Introducción

Explicación de la sigla MOSFET y sus componentes principales: Metal (metal), Óxido

(óxido), Semiconductor (semiconductor) y Transistor (transistor).
La sigla MOSFET significa Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-
Semiconductor (en inglés, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Se
trata de un tipo de transistor que utiliza una estructura de tres capas fundamentales:
metal, óxido y semiconductor.

Metal (metal): El MOSFET tiene una capa de metal en su estructura. Este metal se
utiliza como terminal de control, conocido como "gate" o "puerta". La puerta se
encuentra aislada del canal de conducción por una capa de óxido y controla el flujo
de corriente en el dispositivo.

Óxido (óxido): El óxido se refiere a una capa aislante que se coloca entre el metal
(puerta) y el semiconductor. El óxido de silicio (SiO2) es el material más
comúnmente utilizado para esta capa. Actúa como un aislante dieléctrico que
separa físicamente la puerta del canal de conducción.

Semiconductor (semiconductor): El semiconductor es la parte principal del MOSFET

y está hecho de un material como el silicio. Se compone de tres regiones
principales: el canal de conducción, la región de enriquecimiento (o región de
agotamiento) y la región de depleción. El canal de conducción es la región entre el
drenador (terminal de salida) y la fuente (terminal de entrada) del transistor. Cuando
se aplica un voltaje adecuado a la puerta, se crea un campo eléctrico en el óxido, lo
que modifica el nivel de conducción del canal y permite el flujo de corriente a través
del transistor.

-
Fundamentos de los MOSFET

Explicación del principio de funcionamiento de un MOSFET, incluyendo la estructura básica

y los componentes clave (puerta, fuente, drenador, canal).

El MOSFET (Transistor de Efecto de Campo de Óxido de Metal Semiconductor) es un

dispositivo electrónico que controla el flujo de corriente mediante el uso de un
campo eléctrico generado por la tensión aplicada en su terminal de compuerta. El
principio de funcionamiento se basa en la modulación del canal de conducción, que
está separado del sustrato por una capa aislante de óxido.

La estructura básica de un MOSFET consta de los siguientes componentes clave:

1. Compuerta (Gate): Es el terminal de entrada del MOSFET y está separado del

canal por una fina capa de óxido. La compuerta controla el flujo de corriente
entre los terminales de fuente y drenador mediante la aplicación de una
tensión. Cuando se aplica una tensión adecuada a la compuerta, se crea un
campo eléctrico que modula la conductividad del canal.
 2. Fuente (Source): Es el terminal a través del cual entra la corriente al MOSFET.
El voltaje de la fuente está conectado al sustrato semiconductor.
3. Drenador (Drain): Es el terminal a través del cual sale la corriente del MOSFET.
El voltaje del drenador está conectado al sustrato semiconductor.
4. Canal (Channel): Es la región en el sustrato semiconductor entre los
terminales de fuente y drenador. El canal puede ser de tipo N (MOSFET de
canal N) o de tipo P (MOSFET de canal P), dependiendo del dopaje del
sustrato. El canal es el camino a través del cual fluye la corriente cuando el
MOSFET está encendido.

El principio de funcionamiento se basa en la modulación del canal de conducción

por medio del campo eléctrico generado por la tensión aplicada en la compuerta.
Cuando no se aplica tensión en la compuerta (o la tensión es insuficiente), no hay
canal de conducción entre los terminales de fuente y drenador, y el MOSFET está en
estado de apagado. Sin embargo, cuando se aplica una tensión adecuada en la
compuerta, se forma un campo eléctrico que atrae o repulsa los portadores de carga
(electrones o huecos) en el sustrato, creando un canal de conducción entre los
terminales de fuente y drenador.

En un MOSFET de canal N, una tensión positiva aplicada en la compuerta atrae

electrones al canal de conducción, permitiendo que fluya la corriente desde el
terminal de fuente hacia el terminal de drenador. En cambio, en un MOSFET de canal
P, una tensión negativa aplicada en la compuerta atrae huecos al canal de
conducción, permitiendo el flujo de corriente desde el terminal de drenador hacia el
terminal de fuente.

El control de la tensión en la compuerta permite regular el flujo de corriente a través

del canal, actuando como un interruptor o amplificador dependiendo de la
aplicación. La resistencia del canal (o la conductancia) se puede variar mediante la
tensión aplicada en la compuerta, lo que proporciona control sobre la corriente que
fluye a través del MOSFET.

El Mosfet controla el paso de la corriente entre una entrada o

terminal llamado fuente sumidero (source) y una salida o terminal
llamado drenador (drain), mediante la aplicación de una tensión
(con un valor mínimo llamada tensión umbral) en el terminal
llamado puerta (gate).Es un interruptor controlado por tensión.
Al aplicar tensión conduce y cuando no hay tensión en la puerta no
conduce.El transistor de efecto de campo se comporta como un
interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta
permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.

El movimiento de carga se produce exclusivamente por la existencia de

campos eléctricos en el interior del dispositivo.
Descripción de los tipos de MOSFET más comunes: MOSFET de canal N y MOSFET de
canal P.
Los dos tipos más comunes de MOSFET son los MOSFET de canal N y los MOSFET
de canal P. Estos se diferencian principalmente en la polaridad de los portadores de
carga que se utilizan para la conducción de corriente. Aquí tienes una descripción de
cada uno:

- MOSFET de canal N: En un MOSFET de canal N, el canal de conducción se

forma mediante un dopaje de impurezas de tipo N en un sustrato de material
semiconductor de tipo P. El terminal de compuerta se utiliza para controlar la
región de agotamiento y la formación del canal de conducción en el sustrato.
Cuando se aplica una tensión positiva al terminal de compuerta con respecto
al sustrato, se forma un campo eléctrico que atrae a los portadores de carga
negativos (electrones) hacia la región del canal, permitiendo así la
conducción de corriente entre los terminales de fuente y drenaje. El MOSFET
de canal N es comúnmente utilizado en aplicaciones de bajo voltaje y se
caracteriza por una baja resistencia de encendido.
- MOSFET de canal P: En un MOSFET de canal P, el canal de conducción se
forma mediante un dopaje de impurezas de tipo P en un sustrato de material
semiconductor de tipo N. Al igual que en el MOSFET de canal N, el terminal de
compuerta controla la formación y el cierre del canal de conducción. Sin
embargo, en este caso, se aplica una tensión negativa al terminal de
compuerta con respecto al sustrato para atraer los portadores de carga
positivos (huecos) hacia la región del canal y permitir la conducción de
corriente entre los terminales de fuente y drenaje. El MOSFET de canal P es
comúnmente utilizado en aplicaciones de alto voltaje y se caracteriza por una
alta resistencia de encendido.

- Explicación del modo de operación de los MOSFET: corte, triodo o resistencia lineal,
y saturación.

Regiones de operación.
Cuando ya existe canal inducido y VDS va aumentando, el canal se
contrae en el lado del Drenador, ya que la diferencia de potencial
Puerta-canal es en ese punto, más baja y la zona de transición más
ancha. Es decir, siempre que exista canal estaremos en región
óhmica y el dispositivo presentará baja resistencia.
 La operación de un transistor MOSFET se puede dividir en tres
regiones de operación diferentes, dependiendo de las tensiones en
sus terminales. Para un transistor MOSFET N de enriquecimiento
se tienen las siguientes regiones: región de corte, región óhmica
y región de saturación.

Región de corte.
El transistor estará en esta región, cuando VGS < Vt. En estas
condiciones el transistor MOSFET, equivale eléctricamente a un
circuito abierto, entre los terminales del Drenador-Surtidor. De
acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región, el
dispositivo se encuentra apagado. No hay conducción entre
Drenador y Surtidor, de modo que el MOSFET se comporta como
un interruptor abierto.

Región óhmica.
Cuando un MOSFET está polarizado en la región óhmica, el valor
de RDS(on) viene dado por la expresión:

VDS(on) = ID(on) x RDS(on)

En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de R DS(on) a una

corriente de Drenaje (ID) específica y el voltaje Puerta-Surtidor.

Por ejemplo, si VDS(on)=1V y ID(on)=100mA = 0’1 A; entonces,

 Rds(on)= 1V = 10 Ohms
100mA

Así mismo, el transistor estará en la región óhmica, cuando VGS >

Vt y VDS < ( VGS – Vt ).

El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el

Drenador y Surtidor. El valor de esta resistencia varía dependiendo
del valor que tenga la tensión entre la Puerta y el Surtidor (VGS).

Región de Saturación.
El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento
cuando la tensión entre el Drenador y el Surtidor (V DS) supera un
valor fijo denominado tensión de saturación (Vds sat) Drenador-
Surtidor; este valor viene determinado en las hojas características
proporcionadas por el fabricante. En esta zona, el MOSFET
mantiene constante su corriente de Drenador (ID),
independientemente del valor de tensión que haya entre el
Drenador y el Surtidor (VDS). Por lo tanto, el transistor equivale a un
generador de corriente continua de valor ID.

Los MOSFET pueden operar en tres modos principales: corte, triodo (o resistencia
lineal) y saturación. Estos modos de operación se refieren a las diferentes regiones
de voltaje y corriente en las que puede encontrarse el MOSFET, y afectan su
comportamiento y características de conducción. A continuación se explica cada
uno de ellos:

1. Modo de corte: En el modo de corte, el MOSFET se encuentra en un estado de

apagado, donde no hay flujo de corriente entre los terminales de fuente y
drenador. Esto ocurre cuando la tensión aplicada en la compuerta es menor
que el umbral de voltaje (Vth) del MOSFET. En esta situación, el canal de
conducción está cerrado y no se establece una conexión conductora entre los
 terminales de fuente y drenador. El MOSFET actúa como un interruptor
abierto, sin permitir el paso de corriente.
2. Modo triodo o resistencia lineal: En el modo triodo, el MOSFET opera en una
región lineal donde el canal de conducción se forma parcialmente y la
corriente entre los terminales de fuente y drenador es proporcional a la
tensión aplicada en la compuerta. En este modo, la tensión de la compuerta
es mayor que el umbral de voltaje (Vth) del MOSFET, pero no lo
suficientemente alta como para establecer una conducción completa. El
MOSFET actúa como una resistencia controlada por la tensión de la
compuerta y la tensión entre los terminales de fuente y drenador. La corriente
a través del MOSFET se regula mediante la variación de la tensión en la
compuerta.
3. Modo de saturación: En el modo de saturación, el MOSFET se encuentra en
un estado completamente encendido, donde hay un flujo de corriente máximo
entre los terminales de fuente y drenador. Esto ocurre cuando la tensión
aplicada en la compuerta es mayor que el umbral de voltaje (Vth) del MOSFET
y se establece una conducción completa en el canal. En este modo, el
MOSFET actúa como un interruptor cerrado con una resistencia muy baja,
permitiendo el flujo máximo de corriente. La corriente a través del MOSFET se
determina principalmente por la resistencia del canal y la tensión entre los
terminales de fuente y drenador.

El modo de operación del MOSFET depende de la tensión aplicada en la compuerta y

la relación entre esa tensión y el umbral de voltaje (Vth) del MOSFET. Al controlar la
tensión en la compuerta, es posible cambiar el MOSFET entre los modos de corte,
triodo y saturación, lo que permite su uso en diversas aplicaciones, desde
interruptores de potencia hasta amplificadores de señal. Cada modo tiene sus
propias características de conducción y puede ser utilizado de manera eficiente
según los requisitos específicos del circuito.

Características y parámetros

- Descripción de los parámetros y características importantes de los MOSFET, como

la tensión de umbral (Vth), corriente de drenador, resistencia de encendido
(RDS(on)), capacidad de carga (Ciss, Coss, Crss), entre otros.

Parámetros y características importantes de los MOSFET:

 1. Tensión de umbral (Vth): Es la tensión mínima que se debe aplicar a la
compuerta del MOSFET para que empiece a conducir corriente. Es un
parámetro importante, ya que determina el punto de encendido del MOSFET.
2. Corriente de drenador (Id): Es la corriente que fluye desde el terminal del
drenador hacia el terminal de la fuente cuando el MOSFET está encendido.
3. Resistencia de encendido (RDS(on)): Es la resistencia que presenta el
MOSFET cuando está completamente encendido. Es una medida de la
eficiencia de conducción del MOSFET y afecta las pérdidas de potencia y la
disipación de calor.
4. Capacidad de entrada (Ciss): Es la capacidad total entre el terminal de la
compuerta y los terminales de la fuente y el drenador del MOSFET.
Representa la carga capacitiva que debe suministrarse para cambiar el
estado de la compuerta.
5. Capacidad de salida (Coss): Es la capacidad entre el terminal de drenador y el
terminal de la compuerta del MOSFET. Representa la carga capacitiva que
debe ser descargada cuando el MOSFET cambia de estado.
6. Capacidad de transferencia (Crss): Es la capacidad entre el terminal de
drenador y el terminal de la fuente del MOSFET. Representa la carga
capacitiva que debe ser transferida cuando el MOSFET cambia de estado.
7. Tiempo de conmutación: Se refiere al tiempo que tarda el MOSFET en
cambiar entre los estados de encendido y apagado. Incluye el tiempo de
encendido (turn-on) y el tiempo de apagado (turn-off), que dependen de la
capacidad de carga y descarga de las capacidades del MOSFET.
8. Máxima tensión de drenador-fuente (Vds): Es la máxima diferencia de
potencial que puede aplicarse entre los terminales del drenador y la fuente sin
dañar el MOSFET.
9. Máxima corriente de drenador (Idm): Es la máxima corriente que puede fluir a
través del MOSFET sin dañarlo.
10. Eficiencia energética: Es una medida de la eficiencia con la que el MOSFET
convierte la energía eléctrica en la aplicación deseada. Una baja resistencia
de encendido (RDS(on)) y una baja caída de tensión en el MOSFET ayudan a
mejorar la eficiencia energética.

Estos son solo algunos de los parámetros y características importantes de los

MOSFET. La selección y optimización de estos parámetros dependen de las
necesidades específicas de la aplicación en la que se utilice el MOSFET, como la
potencia requerida, la frecuencia de conmutación y otros requisitos de rendimiento.

Aplicaciones de los MOSFET

- Presentación de las diversas aplicaciones en las que se utilizan los MOSFET, como
fuentes de alimentación conmutadas, inversores de potencia, amplificadores de
audio, controladores de motores, etc.
Los MOSFET son ampliamente utilizados en una variedad de aplicaciones debido a
sus características y capacidades. Algunas de las aplicaciones comunes en las que
se utilizan los MOSFET incluyen:
 1. Fuentes de alimentación conmutadas: Los MOSFET se utilizan en
convertidores de potencia, como los reguladores de conmutación, que
proporcionan una alta eficiencia en la conversión de energía eléctrica en
fuentes de alimentación.
2. Inversores de potencia: Los MOSFET son componentes clave en los
inversores de potencia utilizados en sistemas de energía solar y sistemas de
alimentación ininterrumpida (UPS). Estos dispositivos convierten la corriente
continua en corriente alterna, lo que permite alimentar dispositivos de CA a
partir de una fuente de CC.
3. Amplificadores de audio: Los MOSFET se utilizan en etapas de amplificación
de audio debido a su capacidad para manejar altas corrientes y altas
frecuencias. Se utilizan en amplificadores de potencia para proporcionar una
salida de audio de alta calidad.
4. Controladores de motores: Los MOSFET se emplean en controladores de
motores para aplicaciones de accionamiento eléctrico, como motores de
corriente continua (DC) y motores de corriente alterna (AC). Permiten un
control preciso de la velocidad y dirección del motor.
5. Conversores de frecuencia: Los MOSFET se utilizan en convertidores de
frecuencia para controlar la velocidad de motores de CA, como los motores
trifásicos. Estos convertidores se encuentran en aplicaciones como sistemas
de climatización, bombas de agua y sistemas de control de velocidad.
6. Electrónica de conmutación de alta velocidad: Los MOSFET de conmutación
rápida se utilizan en aplicaciones de conmutación de alta frecuencia, como en
conmutadores electrónicos de alta velocidad y circuitos de conmutación para
telecomunicaciones y equipos de redes.
7. Sistemas de iluminación: Los MOSFET se utilizan en aplicaciones de
iluminación LED, donde se requiere un control preciso de la corriente para
regular el brillo y la intensidad lumínica.

Estas son solo algunas de las aplicaciones en las que se utilizan los MOSFET.
Debido a su versatilidad, eficiencia y capacidad de conmutación rápida, se
encuentran en una amplia gama de dispositivos y sistemas electrónicos en diversas
industrias, incluyendo la electrónica de consumo, la automoción, las
telecomunicaciones, la energía renovable y muchos otros campos.

La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo

CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios. Las
aplicaciones de MOSFET discretos más comunes son: - Resistencia controlada por
tensión. - Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc.). -
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

- Ejemplos específicos de aplicaciones destacadas y casos de uso relevantes.

-
Algunos ejemplos específicos de aplicaciones destacadas y casos de uso relevantes
para los MOSFET:

- Convertidores DC-DC: Los MOSFET se utilizan en convertidores DC-DC, como

los reguladores de voltaje de conmutación (switching voltage regulators).
 Estos convertidores se utilizan en una amplia gama de dispositivos
electrónicos, como teléfonos móviles, computadoras portátiles y sistemas de
alimentación para proporcionar una eficiente conversión de voltaje.
- Sistemas de energía solar: En los sistemas de energía solar, los MOSFET se
utilizan en inversores solares, que convierten la energía solar de corriente
continua en corriente alterna utilizable para alimentar hogares y edificios. Los
MOSFET permiten un control preciso de la potencia y la eficiencia en la
generación de energía solar.
- Sistemas de propulsión eléctrica en automóviles: Los MOSFET se utilizan en
controladores de motor y sistemas de propulsión eléctrica en vehículos
eléctricos e híbridos. Estos sistemas requieren MOSFET de alta potencia y
alta eficiencia para controlar y regular la energía eléctrica en los motores de
tracción.
- Amplificadores de audio de alta fidelidad: Los MOSFET se utilizan en
amplificadores de audio de alta fidelidad para proporcionar una amplificación
de señal precisa y de alta calidad. Estos amplificadores se encuentran en
sistemas de audio profesionales, equipos de alta gama para el hogar y
sistemas de sonido en eventos.
- Conmutadores electrónicos de alta velocidad: Los MOSFET se utilizan en
conmutadores electrónicos de alta velocidad, como enrutadores y
conmutadores de redes de telecomunicaciones. Estos dispositivos requieren
MOSFET de conmutación rápida para gestionar grandes volúmenes de datos
y asegurar una conmutación eficiente y confiable.
- Sistemas de iluminación LED: Los MOSFET se utilizan en controladores de
corriente constante para sistemas de iluminación LED. Estos controladores
permiten un control preciso de la corriente que alimenta los LEDs, lo que
garantiza una iluminación estable, eficiente y duradera en aplicaciones como
iluminación arquitectural, iluminación de automóviles y pantallas LED.
- Sistemas de carga inalámbrica: Los MOSFET se utilizan en sistemas de carga
inalámbrica para dispositivos electrónicos, como teléfonos inteligentes y
relojes inteligentes. Estos sistemas utilizan MOSFET para regular y controlar
la transferencia de energía de forma inalámbrica, lo que permite una carga
conveniente y eficiente.

Ventajas y desventajas

- Enumeración de las ventajas de los MOSFET, como su alta eficiencia, baja potencia,
capacidad de conmutación rápida y control de tensión.

Aquí tienes una enumeración de las ventajas clave de los MOSFET:

1. Alta eficiencia: Los MOSFET ofrecen una alta eficiencia en la conmutación de

corriente. Tienen una resistencia de conducción muy baja, lo que significa que
generan una baja caída de voltaje cuando están completamente encendidos.
Esto reduce las pérdidas de energía y aumenta la eficiencia general del
sistema.
2. Baja potencia: Los MOSFET son dispositivos de baja potencia. Pueden
funcionar con corrientes y voltajes bajos, lo que los hace adecuados para
 aplicaciones que requieren un consumo de energía reducido. Esto es
especialmente útil en dispositivos portátiles y sistemas de baja potencia.
3. Capacidad de conmutación rápida: Los MOSFET son capaces de cambiar
rápidamente entre los estados de encendido y apagado. Esto se debe a su
estructura de compuerta aislada y su capacidad para controlar el flujo de
corriente a través del canal mediante la aplicación de una tensión en la
compuerta. La capacidad de conmutación rápida es esencial en aplicaciones
que requieren alta velocidad de conmutación, como convertidores de energía
y sistemas de comunicación.
4. Control de tensión: Los MOSFET ofrecen un control de tensión preciso
mediante el voltaje aplicado en la compuerta. Esto permite regular la corriente
y la tensión de salida de manera eficiente, lo que es crucial en aplicaciones de
potencia y sistemas de control.
5. Baja corriente de fuga: Los MOSFET tienen una corriente de fuga muy baja
cuando están apagados, lo que significa que la cantidad de corriente que
fluye a través del canal es insignificante. Esto ayuda a minimizar el consumo
de energía y mejora la eficiencia del sistema.
6. Protección contra sobrecarga y cortocircuitos: Los MOSFET pueden integrar
características de protección contra sobrecarga y cortocircuitos para
garantizar la seguridad y la integridad del sistema. Estas características
incluyen protección térmica, protección contra sobrecorriente y protección
contra sobretensión.

- Mención de las posibles desventajas, como la sensibilidad a la temperatura, la

necesidad de protección contra sobretensiones, y la posibilidad de daño por
descargas electrostáticas.

Si bien los MOSFET son componentes ampliamente utilizados y poseen muchas

ventajas, también presentan algunas posibles desventajas que es importante tener
en cuenta:

1. Sensibilidad a la temperatura: Los MOSFET pueden ser sensibles a cambios

bruscos de temperatura. Las altas temperaturas pueden afectar
negativamente su rendimiento y reducir su vida útil. Por lo tanto, es
importante tener en cuenta la disipación de calor y la gestión térmica
adecuada al diseñar sistemas que utilicen MOSFET.
2. Protección contra sobretensiones: Los MOSFET pueden ser sensibles a
sobretensiones en el circuito. Si se aplica una tensión más alta que la
especificada, puede dañar el MOSFET. Por lo tanto, se requiere una
protección adecuada contra sobretensiones, como el uso de diodos de
protección y circuitos de limitación de voltaje, para evitar daños en los
MOSFET.
3. Descargas electrostáticas (ESD): Los MOSFET son sensibles a las descargas
electrostáticas, que pueden ocurrir durante su manipulación o instalación.
Las descargas electrostáticas pueden dañar los componentes y afectar su
funcionamiento. Por lo tanto, se deben tomar precauciones adecuadas, como
utilizar dispositivos de protección ESD y técnicas de manejo adecuadas, para
evitar dañar los MOSFET durante su uso.
 4. Efectos de capacitancia: Los MOSFET tienen una serie de capacitancias
asociadas (como Ciss, Coss y Crss) que pueden afectar el rendimiento de los
circuitos en los que se utilizan. Estas capacitancias pueden generar pérdidas
de energía, ruido y afectar la respuesta en frecuencia del sistema. Por lo
tanto, es importante considerar y mitigar los efectos de capacitancia en el
diseño de circuitos con MOSFET.
5. Ruido térmico: Los MOSFET generan ruido térmico debido a las fluctuaciones
aleatorias de corriente en el canal. Este ruido puede afectar la calidad de la
señal en ciertas aplicaciones sensibles. En aplicaciones de bajo nivel de señal
o alta precisión, se deben tomar medidas adicionales para minimizar el
impacto del ruido térmico.

• La fina capa de óxido hace que los MOSFET sean vulnerables a daños
permanentes cuando son provocados por cargas electrostáticas.
• Los voltajes de sobrecarga lo hacen inestable.

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