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TECNOLOGIA MOS

Esta tecnologa llamada Metal Oxide Semiconductor (MOS), es implementada a partir de los transistores de efecto de campo, y que lo constituyen como dispositivos que dependen de un campo elctrico para el control de la corriente.

JFET y MOSFET; Dispositivos NMOS y PMOS

Existen los transistores JFET y los MOSFET, en ambos casos el principio de funcionamiento es el mismo, la nica diferencia radica en los parmetros de funcionamiento, su estructura y fabricacin ya que difieren entre ambas.

En un transistor de unin de efecto de campo, la seccin efectiva del canal est gobernada por un campo elctrico aplicado al canal a travs de una unin pn. Empleando un electrodo de puerta metlico separado del canal semiconductor por una capa de xido se obtiene un dispositivo de efecto de campo bsicamente distinto. Esta disposicin metalxido-semiconductor (MOS) permite controlar las caractersticas del canal por un campo elctrico creado al aplicar una tensin entre la puerta y el sustrato. Un dispositivo esta ndole se denomina MOSFET o transistor MOS. Son los transistores ms utilizados en el momento.

Existen dos tipos de transistores MOS. El MOSFET de deplexin cuyo comportamiento es similar al del JFET; y el llamado MOSFET de acumulacin, no acusa ninguna corriente cuando la tensin de puerta es nula, aumentando la corriente de salida al aumentar la tensin de puerta. Ambos tipos pueden ser de canal p o de canal n.

En la figura anterior se ven dos MOSFET de acumulacin (a) uno de canal n tambin llamado NMOS se ve que la fuente tipo n y el drenaje (tambien n) estn inmersos dentro de un sustrato tipo p y otro (b) de canal p tambin llamado PMOS se ve que la fuente tipo p y el drenaje (tambien p) estn inmersos dentro de un sustrato tipo n

Cuando se polariza adecuadamente la puerta, se inducen cargas en el sustrato, por debajo de la capa de dixido de silicio, estas cargas provienen de la fuente y del sustrato. Cuanto mayor es la polarizacin de la puerta mayor es la acumulacin de cargas, con lo que aumenta la corriente de drenaje. La polarizacin adecuada depende del transistor en el NMOS la fuente y el drenaje son materiales tipo n (exceso de electrones) luego se necesita electrones en el canal, esto se logra polarizando en forma positiva la puerta. Para el PMOS la tensin de polarizacin es negativa pues se necesita exceso de huecos.

Los PMOS tienden a desaparecer: Dado que la movilidad de los materiales tipo p es mucho menor que la de los tipo se requieren mayores tensiones en la puerta o mayor superficie de unin entre los materiales tipo n y p para lograr el mismo efecto (corrientes de igual valor que en los canales tipo n). Por ello es que los transistores de tipo PMOS tienden a desaparecer (salvo los que integran la tecnologa CMOS)

Las prestaciones del transistor MOSFET son similares a las del JFET, aunque su principio de operacin y su estructura interna son diferentes. Existen cuatro tipos de transistores MOS: Enriquecimiento de canal N

Enriquecimiento de canal P Empobrecimiento de canal N Empobrecimiento de canal P

La caracterstica constructiva comn a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de puerta (G) est formado por una estructura de tipo Metal/xido/Semiconductor. El xido es aislante, con lo que la corriente de puerta es prcticamente nula, mucho menor que en los JFET. Por ello, los MOS se emplean para tratar seales de muy baja potencia.

Los smbolos son:

De entre todos los tipos de transistores MOS existentes se va a analizar el principio de funcionamiento de dos de ellos: los NMOS de enriquecimiento y empobrecimiento.

NMOS de enriquecimiento.

Supongamos que se aplica una tensin VDS mayor que cero mientras que VGS se mantiene en cero. Al aplicar una tensin positiva a la zona N del drenaje, el diodo que forma ste con el sustrato P se polarizar en inversa, con lo que no se permitir el paso de corriente: el MOS estar en corte. Sigamos suponiendo, aplicamos un potencial VGS positivo, mientras mantenemos la VDS positiva tambin. La capa de aislante de la puerta es muy delgada, tanto que permite al potencial positivo aplicado repeler a los huecos y atraer a los electrones del material P. A mayor potencial aplicado, mayor nmero de electrones ser atrado, y mayor nmero de huecos repelido. La consecuencia de este movimiento de cargas es que debajo del terminal G se crea un canal negativo, de tipo N, que pone en contacto el drenaje con la fuente. Por este canal puede circular una corriente. Recapitulando, por encima de un valor positivo VGS = VTH se posibilita la circulacin de corriente ID (Figura 7.13). Nos encontramos ante una regin de conduccin lineal. Si el valor de VDS aumenta, la tensin efectiva sobre el canal en las proximidades del drenaje ( VGS - VDS ) va disminuyendo, con lo que el canal se estrecha en dicha zona, y se pierde la linealidad en la relacin ID - VDS. Finalmente se llega a una situacin de saturacin similar a la que se obtiene en el caso del JFET.

NMOS de empobrecimiento.

En este caso el canal ya est creado. Por lo tanto, si con VGS = 0 aplicamos una tensin VDS aparecer una corriente de drenaje I D. Para que el transistor pase al estado de corte ser necesario aplicar una tensin VGS menor que cero, que expulse a los electrones del canal.

MOSFET; Dispositivos CMOS En circuitos digitales integrados se emplea mucho un dispositivo compuesto de dos transistores FET: uno NMOS y otro PMOS. Estos transistores compuestos han ido adquiriendo importancia en su aplicacin en circuitos analgicos. La combinacin de

transistores NMOS y PMOS en un mismo chip se denomina MOS complementario o simplemente CMOS.

En el circuito de la figura, usado en aplicaciones digitales consta de un transistor NMOS (excitador) al que est conectado un transistor PMOS a manera de carga. Los terminales de puerta de ambos transistores estn conectados entre s. Supongamos que la tensin umbral VT es la misma para los dos e igual a VDD/2. Aplicando una tensin positiva V1 > VT simultneamente se cierra (ON) el transistor NMOS y se abre el PMOS. Al estar conectados en serie los terminales de drenaje y de fuente de los dos transistores no circula corriente alguna por el NMOS (por estar el PMOS cortado). Por lo tanto la tensin de salida es prcticamente nula. Como se ve en b Luego cuando se aplica una tensin de entrada negativa (o cero) el PMOS se cierra (pasa a ON) pero el NMOS se corta. Al estar cortado uno de los dos transistores no circula corriente por el circuito pero la tensin de salida ahora es VDD. Lo interesante de ste circuito es que slo hay consumo de energa en el momento de la conmutacin pero no en cualquiera de los dos estados.

VENTAJAS SOBRE OTRAS TECNOLOGIAS.

Actualmente, existen en el mercado una serie de puertas lgicas que utilizan elementos analgicos distintos a los ya vistos hasta ahora en los diodos y transistores. A continuacin, analizaremos estos componentes que se conocen por el nombre de transistores MOSFET.

Las principales diferencias entre los transistores de unin bipolar y los de efecto de campo son:

1.El funcionamiento de los de efecto de campo depende solamente de la circulacin de portadores mayoritarios, es decir, es un dispositivo unipolar.

2.-Los MOSFET son de fabricacin ms sencilla y ocupan menos espacio en su integracin; por lo que, en un mismo circuito integrado, cabe muchos ms transistores MOSFET que bipolares, con sus ventajas correspondientes.

3.-Los transistores de efecto de campo se pueden conectar como resistencia de carga y, en consecuencia, podemos encontrar un sistema digital formado nicamente con transistores MOSFET.

4.-Tienen un mayor fan-out o capacidad de salida, gracias a su elevada resistencia de entrada y muy bajo ruido.

5.-Pueden funcionar como memoria, en virtud de la acumulacin de cargas en pequeas capacidades.

6.-Los MOSFET tienen menos ruido que los transistores bipolares, aunque presentan una gran desventaja que consiste en que funcionan a menor velocidad que los bipolares; por ello, su principal aplicacin se realiza en dispositivos integrados a gran escala: las memorias, los registros de desplazamiento y los microprocesadores.

Para obtener un transistor de efecto de campo metal - xido - semiconductor es necesario, en un transistor de unin de efecto de campo, aplicar a su canal un campo elctrico a travs de un diodo p - n. Para ello se emplea un electrodo de puerta metlico separado del canal semiconductor por una capa de xido. Esta disposicin MOS o metal xido - semiconductor permite que un campo elctrico afecte al canal si se aplica una tensin externa entre puerta y sustrato.

Otra ventaja que tienen los MOSFET es que los resistores y condensadores se suplir con dispositivos MOS, por lo que la fabricacin de circuitos integrados con sta tecnologa se ha difundido tanto. Especialmente para sistemas integrados de muy gran escala (VLSI).