto ocasiona una corriente subumbral, que es
una función exponencial de la tensión entre puerta-fuente. La corriente
subumbral sigue aproximadamente la siguiente ecuación:

donde ID0 es la corriente que existe cuando VGS = Vth,

VT = kT/q es el voltaje térmico,
n = 1 + CD/COX
donde CD es la capacidad de la región de agotamiento, y
COX es la capacidad de la capa de óxido.
 MODOS DE OPERACIÓN CORTE
NMOS en modo de corte. La region Blanca indica
que no existen portadores libres en esta zona, debido
a que los electrones son repelidos del canal.
 MODOS DE OPERACIÓN LINEAL
Cuando VGS > Vth y VDS < ( VGS – Vth )

Al polarizarse la puerta con una tensión mayor que la

tensión de umbral, se crea una región de agotamiento en la
región que separa la fuente y el drenador. Si esta tensión
crece lo suficiente, aparecerán portadores minoritarios
(huecos en PMOS, electrones en NMOS) en la región de
agotamiento, que darán lugar a un canal de conducción. El
transistor pasa entonces a estado de conducción, de modo
que una diferencia de potencial entre drenador y fuente
dará lugar a una corriente. El transistor se comporta como
una resistencia controlada por la tensión de puerta
 MODOS DE OPERACIÓN LINEAL
NMOS en la región lineal. Se forma un canal de tipo n al
lograr la inversión del sustrato, y la corriente fluye de
drenador a fuente..
 MODOS DE OPERACIÓN ACTIVA
Cuando VGS > Vth y VDS > ( VGS – Vth )

Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto

límite, el canal de conducción bajo la puerta sufre un
estrangulamiento en las cercanías del drenador y
desaparece. La corriente que entra por el drenador y sale
por la fuente no se interrumpe, ya que es debida al campo
eléctrico entre ambos, pero se hace independiente de la
diferencia de potencial entre ambos terminales.
 MODOS DE OPERACIÓN ACTIVA
NMOS en la región de saturación o activa. Al aplicar una
tensión de drenador más alta, los electrones son atraídos
con más fuerza hacia el drenador y el canal se deforma.
 APLICACIONES

La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en

circuitos de tipo CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS y
NMOS complementarios. Las aplicaciones de MOSFET discretos más
comunes son:

Resistencia controlada por tensión.

Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET)
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.
 14.5 CMOS

Similar a Amplificador en clase B

MOSFET canal P
Q1 conduce Q2 en corte

MOSFET canal n
Circuito Curva
 CMOS FUNCIONAMIENTO
Cuando un circuito CMOS como el de la Figura 14-15a se emplea
en una aplicación de conmutación, la tensi6n de entrada puede ser
alta (+VDD) o baja (0 V). Si la tensión de entrada es alta, Q, está en
corte y Q2 conduce. En este caso, el Q, cortocircuitado lleva la
tensión de salida a masa. Por otro ' lado, si la tensión de entrada es
baja, Q, conduce y Q, está en corte. Ahora, el Ql cortocircuitado
lleva la tensión de salida hasta -i-VDD. Como la tensión de salida
está invertida, el circuito se denomina inversor CMOS.
La principal ventaja del CMOS es que su consumo de potencia es
extremadamente bajo. Como los MOSFET están en serie la
corriente de drenador en el punto Q viene determinada por el
dispositivo que no conduce. Ya que la resistencia es del orden de
mega ohmios, el consumo de potencia en el punto Q (reposo) se
aproxima a cero.
14.6 FET DE POTENCIA