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TRANSISTORES MOSFET

El transistor MOSFET, como veremos, est basado en la estructura MOS. En los MOSFET de enriquecimiento, una
diferencia de tensin entre el electrodo de la Puerta y el substrato induce un canal conductor entre los contactos de
Drenador y Surtidor, gracias al efecto de campo. El trmino enriquecimiento hace referencia al incremento de la
conductividad elctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la regin correspondiente al canal,
que tambin es conocida como la zona de inversin.
LA ESTRUCTURA MOS.
La estructura MOS esta compuesta de dos terminales y tres capas: Un Substrato de silicio, puro o poco dopado p o n,
sobre el cual se genera una capa de Oxido de Silicio (SiO2) que, posee caractersticas dielctricas o aislantes, lo que
presenta una alta impedancia de entrada. Por ltimo, sobre esta capa, se coloca una capa de Metal (Aluminio o
polisilicio), que posee caractersticas conductoras. En la parte inferior se coloca un contacto hmico, en contacto con la
capsula, como se ve en la figura.

Estructura Mos
La estructura MOS, acta como un condensador de placas paralelas en el que G y B son las placas y el xido, el
aislante. De este modo, cuando V
GB
=0, la carga acumulada es cero y la distribucin de portadores es aleatoria y se
corresponde al estado de equilibrio en el semiconductor. Cuando V
GB
>0, aparece un campo elctrico entre los
terminales de Puerta y substrato. La regin semiconductora p responde creando una regin de empobrecimiento de
cargas libres p
+
(zona de deplexin), al igual que ocurriera en la regin P de una unin PN cuando estaba polarizada
negativamente. Esta regin de iones negativos, se incrementa con V
GB
. Al llegar a la regin de V
GB
, los iones
presentes en la zona semiconductora de empobrecimiento, no pueden compensar el campo elctrico y se provoca la
acumulacin de cargas negativas libres (e
-
) atrados por el terminal positivo. Se dice entonces que la estructura ha
pasado de estar en inversin dbil a inversin fuerte.
REGIONES DE OPERACIN.
Cuando ya existe canal inducido y VDS va aumentando, el canal se contrae en el lado del Drenador, ya que la diferencia
de potencial Puerta-canal es en ese punto, ms baja y la zona de transicin ms ancha. Es decir, siempre que exista
canal estaremos en regin hmica y el dispositivo presentar baja resistencia.

La operacin de un transistor MOSFET se puede dividir en tres regiones de operacin diferentes, dependiendo de las
tensiones en sus terminales. Para un transistor MOSFET N de enriquecimiento se tienen las siguientes
regiones: regin de corte, regin hmica y regin de saturacin.
Regin de corte.
El transistor estar en esta regin, cuando V
GS
< V
t
. En estas condiciones el transistor MOSFET, equivale
elctricamente a un circuito abierto, entre los terminales del Drenador-Surtidor. De acuerdo con el modelo bsico del
transistor, en esta regin, el dispositivo se encuentra apagado. No hay conduccin entre Drenador y Surtidor, de modo
que el MOSFET se comporta como un interruptor abierto.
Regin hmica.
Cuando un MOSFET est polarizado en la regin hmica, el valor de RDS (on) viene dado por la expresin:
VDS (on) = ID(on) x RDS(on)
As mismo, el transistor estar en la regin hmica, cuando VGS > Vt y VDS < ( VGS Vt ).
El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el Drenador y Surtidor. El valor de esta resistencia vara
dependiendo del valor que tenga la tensin entre la Puerta y el Surtidor (VGS).
Regin de Saturacin.
El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento cuando la tensin entre el Drenador y el Surtidor (VDS)
supera un valor fijo denominado tensin de saturacin (Vds sat) Drenador-Surtidor; este valor viene determinado en las
hojas caractersticas proporcionadas por el fabricante. En esta zona, el MOSFET mantiene constante su corriente de
Drenador (ID), independientemente del valor de tensin que haya entre el Drenador y el Surtidor (VDS). Por lo tanto, el
transistor equivale a un generador de corriente continua de valor ID.
Es decir; el MOSFET estar en esta regin, cuando VGS > Vt y VDS > ( VGS Vt ).
O sea, estaremos en la regin de saturacin cuando el canal se interrumpe o estrangula, lo que sucede cuando:
VDS VGS - VT Regin de saturacin






Regin de Ruptura.
Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET pierde sus propiedades semiconductoras y se puede llegar a
romper el componente fsico. La palabra ruptura hace referencia a que se rompe la unin semiconductora de la parte del
terminal del drenador.
Los transistores unipolares estn limitados en tres magnitudes elctricas:
-En tensin: no se puede superar el valor mximo de tensin entre la puerta y el surtidor. Este valor se denomina BVgs.
Tampoco se puede superar un valor mximo de tensin entre el drenador y el surtidor denominado BVds.
-En corriente: no se puede superar un valor de corriente por el drenador, conocido como Idmax.
-En potencia: este lmite viene marcado por Pdmax, y es la mxima potencia que puede disipar el componente.
Mxima Tensin Puerta-Fuente. La delgada capa de dixido de silicio en el MOSFET funciona como aislante, el cual,
impide el paso de corriente de Puerta, tanto para tensiones de Puerta negativas como positivas. Muchos MOSFET estn
protegidos con diodos zener internos, en paralelo con la Puerta y la Fuente. La tensin del zener, es menor que la
tensin Puerta-Fuente que soporta el MOSFET VGS (Max).
Zona hmica. El MOSFET es un dispositivo de conmutacin, por lo que evitaremos, en lo posible, polarizarlo en la zona
activa. La tensin de entrada tpica tomar un valor bajo o alto. La tensin baja es 0 V, y la tensin alta es VGS (on),
especificado en hojas de caractersticas.
Drenador-Fuente en resistencia. Cuando un MOSFET de enriquecimiento se polariza en la zona activa, es equivalente a
una resistencia de RDS (on), especificada en hojas de caractersticas. En la curva caracterstica existe un punto Qtest en
la zona hmica. En este punto, ID (on) y VDS (on) estn determinados, con los cuales se calcula RDS (on).
PWM
Hablamos de la funcin PWM como abreviatura de la modulacin por ancho de pulsos, algo que se ha convertido en
una prctica habitual de los interruptores de potencia modernos, controlando la energa de inercia. Esta accin tiene en
cuenta la modificacin del proceso de trabajo de una seal de tipo peridico. Puede tener varios objetivos, como tener el
control de la energa que se proporciona a una carga o llevar a cabo la transmisin de datos.
Por lo general, todo sistema que procesa informacin binaria para controlar un proceso analgico requiere una etapa de
entrada analgica digital y una etapa de salida digital analgica (convertidores ADC y DAC). Para reducir costos en
los diseos que no requieren alta resolucin en la etapa de salida, es posible sustituir el DAC por un algoritmo de
Modulacin por Ancho de Pulsos (PWM - Pulse-Width Modulation). Una unidad PWM permite asignar cierta duracin de
tiempo en alto o en bajo a un dato digital de n bits que se considera salida de la etapa procesadora. Lo anterior se logra
conectando un contador y un circuito comparador, tal y como se aprecia en la siguiente figura:

Cmo funciona
La funcin PWM requiere de un circuito en el cual hay distintas partes bien diferenciadas entre s. El comparador es lo
que se convierte en el nexo, contando con una salida y un total de dos entradas distintas. A la hora de configurarlo
tenemos que tener en cuenta que una de las dos entradas se centra en dar espacio a la seal del modulador. Por su
lado, la segunda entrada tiene que estar vinculada con un oscilador de tipo de dientes de sierra para que la funcin se
pueda llevar a cabo con xito. La seal que proporciona el oscilador con dientes es lo que determina la salida de la
frecuencia. Es un sistema que ha dado buenas demostraciones de funcionar, convirtindose en un recurso muy utilizado
en cuanto a la disponibilidad de recursos energticos.
Las principales ventajas que tiene este procedimiento son:
Mxima variacin del ciclo de trabajo: del 0 al 100%, frente al rango 15- 85% tpico de los moduladores pwm
analgicos.
Muy fcil interfaz con microprocesadores (como anteriormente se coment lo suelen incluir la mayora de los
microcontroladores).
Muy flexibles: permiten ajustar fcilmente el tiempo muerto, la frecuencia de modulacin, seal de control de la tensin
de alimentacin del puente, etc. (vase la implementacin de un generador pwm generalizado realizada en [Lpez-01]).
El valor medio de la tensin de salida del puente, es decir, la tensin que se aplica al devanado de armadura del
motor, mantiene una relacin lineal con el ciclo de trabajo del pwm, y por tanto con la tensin de salida del controlador
(para que esta hiptesis sea correcta, se debe de considerar que la cada de tensin en los transistores que forman el
puente en H de la etapa de potencia es nula, as como que el tiempo en blanco, que ms adelante se analizar, sea
tambin nulo).
El principal inconveniente que tiene: Modulacin PWM
Fuertes limitaciones en el binomio frecuencia de modulacin-nmero de bits de resolucin: a medida que aumenta el
nmero de bits de resolucin, la frecuencia del reloj del sistema debe de ser ms alta.