Ciclo 01/2017

Materia:
Fundamentos de Electrnica

Catedrtica:
Ing. Claudia Guadalupe Sandoval Vsquez

Tema de Investigacin:
MOSFET de Incremento e Inversor CMOS

Alumno:
Carlos Mauricio Muoz Rodas 201502136

La Libertad, 9 de junio de 2017

Objetivos

Objetivo General

Conocer el funcionamiento de los dispositivos electrnicos MOSFET de incremento

y el CMOS inversor.

Objetivo Especifico

Identificar las principales caractersticas del funcionamiento del CMOS y MOSFET

Conocer las principales aplicaciones de los MOSFET y los CMOS

Inversor CMOS

CMOS es una forma de circuitos de gran uso en

circuitos digitales y utiliza transistores MOSFET
tipo enriquecimiento tanto de canal n como de
canal p (Imagen 1). Este circuito MOSFET
complementario, o CMOS, utiliza transistores de
tipo opuesto (o complementarios). En donde La
entrada Vi se aplica a ambas compuertas con la
salida tomada de los drenajes conectados.
Imagen 1 (Boylestad & Nashelsky, 2009)

Construccin

Un dispositivo MOS se fabrica mediante la superposicin sucesiva en capas de diversos

materiales sobre una superficie de silicio.
Los materiales ms importantes utilizados en la fabricacin de estos son:

Silicio Cristalizado para el sustrato.

Dopajes de tipo n y tipo p para crear difusiones sobre el sustrato.
Polisicio amorfo para crear el electrodo del conductor.
Oxido de silicio como aislantes de diversas calidades
Fino de alta calidad para crear el conductor
Grueso de baja calidad como separador de capas
Aluminio para el interconexionado.
En tanto un circuito CMOS est compuesto por:

Transistores de tipo nMOS y pMOS que requieren

o 2 tipos de sustrato, 2 tipos de difusiones, polisilio y xido fino.
Interconexiones
o Trazables a varios niveles (para permitir su cruce sin conexin).
o Oxido grueso aislante entre niveles de metal.
o Contactos (agujeros en el xido) para conectar capas adyacentes.

Funcionamiento

Para poder entender de mejor manera el funcionamiento del inversor CMOS se estudiar el voltaje
tomado desde el nodo 3 (Imagen 2). Como se observa en la grfica, la curva (Imagen 3) representa
la salida del voltaje del nodo 3, y se puede observar fcilmente que el circuito funciona como
inversor al notar que Vin=5V y el Vout= es cero y viceversa. En otras palabras, si se inyecta un voltaje
alto se tendr como resultado un voltaje bajo, y si se inyecta un voltaje bajo se obtendr un voltaje
alto. cualquier inversor.

Imagen 2 (Basil, Sin Fecha)

Imagen 3 (Basil, Sin Fecha)

Como aspectos importantes antes de iniciar un anlisis ms extenso del inversos es importante
recalcar unas de las particulares de este.

La corriente de drenaje a travs del dispositivo NMOS es igual a la corriente de drenaje a

travs del dispositivo PMOS en todo momento. Las puertas MOSFET tienen una alta
impedancia de entrada y asumimos que en la salida del circuito no hay ninguna carga
significativa.

VDD es igual al voltaje a travs del PMOS ms el voltaje a travs del NMOS

Al realizar un anlisis en DC se observa de mejor manera el funcionamiento del CMOS, para lo cual
se recurre a la grfica Vout vs Vin (Imagen 4)

Imagen 4

Se observa en la grfica que hay 5 regiones, se analizara una a una.

Regin 1: En este caso cuando aplicamos una tensin de entrada entre 0 y VTN. El dispositivo PMOS
este encendido, desde una baja tensin se le est aplicando. El NMOS ya es bastante negativo y no
tiene uso para ms electrones libres por lo que se resiste a conducir y se convierte en una gran
resistencia. Dado que el dispositivo NMOS est inactivo, no hay flujo de corriente a travs de
ninguno de los dispositivos. VDD est disponible en el terminal de Vo ya que ninguna corriente est
pasando a travs del dispositivo PMOS y por lo tanto no hay voltaje cado a travs de l.

Regin 2: Aqu se aumenta el voltaje de entrada por encima de VTN. Encontramos que el dispositivo
PMOS permanece en la regin lineal ya que todava tiene sesgo directo adecuado. El NMOS se
enciende y salta inmediatamente a la saturacin ya que todava tiene un VDS relativamente grande
a travs de l.

Regin 3: En el centro de esta regin existe un punto donde Vi = Vo. Etiquetamos este VM punto y
lo identificamos como el umbral de puerta de voltaje. El voltaje cado a travs del dispositivo NMOS
es igual al voltaje cado a travs del dispositivo PMOS cuando el voltaje de entrada es VM. Durante
un tiempo muy corto, ambos dispositivos ven suficiente tensin de polarizacin hacia delante para
conducirlos a la saturacin.
Regin 4: La regin IV se produce entre una tensin de entrada ligeramente superior a VM pero
inferior a VDD-VTP. Ahora el dispositivo NMOS est conduciendo en la regin lineal, dejando caer
un voltaje bajo a travs de VDS. Dado que VDS es relativamente bajo, el dispositivo PMOS debe
dejar caer el resto del voltaje (VDD-VDS) a travs de su unin VSD. Esto, a su vez, impulsa el PMOS
en saturacin. Esta regin es efectivamente el reverso de la regin 2.

Regin 5: El NMOS tiende a querer conducir, pero su corriente de drenaje es muy limitada debido
a que el dispositivo PMOS slo permite a travs de una pequea corriente de fuga. El PMOS est
desactivado, ya que est viendo un impulso positivo, pero ya es lo suficientemente positivo y no
tiene uso para ms. Esta corriente de drenaje a travs del PMOS es demasiado pequea para
importar en la mayora de los casos prcticos, por lo que ID = 0. Con esta informacin podemos
concluir que VDS = Vo = 0 V para el NMOS ya que no hay corriente por el dispositivo. En efecto,
hemos enviado VDD y hemos encontrado que la salida del inversor es cero voltios. Para inversores
CMOS, VOH = VDD. VOL se define como la tensin de salida del inversor a una tensin de entrada
de VOH. Acabamos de probar que VOL = 0.

Aplicaciones

Al combinar transistores PMOS y NMOS en combinacin en serie y paralelo, estos permiten

generar compuertas lgicas como la NOT, NOR y NAND entre otras.

Son usados para circuitos alimentados por bateras como relojes digitales, calculadoras,
telfonos celulares, computadoras porttiles y microprocesadores.
Ventajas y Desventajas

Ventajas

El bajo consumo de potencia esttica, gracias a la alta impedancia de entrada de los

transistores de tipo MOSFET y a que, en estado de reposo, un circuito CMOS slo
experimentar corrientes parsitas. Esto es debido a que en ninguno de los dos estados
lgicos existe un camino directo entre la fuente de alimentacin y el terminal de tierra, o
lo que es lo mismo, uno de los dos transistores que forman el inversor CMOS bsico se
encuentra en la regin de corte en estado estacionario.

Gracias a su carcter regenerativo, los circuitos CMOS son robustos frente a ruido o
degradacin de seal debido a la impedancia del metal de interconexin.

Desventajas

Debido al carcter capacitivo de los transistores MOSFET, y al hecho de que estos son
empleados por duplicado en parejas nMOS-pMOS, la velocidad de los circuitos CMOS es
comparativamente menor que la de otras familias lgicas.

Segn se va reduciendo el tamao de los transistores, las corrientes parsitas empiezan a

ser comparables a las corrientes dinmicas (debidas a la conmutacin de los dispositivos).
 MOSFET de incremento

Es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S, Source), drenador (D, Drain), puerta (G,
Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin embargo, el sustrato generalmente est conectado internamente al
terminal de fuente y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.
utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms utilizado en la
industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales.

Construccin

La construccin bsica del MOSFET tipo empobrecimiento de canal n se da en la (Imagen 4) Se forma

una losa de material p con una base de silicio y de nuevo se conoce como sustrato. Como con el
MOSFET tipo empobrecimiento, el sustrato en ocasiones se conecta internamente a la terminal
fuente, en tanto que en otros casos se pone a la disposicin una curva terminal para el control
externo de su nivel de potencial. La fuente y el drenaje se conectan de nuevo mediante contactos
metlicos a regiones tipo n dopadas, pero observe que en (Imagen 5) no hay un canal entre las dos
regiones tipo n dopadas. sta es la diferencia principal entre la construccin de los MOSFET tipo
empobrecimiento y los tipos enriquecimiento: la ausencia de un canal como componente
construido del dispositivo. La capa de SiO2 sigue presente para aislar la plataforma metlica de la
compuerta de la regin entre el drenaje y la fuente, pero, ahora, simplemente est separada de una
seccin del material tipo p. En suma, por consiguiente, la construccin de un MOSFET tipo
enriquecimiento es muy parecida a la del MOSFET tipo empobrecimiento excepto porque no hay un
canal entre el drenaje y la fuente.

Imagen 5 MOSFET de enriquecimiento

Funcionamiento

La nica forma de obtener corriente es mediante una tensin de puerta positiva. Cuando la puerta
es positiva, atrae electrones libres dentro de la regin p, y stos se recombinan con los huecos
cercanos al dixido de silicio. Cuando la tensin de puerta es lo suficientemente positiva, todos los
huecos prximos al dixido de silicio desaparecen y los electrones libres empiezan a circular desde
la fuente hacia el drenador. Esta capa conductora se denomina capa de inversin tipo n. Cuando
existe, los electrones libres pueden circular fcilmente desde la fuente hacia el drenador. La VGS
mnima que crea la capa de inversin de tipo n se llama tensin umbral (en ingls: threshold
voltage), simbolizada por VGS(th). Cuando VGS es menor que VGS(th) la corriente de drenador el
nula. Pero cuando VGS es mayor que VGS(th), una capa de inversin tipo n conecta la fuente al
drenador y la corriente de drenador es grande. Los valores tpicos de VGS(th) para dispositivos de
pequea seal puede variar entre 1 y 3 V. El MOSFET de enriquecimiento se clasifica porque su
conductividad mejora cuando la tensin de puerta es mayor que la tensin umbral. Los dispositivos
de enriquecimiento estn normalmente en corte cuando la tensin de puerta es cero.

Un MOSFET de enriquecimiento para pequea seal tiene una limitacin de potencia de 1 W o

menos. La (Imagen 6) muestra un conjunto de curvas de salida de un MOSFET de enriquecimiento
tpico. La curva inferior es la curva de VGS(th). Cuando VGS es mayor que VGS(th), el dispositivo
conduce y la corriente de drenador se controla por medio de la tensin de puerta.

Imagen 6 (Anonimo, Sin Fecha)

La parte casi vertical corresponde a la zona hmica, y la parte casi horizontal corresponde a la zona
activa. El MOSFET de enriquecimiento puede funcionar en cualquiera de ellas. En otras palabras,
puede actuar como una resistencia o como una fuente de corriente. El uso principal es en la zona
hmica. (Imagen 6) muestra la curva caracterstica de transferencia tpica. No hay corriente de
drenador hasta que VGS es mayor que VGS(th). A partir de entonces, la corriente de drenador se
incrementa rpidamente hasta que alcanza la corriente de saturacin ID(sat). Ms all de este punto
el dispositivo est polarizado en la regin hmica. Por tanto, ID no puede crecer aunque VGS crezca.
Para asegurar la saturacin fuerte se usa una tensin de puerta VGS(on) bastante por encima de
VGS(th), como se muestra en la Imagen 6
Aplicaciones

La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS, consistentes

en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios. Las aplicaciones de MOSFET discretos
ms comunes son:

Resistencia controlada por tensin.

Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

Ventajas y Desventajas

Consumo en modo esttico muy bajo.

Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra).

Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao.

Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje por lo que tienen una
impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta se expresa en
nanoamperios.

Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, lo que conlleva a
un ahorro de superficie.

La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo expresada en nanosegundos.

Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y

baja potencia.

Bibliografa

Bibliografa
Anonimo. (Sin Fecha). Recuperado el 9 de Junio de 2017, de
http://esimerobotica.tripod.com/MOSFET2.pdf

Basil, S. (Sin Fecha). Recuperado el 9 de 06 de 2017, de

https://courseware.ee.calpoly.edu/~dbraun/courses/ee307/F02/02_Shelley/Section2_BasilShelley.
htm

Boylestad, R. L., & Nashelsky, L. (2009). Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos.
Mexico: PEARSON EDUCACIN.