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CONCEPTO
Así, un transistor puede describirse como: silicio, de montaje superficial, BJT, NPN, de
baja potencia, el interruptor de alta frecuencia, de propósito general.
ESTRUCTURAS DE LOS TRANSISTORES
BJT
El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar
Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo
electrónico de estado sólido consistente en dos uniones
PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso Para ver esta pelcula, debe
disponer de QuickTimeª y de
un descompresor .
de la corriente a través de sus terminales. Los
transistores bipolares se usan generalmente en
electrónica analógica. También en algunas aplicaciones
de electrónica digital como la tecnología TTL (Del
acrónimo en Inglés de Transistor-Transistor Logic o "Lógica Transistor a Transistor") o
BICMOS. Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo
cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta forma quedan
formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor.
La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento
normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en
inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, que por ser
muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. El
transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado
de actividad.
JFET
El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español
transistor de efecto de campo de unión) es un circuito
que, según unos valores eléctricos de entrada,
reacciona dando unos valores de salida. En el caso de
los JFET, al ser transistores de efecto de campo
eléctrico, estos valores de entrada son las tensiones
eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales
S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la
salida del transistor presentará una curva característica que se simplifica definiendo en
ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación.
Físicamente, un JFET de los denominados canal
n está formado por una pastilla de
semiconductor tipo P en cuyos extremos se
sitúan dos patillas de salida (drenador y fuente)
flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo
N en las que se conectan dos terminales
conectados entre sí (puerta). Al aplicar una
tensión negativa (en inversa) VGS entre puerta
y fuente, las zonas N crean a su alrededor
sendas zonas en las que el paso de electrones
(corriente ID) queda cortado, llamadas zonas de
exclusión. Cuando esta VGS sobrepasa un valor
determinado, las zonas de exclusión se
extienden hasta tal punto que el paso de
electrones ID entre fuente y drenador queda
completamente cortado. A ese valor de VGS se
le denomina Vp. Para un JFET canal p las zonas
p y n se invierten, y las VGS y Vp son positivas,
cortándose la corriente para tensiones mayores
que Vp.
IGFET
Transistor de efecto de campo con electrodo de control aislado o "Insulated Gate FET"
(IGFET), se caracteriza por tener el gate aislado del canal por una capa de oxido de
silicio.
DMOS (MOS de Doble Difusión), que presenta un canal de corta longitud para permitir
muy altas velocidades de conmutación, gracias al breve tiempo de transito de los
portadores por el citado canal.
Una segunda clasificación tiene en cuenta la conductancia del canal cuando al gate no se
le aplica ninguna tensión. Asi se tiene:
Figura 4 Figura 5
Por último, por la naturaleza del canal conductor, los transistores de efecto de campo
pueden ser de dos tipos:
FET de Canal P: Los portadores mayoritarios que circulan por el canal son lagunas.
FET de Canal N: Los portadores que circulan por el canal son electrones.
Un MOS de canal P o "PMOS" se indica con una flecha dirigida hacia el sustrato,
señalando que el mismo es de tipo N (figura 4), aunque el canal será de tipo P. Del
mismo modo, un MOS tipo N o "NMOS" se indica con una flecha saliendo del sustrato
(figura 5).
En los circuitos digitales integrados se emplean los IGFET, que reúnen las propiedades
enunciadas. En conmutación se prefiere el FET de "enriquecimiento", que conduce
corriente solo cuando la tensión aplicada al gate supera cierto nivel. Con referencia a la
velocidad de conmutación, los NMOS son mas rápidos que los PMOS, puesto que la
movilidad de los electrones es mas que el doble de la de las lagunas.
IGBT
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar
Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como
interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia.
Los transistores IGBT han permitido desarrollos hasta entonces no viables en particular
en los Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en maquinas eléctricas y
convertidores de potencia que nos acompañan cada día y por todas partes, sin que
seamos particularmente conscientes de eso: automóvil, tren, metro, autobús, avión,
barco, ascensor, electrodoméstico, televisión, Sistemas de Alimentación Ininterrumpida,
etc.
NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P"
se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a
que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.
PNP
El otro tipo de transistor bipolar de juntura es el PNP con las letras "P" y "N"
refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor.
Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor
desempeño en la mayoría de las circunstancias.
Materiales semiconductores
Las primeras BJTs fueron hechas de germanio (Ge) y algunos tipos de alta potencia
todavía están hechos con este material, otros tipos son de Silicio (Si), pero actualmente
predominan ciertos materiales avanzados de microondas de alto rendimiento y las
versiones ahora emplean el compuesto material semiconductor de arseniuro de galio
(GaAs) y la aleación de semiconductores de silicio y germanio (SiGe). Siendo estos
materiales elementales para fabricación de semiconductores (Ge y Si).
Movilidad de Temperatura
Voltaje Movilidad de
Material electrones maxima de
V @ 25 huecos
Semiconductor m²/(V·s) @ 25 aleacion
°C m²/(V·s) @ 25 °C
°C °C
Ge 0.27 0.39 0.19 70 a 100
Si 0.71 0.14 0.05 150 a 200
GaAs 1.03 0.85 0.05 150 a 200
Al-Si 0.3 -- -- 150 a 200
NOMENCLATURA
o PROELECTRON (Europea)
o JEDEC (Joint Electronic Devices Engineering Council) (Estados Unidos)
o JIS (Japanese Industrial Standards) (Japon)
PROELECTRON
Consta de dos letras y tres cifras para los componentes utilizados en radio, televisión y
audio o de tres letras y dos números para dispositivos industriales. La primera letra
precisa el material del que está hecho el dispositivo y la segunda letra el tipo de
componente. El resto del código, números generalmente, indica la aplicación general a
la que se aplica. Para la identificación de estos dispositivos se utiliza la tabla siguiente:
Ejemplos:
Los fabricantes japoneses utilizan el código regulado por la JIS (Japanese Industrial
Standards), que consta de un número, dos letras y número de serie (este último sin
ningún significado técnico). El número y letras tienen el siguiente significado:
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar
http://es.wikipedia.org/wiki/JFET
http://www.simbologia-electronica.com/simbolos/trfet.htm
http://www.pablin.com.ar/electron/cursos/fet1/index.htm
http://es.wikipedia.org/wiki/Tecnolog%C3%ADa_TTL
http://www.unicrom.com/Tut_transistor_bipolar.asp
http://www.elprisma.com/apuntes/ingenieria_electrica_y_electronica/transistores/
http://www.pablin.com.ar/electron/cursos/trpot/index.htm
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_IGBT
http://perso.wanadoo.es/chyryes/glosario/transnpn.htm
http://perso.wanadoo.es/chyryes/glosario/transpnp.htm
http://www.iies.es/profesionales/telecom/urogallo/Diodo.htm
http://electronred.iespana.es/diodo.htm
http://profesormolina2.webcindario.com/tutoriales/diodo.htm
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo