Está en la página 1de 30

PRACTICA 1

ELECTRONICA POTENCIAL
LABORATORIO SECCION 1

HAROLD DAVID MOTTA SANCHEZ


JOSE ÁNGEL BOSSA DÍAZ
PABLO R. ESCOBAR ALVEAR
ALEXIS PEDROZA - 67032716

TUTOR:

Grupo: 203055_13

UNIVERSIDAD ABIERTA Y A DISTANCIA (UNAD)


CEAD PALMIRA
INGENIERIA EN TELECOMUNICACIONES
2019
INTRODUCCION

El presente trabajo del curso de Electrónica Potencial de la Universidad


Nacional Abierta y a Distancia - UNAD, en la fase de laboratorio, nos permite
comprender el funcionamiento de un Rectificador Controlado de Silicio o SCR.
Que es un semiconductor que presenta dos estados estables: en uno conduce, y
en otro está en corte (bloqueo directo, bloqueo inverso y conducción directa). El
objetivo del rectificador controlado de silicio SCR es retardar la entrada en
conducción del mismo, ya que como se sabe, un rectificador controlado de silicio
SCR se hace conductor no sólo cuando la tensión en sus bornes se hace positiva
(tensión de ánodo mayor que tensión de cátodo), sino cuando siendo esta tensión
positiva, se envía un impulso de cebado a puerta.
PRACTICA DE LABORATORIO ELECTRÓNICA DE POTENCIA.

PROCEDIMIENTO:

1. Realice el montaje del circuito de la figura.


2. Ajuste V1 de modo tal que el VAK sea aproximadamente 15 Voltios.
3. Lentamente varié el valor de V2 hasta que el SCR conduzca. ¿Qué sucede con
el valor del VAK y por qué?
4. Asegúrese que el SCR está en estado de conducción.
5. Desconecte temporáneamente el pin puerta (GATE) y poco a poco reducir la
tensión V1 hasta que la corriente del SCR repentinamente cae a cero. Tenga
apunte el valor antes anterior al que la corriente cae a cero “este es el valor de la
corriente de mantenimiento IH.

PARAMETROS:
PROTEUS: CIRCUITO SIMULADO.

https://www.youtube.com/watch?v=0XKNsaqIVTo&t=72s
ELEMENTOS UTILIZADOS

CALCULOS

Pregunta: ¿Qué crees que va a pasar en el circuito de la figura 1 si se dispara el


SCR, y luego se reduce la corriente de puerta a cero de nuevo?
Bueno:
1. Si se dispara el scr, y desconecto la puerta, asi reduzca la corriente de
puerta, el voltaje Vak, se va a sostener, hasta que varie la fuente V1.
2. Si se dispara el scr, y no desconecto la puerta, asi reduzca la corriente de
puerta, el voltaje Vak, se va a sostener, hasta que varie la fuente V1, y
comienzo a variar la corriente de puerta veo como el scr pasa de estado de
desactivación a conducion y viceversa.

Pregunta: ¿Qué observas ahora que repentinamente usted aumenta y reduce la


corriente de puerta

Si aumento y reduzco la corriente de entrada, veo como el SCR pasa de estado de


conducción a estado de desactivación, y viceversa para el efecto contrario.
CONCLUSION

● Realizar las prácticas de acuerdo a la guía de laboratorio, el cual presenta nuestros


resultados, además de no encontrar orden de variación de las resistencias variables del
circuito, solo se varía las fuentes de tensión de entrada

PRACTICA 2
ELECTRONICA POTENCIAL
LABORATORIO SECCION 2

ALEXIS PEDROZA - 67032716

TUTOR:

Grupo: 203055_13

UNIVERSIDAD ABIERTA Y A DISTANCIA (UNAD)


CEAD PALMIRA
INGENIERIA ELECTRONICA
2019
https://www.youtube.com/watch?v=9JKj-wlEPMY
https://www.youtube.com/watch?v=GrvvkYTW_0k
https://www.youtube.com/watch?v=AAWwn1Uc5zU
https://www.youtube.com/watch?v=t7JFf9NVGbY

Teoría:

MOSFET

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-


semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales
electrónicas.

El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S, Source), drenador (D, Drain),
puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin embargo, el sustrato generalmente está conectado
internamente al terminal de fuente y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET
de tres terminales.

Con una operación y estructura completamente distintas al transistor bipolar de unión, el


transistor MOSFET fue creado al colocar una capa aislante en la superficie de un semiconductor y
luego colocando un electrodo metálico de puerta sobre el aislante. Se utilizó silicio cristalino para
el semiconductor base, y una capa de dióxido de silicio creada a través de oxidación térmica, como
aislante. El MOSFET de silicio no generaba trampas de electrones localizados entre la interfaz,
entre el silicio y la capa de óxido nativo, y por este motivo se veía libre de la dispersión y el
bloqueo de portadores que limitaba el desempeño de los transistores de efecto de campo
anteriores.

SÍMBOLOS DE TRANSISTORES MOSFET


Existen distintos símbolos que se utilizan para representar al transistor MOSFET. El diseño básico
consiste en una línea recta para dibujar el canal, con líneas que salen del canal en ángulo recto y
luego hacia afuera del dibujo de forma paralela al canal, para indicar la fuente y el drenaje. En
algunos casos, se utiliza una línea segmentada en tres partes para el canal del MOSFET de
enriquecimiento, y una línea sólida para el canal del MOSFET de empobrecimiento. Otra línea es
dibujada en forma paralela al canal para destacar la puerta.

La conexión del sustrato, en los casos donde se muestra, se coloca en la parte central del canal con
una flecha que indica si el transistor es PMOS o NMOS. La flecha siempre apunta en la dirección P
hacia N, de forma que un NMOS (Canal N en un sustrato P) tiene la flecha apuntando hacia
adentro (desde el sustrato hacia el canal). Si el sustrato está conectado internamente a la fuente
(como generalmente ocurre en dispositivos discretos) se conecta con una línea en el dibujo entre
el sustrato y la fuente.

FUNCIONAMIENTO
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS. Los primeros son
los MOSFET de enriquecimiento los cuales se basan en la creación de un canal entre el drenador y
la fuente, al aplicar una tensión en la puerta. La tensión de la puerta atrae portadores minoritarios
hacia el canal, de manera que se forma una región de inversión, es decir, una región con dopado
opuesto al que tenía el sustrato originalmente. El término enriquecimiento hace referencia al
incremento de la conductividad eléctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de
carga en la región correspondiente al canal. El canal puede formarse con un incremento en la
concentración de electrones (en un NMOSFET o NMOS), o huecos (en un PMOSFET o PMOS). De
este modo un transistor NMOS se construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n,
mientras que un transistor PMOS se construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p.

Los MOSFET de empobrecimiento o deplexión tienen un canal conductor en su estado de reposo,


que se debe hacer desaparecer mediante la aplicación de la tensión eléctrica en la puerta, lo cual
ocasiona una disminución de la cantidad de portadores de carga y una disminución respectiva de
la conductividad.
MODOS DE OPERACIÓN

El funcionamiento de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes regiones de


operación, dependiendo de las tensiones en sus terminales.

CORTE: Cuando VGS < Vth.


REGIÓN LINEAL U ÓHMICA: Cuando VGS > Vth y VDS < ( VGS – Vth ).

SATURACIÓN O ACTIVA: Cuando VGS > Vth y VDS > ( VGS – Vth )
EFECTOS DE SEGUNDO ORDEN.
Estas ecuaciones son un modelo sencillo de funcionamiento de los transistores MOSFET,
pero no tienen en cuenta un buen número de efectos de segundo orden, como, por ejemplo:

• Saturación de velocidad: La relación entre la tensión de puerta y la corriente de


drenador no crece cuadráticamente en transistores de canal corto.
• Efecto cuerpo o efecto sustrato: La tensión entre fuente y sustrato modifica la tensión
umbral que da lugar al canal de conducción.
• Modulación de longitud de canal.

APLICACIONES.
La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS,
consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios. Las aplicaciones de
MOSFET discretos más comunes son:

• Resistencia controlada por tensión.


• Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
• Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

VENTAJAS CON RESPECTO A TRANSISTORES BIPOLARES


La principal aplicación de los MOSFET está en los circuitos integrados PMOS, NMOS y
CMOS, debido a las siguientes ventajas de los transistores de efecto de campo con respecto a
los transistores bipolares:

• Consumo en modo estático muy bajo.


• Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra).
• Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.
• Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tienen una
impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta se expresa en
nano amperios.
• Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, lo que
conlleva a un ahorro de superficie.
• La velocidad de conmutación es muy alta, siendo expresada en nanosegundos.
Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja
potencia.

ESCALAMIENTO DEL MOSFET

Las dimensiones más importantes en un transistor MOSFET son la longitud del canal (L) y el ancho
de la puerta (W). En un proceso de fabricación se pueden ajustar estos dos parámetros para
modificar el comportamiento eléctrico del dispositivo. La longitud del canal (L) se utiliza además
para referirse a la tecnología con la cual fue fabricado el componente electrónico.

El MOSFET ha sido escalado continuamente para reducir su tamaño por varias razones. El motivo
principal es que se pueden poner más transistores en una misma área superficial, aumentando la
densidad de integración y la potencia de cálculo de los microprocesadores.

DIFICULTADES EN LA REDUCCIÓN DE TAMAÑO DEL MOSFET

Algunos de los factores que limitan el escalamiento del MOSFET son las siguientes:

• Aumento de la corriente de subumbral


• Aumento en las fugas puerta-óxido
• Aumento en las fugas de las uniones fuente-sustrato y drenador-sustrato
• Reducción de la resistencia de salida
• Reducción de la transconductancia
• Capacitancia de interconexión
• Producción y disipación de calor
• Variaciones en el proceso de fabricación
• Retos en el modelado matemático
PRACTICA 2 – MOSFET IRF 740

• Uso en UPS's, SMPS's, balastos, conmutación (suicheo) de alta velocidad, etc.


• Canal N
• VDSS=400 V, RDS (on)=0.54 Ω, ID=10 A, PW=134 W, VGS=±30 V, IAR=10 A
• Capacidad dV/dt mejorada
• Capacitancia, voltaje y corriente de avalancha totalmente caracterizados
• Carga de compuerta baja garantiza un manejo sencillo. 41 nC típica
PROCEDIMIENTO:

Características de transferencia

1. Realice el montaje del circuito de la anterior figura.

2. Ajuste VDS=10V variando V1, mantenga R1 ligeramente mayor a ¼ del valor total.

3. V2 debe estar en cero voltios ahora cambie el valor de VGS variando el valor de V2. (mantenga
R2 en el valor mínimo) y observe como cae el valor de VDS cada 0.5V de variación del voltaje VGS,
llevando VGS a 5V.

4. Repita los pasos anteriores para diferentes valores con


VDS2 = 12V. VDS3 = 15V

Voltaje umbral = 4.6 V = Vth

V1 = VDS1 = 10V
VGS V IDS (mA)
0v 0 mA
1v
2v 0 mA
3v
4v 0 mA
5v
6v 1.23 mA
7v
8v 1.23 mA

V1 = VDS2 = 15 V ó 12V
VGS V IDS (mA)
0v 0 mA
1v
2v 0 mA
3v
4v 0 mA
4.6v 0.04 mA
6v 1.97 mA
7v
8v 1.97 mA
CARACTERÍSTICAS DE DRENAJE:

5. Ajustar el VG variando el valor de V2 a VTH - threshold voltaje (Voltaje umbral)


6. Variar VGS cambiando el valor de V2 en variaciones de 0.5V y anote el valor de IDS. (hasta que
IDS sea constante)
7. Repetir los pasos anteriores para diferentes valores de VGS2 = VTH ± 0.1V.
8. Llenar la tabla.

VGS =VGS1 = VTH = 4.6 V


VDS V IDS (mA)
0v 0 mA
1v
2v 0.06 mA
3v
4v 0.07 mA
5v
6v 0.07 mA
7v
8v 0.07 mA

VGS =VGS2 = VTH +- 0.1V = 4.7 V


VDS V IDS (mA)
0v 0 mA
1v
2v 0.07 mA
3v
4v 0.1 mA
5v
6v 0.1 mA
7v
8v 0.1 mA

Pregunta: ¿Por qué los MOSFET no son implementados en aplicaciones de elevadas potencias?

Por su disipación de Calor, además el mosfet su principal aplicación es en saturación y corte,


SIMULACION PROTEUS.
FOTOGRAFICO
PRACTICA 3

ELECTRONICA POTENCIAL
LABORATORIO SECCION 3

ALEXIS PEDROZA - 67032716

TUTOR:

Grupo: 203055_13

UNIVERSIDAD ABIERTA Y A DISTANCIA (UNAD)


CEAD PALMIRA
INGENIERIA ELECTRONICA
2019
PRACTICA 3 – IGBT.

El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated
Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que se aplica como interruptor
controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las
características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la
capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando
una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor
en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras
que las características de conducción son como las del BJT.

• Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta
entonces, en particular en los variadores de frecuencia, así como en las
aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y
Sistemas de Alimentación Ininterrumpida, entre otras aplicaciones.
• El transistor IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 100 kHz
y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones.
• Es usado en aplicaciones de altas y medias energía como fuente conmutada,
control de la tracción en motores y cocina de inducción.
• Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión.
• La tensión de control de puerta es de unos 15 V.
• Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal
eléctrica de entrada muy débil en la puerta.
• Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido.
• Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la
corriente de base para mantenerse en conducción.
• Sin embargo, las corrientes transitorias de conmutación de la base pueden ser
igualmente altas.
• En aplicaciones de electrónica de potencia es intermedio entre los tiristores y los
MOSFET.
• Maneja más potencia que los segundos siendo más lento que ellos y lo inverso
respecto a los primeros.1
https://www.youtube.com/watch?v=3jfzggtD17I

1
Tomado de https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_IGBT
IGBT – IRG4BC10U:
PRACTICA 3:

SIMULACION EN PROTEUS:
TOMA DE DATOS: VGE – VCE – IC

PRACTICA IGBT
% VGE (V2) VCE (V1) Ic
3% 0,45 10,2 0,21 uA
6% 0,9 10,2 0,21 uA
9% 1,35 10,2 0,21 uA
12% 1,8 10,2 0,21 uA
15% 2,25 10,2 0,21 uA
18% 2,7 10,2 0,21 uA
21% 3,15 10,2 0,21 uA
24% 3,6 10,2 0,21 uA
27% 4,05 10,2 0,21 uA
30% 4,5 10,2 0,21 uA
33% 4,95 10,2 0,21 uA
5,1 5,29 2,21 mA
5,25 0,84 v 4,22 mA
36% 5,4 0,83 v 4,23 mA
39% 5,85 0,81 v 4,23 mA
42% 6,3 0,81 v 4,24 mA
45% 6,75 0,81 v 4,24 mA
48% 7,2 0,81 v 4,24 mA
51% 7,65 0,81 v 4,24 mA
54% 8,1 0,81 v 4,24 mA
57% 8,55 0,81 v 4,24 mA
60% 9 0,81 v 4,24 mA
63% 9,45 0,81 v 4,24 mA
66% 9,9 0,81 v 4,24 mA
69% 10,35 0,81 v 4,24 mA
72% 10,8 0,81 v 4,24 mA
75% 11,25 0,81 v 4,24 mA
78% 11,7 0,81 v 4,24 mA
81% 12,15 0,81 v 4,24 mA
84% 12,6 0,81 v 4,24 mA
87% 13,05 0,81 v 4,24 mA
90% 13,5 0,80 v 4,24 mA
93% 13,95 0,80 v 4,24 mA
96% 14,4 0,80 v 4,24 mA
99% 14,85 0,80 v 4,24 mA
PRACTICA IGBT Ic
0,0049995
0,0044995
0,0039995
0,0034995
IC - AMPERIOS

0,0029995
0,0024995
0,0019995 PRACTICA IGBT Ic
0,0014995
0,0009995
0,0004995
-5E-07
0 2 4 6 8 10 12 14 16
VGE(V2) VOLTIOS

El voltaje mínimo VGE = VTH = 5.25V


R1 = 4k al 50% = 2k
R = 75 ohmios
RT = 2000 + 75 = 2075 ohmios
V1= 10.2 Voltios
𝑣 10.2
Ic = 𝑅1 = = 𝟒. 𝟗𝟏𝟔 ∗ 𝟏𝟎−𝟑 𝐨𝐡𝐦𝐢𝐨𝐬
𝑇 2075

https://www.youtube.com/watch?v=p-GPMwxqY18
Idss = Corriente de Drenaje a la fuente con una conexión de cortocircuito Cuando
el Vds aumenta desde cero hasta unos cuantos voltios la corriente Id aumenta.
Mientras más horizontal es la curva, mayor es la resistencia y si Vds aumenta hasta
donde parece que las dos regiones de agotamiento se tocan resulta la condicion de
ESTRECHAMIENTO.
Aumento de la resistencia debido al estrechamiento del canal Idss 0 Vp Vds Nivel
de saturación Vgs=0V Resistencia canal N Id
Mientras Vds se incrementa mas alla de Vp, la región del encuentro cercano entre
las dos regiones de agotamiento se incrementa pero el nivel de Id permanece
constante. Por lo tanto una vez que Vds > Vp, el J’FET tiene las características de
una fuente de corriente.
Idss es la corriente máxima de drenaje para un J’FET y esta definida mediante las
condiciones de Vgs= 0 V y Vds > I Vp I
Esta condición se lo conoce como Voltaje de Estrechamiento o Vp (PINCH OFF)2

2
Tomado de https://es.slideshare.net/armandorob/electronica-transitores-efecto-de-cambio
Inicialmente ajuste el valor de V2 hasta que el VGE sea 5V o mayor o igual al VTH y
V1 hasta que VCE = 10V.

V2=6v

Voltios voltios mA
V1 VCE IC
10 0,82 4,490E-03
12,3 0,84 5,500E-03
14,3 0,86 6,500E-03
16,4 0,88 7,490E-03
18 0,89 8,240E-03
20 0,9 9,230E-03
22,1 0,91 1,020E-02
24,2 0,92 1,120E-02
26,3 0,93 1,220E-02
28,5 0,94 1,330E-02
30,1 0,95 1,410E-02
32,4 0,96 1,510E-02
34,1 0,97 1,600E-02
36,4 0,98 1,710E-02
38,2 0,98 1,790E-02
40,1 0,99 1,880E-02
42 1 1,980E-02
44 1 2,070E-02
46 1,01 2,170E-02
48,1 1,02 2,270E-02
50,3 1,03 2,370E-02
52,6 1,03 2,480E-02
54,1 1,04 2,560E-02
56,6 1,04 2,680E-02
58,3 1,05 2,760E-02
60 1,05 2,840E-02

https://www.youtube.com/watch?v=hdcRK6_jK9A

https://www.youtube.com/watch?v=Ln9KuOA0h-4