Lab.

de Circuitos Electrónicos I 2013

UNIVERSIDAD PARTICULAR CATÓLICA DE SANTA MARÍA DE AREQUIPA

PROGRAMA PROFESIONAL DE INGENIERÍA MECANICA, MECANICA ELECTRICA Y
MECATRONICA
CÓDIGO: 4E05029 GUÍA DE LABORATORIO NRO 04
ASIGNATURA: CIRCUITOS ELECTRONICOS I

PRIMERA FASE: AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA SEÑAL Docente(s):

Ing. Ronald P. Coaguila Gómez
CONFIGURACIONES DEL TRANSSITOR BIPOLAR Ing. Sergio O.Mestas Ramos.

Fecha: 2013.05.05.

CUARTA EXPERIENCIA:
CONFIGURACIONES DEL TRANSSITOR BIPOLAR

I. OBJETIVO: Analizar las configuraciones del transistor bipolar.

II. MARCO TEORICO:

Configuración de emisor común.
La configuración de transistores que se encuentra con mayor frecuencia
se muestra en la figura para los transistores pnp y npn. Se denomina
configuración de emisor común porque el emisor es común tanto a las
terminales de entrada como a las de salida (en este caso, es también
común a las terminales de la base y del colector). De nuevo se necesitan
dos conjuntos de características para describir en forma completa el
comportamiento de la configuración de emisor común: una para la
entrada o circuito de la base y una para la salida o circuito del colector.
Ambas se muestran en la figura.

1
Lab. de Circuitos Electrónicos I 2013

Símbolo y notación del transistor NPN en configuración de Emisor común.

Símbolo y notación del transistor PNP en configuración de Emisor común.

Características del colector un transistor BJT de Silicio en la

configuración de emisor común.
Las corrientes del emisor, colector y la base se muestran en su dirección
de comente convencional real. Aun cuando la configuración del transistor
ha cambiado, siguen siendo aplicables las relaciones de comentes
desarrolladas antes para la configuración de base común.
En la configuración de emisor común las características de la salida serán
una gráfica de la corriente de salida (IC) versus el voltaje de salida (VCE)
para un rango de valores de la corriente de entrada (IB). Las
características de la entrada son una gráfica de la comente de entrada
(IB) versus el voltaje de entrada (VBE ) para un rango de valores del
voltaje de salida (VCE).
2
Lab. de Circuitos Electrónicos I 2013

Obsérvese que en las características de la figura la magnitud de IB es del

orden de microamperes comparada con los miliamperes de IC. Nótese
también que las curvas de IB no son tan horizontales como las que se
obtuvieron para IE en la configuración de base común, lo que indica que
el voltaje de colector a emisor afectará la magnitud de la corriente de
colector.
La región activa en la configuración de emisor común es aquella parte del
cuadrante superior derecho que tiene la linealidad mayor, esto es, la
región en la que las curvas correspondientes a IB son casi líneas rectas y
se encuentran igualmente espaciadas. En la figura esta región se localiza
a la derecha de la línea sombreada vertical en VCEsat por encima de la
curva para IB igual a cero. La región a la izquierda de VCEsat se
denomina región de saturación. En la región activa de un amplificador
emisor común la unión colector-base está polarizada inversamente, en
tanto que la unión base-emisor está polarizada directamente.
Configuración de colector común.
La tercera y última configuración de transistores la de colector común, mostrada
en la figura con las direcciones apropiadas de corriente y la notación de voltaje.
La configuración de colector común se emplea fundamentalmente para
propósitos de acoplamiento de impedancia ya que tiene una elevada impedancia
de entrada y una baja impedancia de salida, que es lo opuesto a las
configuraciones de base común y de emisor común.

Notación y símbolos en la configuración de colector común para el

transistor PNP.

3
Lab. de Circuitos Electrónicos I 2013

Notación y símbolos en la configuración de colector común para el

transistor NPN.

La configuración del circuito de colector común se muestra en la figura

con la resistencia de carga del emisor a tierra. Nótese que el colector está
conectado a tierra aun cuando el transistor está conectado de manera
similar a la configuración de emisor común. Desde el punto de vista de
diseño, no es necesario elegir para un conjunto de características de
colector común, los parámetros del circuito de la figura. Pueden diseñarse
empleando las características de emisor común. Para todos los propósitos
prácticos, las características de salida de la configuración de colector
común son las mismas que las de la configuración de emisor común. En
la configuración de colector común las características de salida son una
gráfica de IE versus VEC para un intervalo de valores de IB. Por ellos, la
corriente de entrada es la misma tanto para las características de emisor
común como para las de colector común. El eje de voltaje para la
configuración de colector común se obtiene cambiando simplemente el
signo de voltaje de colector a emisor de las características de emisor
común. Por último, hay un cambio casi imperceptible en la escala vertical
de IC de las características de emisor común si IE se reemplaza por IE en
las características de colector común (puesto que a = 1). En el circuito de
entrada de la configuración de colector común, las características de la
base de emisor común son suficientes para obtener la información que se
requiera.

4
Lab. de Circuitos Electrónicos I 2013

Configuración de colector común empleada para propósitos de

acoplamiento de impedancia

Configuración de base común.

La notación y símbolos que se usan en conjunto con el transistor en la
mayor parte de los textos y manuales que se publican en la actualidad,
se indican en la figura para la configuración de base común con
transistores PNP y NPN . La terminología relativa a base común se
desprende del hecho de que la base es común a los lados de entrada y
salida de la configuración. Además, la base es usualmente la terminal
más cercana o en un potencial de tierra. A lo largo de estos apuntes
todas las direcciones de corriente se referirán a la convencional (flujo de
huecos) en vez de la correspondiente al flujo de electrones. Esta elección
se fundamenta principalmente en el hecho de que enorme cantidad de
literatura disponible en las instituciones educativas y empresariales hace
uso del flujo convencional, de que las flechas en todos los símbolos
electrónicos tienen una dirección definida por esta convención.
Recuérdese que la flecha en el símbolo del diodo define la dirección de
conducción para la corriente convencional. Para el transistor:

La flecha del símbolo gráfico define la dirección de la corriente de emisor

(flujo convencional) a través del dispositivo.

5
Lab. de Circuitos Electrónicos I 2013

Notación y símbolos en la configuración de base común.

Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura son las

direcciones reales, como se definen con base en la elección del flujo

6
Lab. de Circuitos Electrónicos I 2013

convencional. Nótese en cada caso que: IE=IC+IB

También adviértase que la polarización aplicada (fuentes de voltaje) es
de modo que se establezca la corriente en la dirección indicada para cada
rama. Es decir, compárese la dirección de IE con la polaridad o VEE para
cada configuración y la dirección de IC con la polaridad de ICC.
Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres
terminales, tales como los amplificadores de base común de la figura, se
requiere de dos conjuntos de características, uno para los parámetros de
entrada o punto de manejo y el otro para el lado de salida. El conjunto de
entrada para el amplificador de base común, como se muestra en la
figura, relacionará una corriente de entrada (IE) con un voltaje de
entrada (VBE ) para varios niveles de voltaje de salida (VCB)

Características del punto de excitación para un transistor

amplificador de silicio de base común.

El conjunto de salida relacionará una corriente de salida (IC) con un

voltaje de salida VCB para diversos niveles de corriente de entrada (IE),
como se ilustra en la figura. El conjunto de características de salida o
colector tiene tres regiones básicas de interés, como se indican en la
figura: Las regiones Activa, de Corte y de Saturación. La región activa es
la región empleada normalmente para amplificadores lineales (sin
distorsión). En particular: En la región activa la unión colector-base está
inversamente polarizada, mientras que la unión base-emisor se
encuentra polarizada en forma directa.
La región activa se define por los arreglos de polarización de la figura. En
el extremo más bajo de la región activa la corriente de emisor (IE) es
cero, la corriente de colector es simplemente la debida a la corriente
inversa de saturación ICO, como se indica en la figura. La corriente ICO
es tan pequeña (del orden de microamp.) en magnitud comparada con la
escala vertical de IC (del orden de los miliamperios), que aparece

7
Lab. de Circuitos Electrónicos I 2013

virtualmente sobre la misma línea horizontal que IC = 0.

Características de salida, del colector, para un amplificador de base

común.

Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0 para la

configuración base común se ilustran en la figura. La notación usada con
más frecuencia para ICO, en hojas de datos y de especificaciones es
ICBO como se indica en la figura. A causa de las técnicas mejoradas de
construcción, el nivel de ICBO para transistores de propósito general
(especialmente silicio) en los intervalos de potencia bajo y medio es por
lo general tan reducido que su efecto puede ignorarse. Sin embargo, para
unidades de mayor potencia ICBO aún aparecerá en el intervalo de los
microamperios. Además, recuérdese que ICBO para el diodo (ambas
corrientes inversas de fuga) es sensible a la temperatura. A mayores
temperaturas el efecto de ICBO puede llegar a ser un factor importante
ya que se incrementa muy rápidamente con la temperatura.

Corriente inversa de saturación.

Nótese, en la figura, que conforme la corriente del emisor aumenta sobre

cero, la corriente del colector aumenta a una magnitud esencialmente
igual a la corriente del emisor determinada por las relaciones básicas del
transistor-corriente. Adviértase también el casi desdeñable efecto de VCB
sobre la corriente del colector para la región activa. Las curvas indican
claramente que una primera aproximación a la relación entre IE e IC en
la región activa dada: IC » IE
8
Lab. de Circuitos Electrónicos I 2013

Ecuación
Como se deduce de su nombre, la región de corte se define como aquella
región donde la corriente de colector es de 0 A, como se demuestra en la
figura 2.8. En suma:
En la región de corte ambas uniones, colector-base y base-emisor, de un
transistor están inversamente polarizadas.2
La región de saturación se define como la región de las características a
la izquierda de VCB = 0 V. La escala horizontal en esta región se amplió
para mostrar claramente el gran cambio en las características de esta
región. Nótese el incremento exponencial en la comente de colector a
medida que el voltaje VCB se incrementa más allá de los 0 V.

Modelo del diodo Base-Emisor.

III. CUESTIONARIO PREVIO:

a) Analizar y señalar las características eléctricas y electrónicas del

Transistor BJT, en base a las hojas de datos.
b) Explicar brevemente los tipos de transistores que operan como
amplificadores y como conmutadores
c) Explicar las diferencias internas y de polarización de los transistores
NPN y PNP
d) Señalar y explicar los diferentes tipos de transistores que se usan
para baja frecuencia, alta frecuencia, baja potencia y alta potencia,
sus principales aplicaciones, etc.
e) Analizar y efectuar el cálculo del siguiente circuito. Hallar y graficar
Vce vs. Ic de cada transistor, las rectas de carga.
f) Encontrar la función de Ganancia de tensión, corriente, potencia,
impedancias de entrada y salida del circuito
g) Con un programa simulador, verifique resultados

9
Lab. de Circuitos Electrónicos I 2013

IV. MATERIAL Y EQUIPO:

- 02 Fuentes de Alimentación. - 01 Osciloscopio
- Transistores según circuitos - Multímetros
- Generador de señales - Resistencias según circuitos
- Potenciómetros, condensadores según figs. – 02 Protoboards

V. PROCEDIMIENTO

1. Construya el circuito de la Fig. 1, observando la polaridad correcta de

los capacitadores, el transistor y la fuente de energía. Ajuste la
tensión de alimentación a 12 V.

CIRCUITO EMISOR COMUN

10
Lab. de Circuitos Electrónicos I 2013

2. Determine el punto “Q ” midiendo las tensiones con respecto a tierra y

las corrientes en el circuito, anote los resultados para el cuadro de
comparación final.
3. Calcule la impedancia de entrada, salida y la ganancia del amplificador.
4. Determinar la ganancia del amplificador inyectado una señal senoidal
de 50mVpp, a 1KHz.
5. Haga un barrido de mediciones de 10 pasos de señal de entrada desde
20 Hz hasta 1MHz, anote los resultados en un cuadro y luego grafique
en papel milimetrado logarítmico.
6. Implemente el circuito de base común.
7. Realice el mismo procedimiento (2) a (5) para la configuración de
emisor común.
8. Proponga el circuito de colector común y repita los pasos anteriores.

CIRCUITO BASE COMUN

11
Lab. de Circuitos Electrónicos I 2013

VI. CUESTIONARIO FINAL

1. Haga un análisis completo del amplificador estudiado

experimentalmente indicando los resultados teóricos y comentando
sobre la estabilidad y criterios de diseño. Efectuar el análisis para cada
caso. Para este caso medir las corrientes de base y colector de cada
transistor (verificar Beta), medir Vbe de cada transistor, Vce.
2. Comente acerca del método empleado para la medición de la
impedancia de entrada de un amplificador. Al aplicar una diferencia de
potencial entre 2 puntos de una red se puede determinar las
impedancias en dos partes, en el caso lo que se busca es encontrar la
impedancia a la que Vi se convierta en V1 / 2 lo que nos indicará que la
impedancia es igual a la del resto de la red circuital.
3. Medir las ganancias tensión, corriente y potencia a la frecuencia central
de cada cto. (por ej. Entre 1 y 10KHz) y Compare los resultados
teóricos con los experimentales y justifique las diferencias si las
hubieran. Emisor común. Base Común
4. Comente acerca de los valores máximos de Vo y Vi, la distorsión
observada porque razón se produce y como corregir.
5. Grafique la curva de respuesta en frecuencia experimental de las
configuraciones estudiadas, indicando los puntos de quiebre y
tendencias asintóticas correspondientes.
6. Comente sobre las diferencias entre las configuraciones ensayadas, así
como sobre sus ventajas y desventajas.

VII. CONCLUSIONES Y OBSERVACIONES

Indicar las Conclusiones y observaciones

VIII. BIBLIOGRAFIA

TIEMPO: 2 sesiones de laboratorio 05-2013

12