DEPARTAMENTO DE ELECTRICA Y ELECTRONICA

UNIDAD N° 3

TRABAJO PREPARATORIO
LABORATORIO No. 3.1

Tema de la práctica: AMPLIFICADOR EN CONFIGURACIÓN EMISOR Y COLECTOR

COMÚN

Realizado por: Imues Geovanny, Muñoz Mishelle, Pinto Alejandro

1. Objetivos:

 Identificar los terminales del Transistor BJT.

 Determinar el punto de operación del Transistor.
 Verificar las características del amplificador en la configuración Emisor Común y Colector
Común
 Interpretar los resultados calculados, simulados y medidos.

2. Consultar sobre:

 Procedimiento para identificar los terminales de un transistor BJT.

1. Identificación de la Base del transistor

En primer lugar, se debe averiguar si se trata de un transistor del tipo NPN o PNP. Para ello
configuramos el polímetro digital en el modo de medida de diodos y aplicamos las puntas
de prueba a los terminales del transistor, ir probando hasta que visualicemos en el polímero
una tensión de 0.7 V aproximadamente (para transistores de silicio) o bien 0.3 V (para
transistores de germanio).
Una vez obtenida esta tensión, sin mover la punta de prueba roja, cambiar la punta de prueba
negra al otro terminal que queda libre, si en esta situación se vuelve a obtener una lectura de
aproximadamente 0.7 V o 0.3 V según sea el caso quiere decir que se trata de un transistor
NPN. Esto es porque la punta de prueba roja (positiva) está situada sobre la base del
transistor, y esta es positiva.
En el caso que, al mover la punta de prueba negra al otro terminal, no se obtiene ninguna
lectura en el polímetro, quiere decir que la base del transistor es el terminal sobre el que se
encontraba la punta de prueba negra. En esta situación se debe volver a poner la punta de
prueba negra sobre ese terminal y mover la punta de prueba roja sobre los otros dos
terminales del transistor comprobando que en ambos el polímetro marque una lectura de
0.7 V o 0.3 V aproximadamente.
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(a) (b) (c)

Figura 1. Identificación de la base de un transistor. Figura (a). Probar hasta obtener
una lectura de 0.7 V, Figura (b). La punta de prueba roja sobre el terminal central
indica que es un transistor del tipo NPN, Figura (c). Al poner la punta de prueba sobre
el otro terminal también se visualizan 0.7 V aproximadamente. Fuente: (Montero,
2009)

1. Identificación del Emisor y Colector del transistor

Una vez identificado el tipo de transistor y el terminal de base, hay que discriminar que
terminal corresponde al emisor y cual, al colector, para ello hay que tener en cuenta que la
resistencia y barrera de potencia en la unión base-colector es algo menor que la
correspondiente a la unión base-emisor. Por ello habrá que comprobar con cuál de los dos
terminales se visualiza en el polímetro, configurado para verificar diodos, menos tensión
respecto al terminal de base; siendo este terminal el colector del transistor.

(a) (b)
Figura 2. Identificación del emisor y colector de un transistor. Figura (a).
Identificación del emisor y del colector del transistor NPN BC548, Figura (b).
Terminales del transistor BC548. Fuente: (Montero, 2009)

La identificación de transistores también puede realizarse configurando el polímetro como

óhmetro (con una escala elevada, del orden de MΩ) y midiendo la resistencia existente entre
ese terminal y el terminal que corresponde a la base. El colector será aquel terminal que
presente menor resistencia.
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Figura 3. Verificación de la unión base a emisor polarizada en directa de un transistor

NPN. Fuente: (Boylestad & Nashelsky, 2009)

Figura 4. Verificación de la unión base a colector polarizada en inversa de un transistor

NPN. Fuente: (Boylestad & Nashelsky, 2009)

 A qué se debe el desfase entre la señal de voltaje de entrada y la señal del voltaje de salida en
la Configuración Emisor Común.

Esta configuración desfasa la señal (entra positivo y sale negativo), al aumentar la señal de
entrada la señal de salida disminuye. Esto ocurre porque al aumentar el voltaje de entrada
(𝑉𝐵𝐸 ) también aumenta la corriente de entrada (𝐼𝐵 ), de la expresión de 𝐾𝐼.
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = 𝐾𝐼𝐵 . . 𝐴
Al aumentar la corriente de la base también se incrementa beta veces (𝛽𝐼𝐵 ) la corriente del
colector, al aumentar la corriente del colector el transistor se polariza más y el voltaje de la
unión colector-emisor disminuye y como la salida se toma del colector, el voltaje de salida
disminuye mientras el voltaje de entrada aumenta, por estas razones la configuración emisor
común desfasa el voltaje.

Fuente: (Topete)

 Características de entrada y de salida de la configuración Emisor común.

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Figura 5. Notación y símbolos utilizados con la configuración en emisor común: (a)

transistor npn; (b) transistor pnp. Fuente: (Boylestad & Nashelsky, 2009)

Figura 6. Características de un transistor de silicio en la configuración en emisor común:

(a) características; (b) características de base. Fuente: (Boylestad & Nashelsky, 2009)
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Para la configuración en emisor común, las características de salida son una gráfica de la
corriente de salida (𝐼𝐶 ) con el voltaje de salida (𝑉𝐶𝐷 ).) para un intervalo de valores de la
corriente de entrada (𝐼𝐵 ). Las características de entrada son una gráfica de la corriente de
entrada (𝐼𝐵 ) contra el voltaje de entrada (𝑉𝐵𝐸 ) para un intervalo de valores del voltaje de
salida (𝑉𝐶𝐸 ). Observe que en las características de la figura 4 la magnitud de 𝐼𝐵 está en
microamperes en comparación con los miliamperes de 𝐼𝐶 . Consideremos también que las
curvas de 𝐼𝐵 no son tan horizontales como las obtenidas para 𝐼𝐸 en la configuración en base
común, lo que indica que el voltaje colector a emisor influye en la magnitud de la corriente
del colector. La región activa para la configuración en emisor común es esa parte del
cuadrante superior derecho de mayor linealidad, es decir, la región de las curvas de 𝐼𝐵 son
casi rectas o y equidistantes. En la figura 4 a esta región existe a la derecha de las líneas de
rayas vertical en 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 y arriba de la curva de 𝐼𝐵 igual a cero. La región a la izquierda de
𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 se llama región de saturación.
Para propósitos de amplificación lineal (de menor distorsión), el corte de la configuración
de emisor común se definirá mediante 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝐸𝑂 .
En otras palabras, la región por debajo de 𝐼𝐵 = 0 µ𝐴 debe evitarse si se busca una señal de
salida sin distorsión.
Para fines de conmutación el corte se presentará cuando 𝐼𝐵 = 0 µ𝐴 o cuando 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝐸𝑂 ,
solamente para los transistores de silicio. Sin embargo, para el caso de los transistores de
germanio, el corte para propósitos de conmutación se definirá mediante aquellas condiciones
que se presenten cuando 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝐸𝑂 .

Figura 7. Equivaalente de segmentos lineales para las características del diodo de la Figura 6b.
Fuente: (Boylestad & Nashelsky, 2009)
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 Características de entrada y de salida de la configuración Colector común.

Figura 8. Notación y símbolos utilizados con la configuración en colector común: (a)

transistor PNP; (b) transistor NPN. Fuente: (Boylestad & Nashelsky, 2009)

Para la configuración en colector común las características de salida son una gráfica de 𝐼𝐸
contra 𝑉𝐶𝐸 con un rango de valores de 𝐼𝐵 . La corriente de entrada es, por consiguiente, la
misma tanto con las características en emisor común como en colector común. Por último,
ocurre un cambio casi imperceptible en la escala vertical de 𝐼𝐶 de las características en emisor
común si 𝐼𝐶 se reemplaza con 𝐼𝐸 para las características en colector común (puesto que 𝛼 ≈
1).

 Nombres con los que se conoce a un Amplificador Colector Común. Explique

El amplificador aterrizado o amplificador de colector común, más conocido como emisor-

seguidor, es un circuito con transistor cuya ganancia de voltaje es de alrededor de uno con
ganancia de corriente y potencia, e impedancia de entrada alta y de salida baja. Gracias a sus
características de impedancia este amplificador se utiliza en aplicaciones de acoplamiento de
impedancia.
Recibe el nombre de colector aterrizado dado que el capacitor 𝐶2 funciona como derivación
de baja impedancia del colector.
Tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida.
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Figura 9. Emisor-seguidor con fuente de alimentación. Fuente: (Paul B. Zbar, 2001)

La ganancia de voltaje de un emisor- seguidor es exactamente un poco menos de uno, puesto

que el voltaje de emisor está limitada a la caída del diodo de alrededor de 0,6 voltios por
debajo de la base. Su función no es la ganancia de voltaje, sino la ganancia de corriente o
potencia, y la adaptación de impedancias. Su impedancia de entrada es mucho más alta que
su impedancia de salida, de modo que una fuente de señal no tendría que trabajar tan duro.
Esto puede verse en el hecho de que la corriente de base es del orden de 100 veces menos
que la corriente de emisor. La baja impedancia de salida del seguidor emisor se adapta con
una carga de baja impedancia y amortigua la fuente de señal.
También se le denomina "buffer" por esta misma razón, y se usa en los circuitos digitales
con las puertas básicas.

Figura 10. Esquema de un seguidor común, Fuente: (2016)

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Figura 11. Puertas básicas. Fuente: (2016)

Bibliografía:

(2016). Obtenido de http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/Electronic/npncc.html#c1

Boylestad, R. L., & Nashelsky, L. (2009). Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos.
México: PEARSON EDUCACIÓN.
Boylestad,Roberth Nashelsky. Electrónica, Teoría de Circuitos, febrero 2000, Prentica
Hall
Montero, A. C. (2009). Electrónica. Editex.
Paul B. Zbar, A. P. (2001). Prácticas de electrónica. Marcombo.
Topete, J. d. (s.f.). ELECTRÓNICA 1. Mexicali.
Malvino Paul. Principios de Electrónica, 2007, Mac. Graw Hill

3. Para un amplificador con Transistor BJT en la configuración Emisor Común y Colector realizar
las siguientes actividades:

3.1 Imponerse el circuito amplificador para el análisis.

3.2 Calcule el punto de operación del transistor.

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El sistema de amplificación se analiza en dos fases:

1. Análisis DC
2. Análisis AC
Análisis DC:
Nos permite saber como está polarizado el transistor BJT (corte, activa, saturación)
Consideraciones:
a. Los capacitores en DC se comportan como un circuito abierto.
b. 𝐼𝐵 ≈ 0, la corriente de base es aproximadamente cero, por lo tanto, las resistencias de entrada se
comportan como un divisor de tensión y calculamos un voltaje equivalente de Thevenin, y para
calcular una resistencia equivalente de Thevenin, cortocircuitamos las fuentes de voltaje,
tenemos:

𝑅𝑇ℎ = 𝑅𝐵1 ∥ 𝑅𝐵2

𝑅𝐵2 𝑅𝐵1 ∗ 𝑅𝐵2
𝑉𝑇ℎ = ∗𝑉 𝑅𝑇ℎ =
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 𝑐𝑐 𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2
8.2𝑘 56𝑘 ∗ 8.2𝑘
𝑉𝑇ℎ = ∗ 22𝑉 𝑅𝑇ℎ =
56𝑘 + 8.2𝑘 56𝑘 + 8.2𝑘
𝑉𝑇ℎ = 2.81𝑉 𝑅𝑇ℎ = 7152.65 Ω

Con este circuito equivalente podemos encontrar los 7 parámetros que definirán si el transistor BJT está
en la zona activa (𝐼𝐵 , 𝐼𝐶 , 𝐼𝐸 , 𝑉𝐵 , 𝑉𝐶 , 𝑉𝐸 , 𝑉𝐶𝐸 )
−𝑉𝑇ℎ + 𝑅𝑇ℎ × 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 × 𝐼𝐸 = 0
Donde: 𝑉𝐵𝐸 = 0.7𝑉, 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 (1 + 𝛽)

−𝑉𝑇ℎ + 𝑅𝑇ℎ × 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 × 𝐼𝐵 (1 + 𝛽) = 0

𝐼𝐵 (𝑅𝑇ℎ + 𝑅𝐸 (1 + 𝛽)) = 𝑉𝑇ℎ − 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝑇ℎ − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝑇ℎ + 𝑅𝐸 (1 + 𝛽)

2.81𝑉 − 0.7𝑉
𝐼𝐵 =
7152.65Ω + 1.5𝑘(1 + 90)
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𝐼𝐵 = 14.69𝑢𝐴

𝐼𝐶 = 𝛽 × 𝐼𝐵
𝐼𝐶 = 90 × 14.69𝑢𝐴
𝐼𝐶 = 1.32𝑚𝐴

𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 (1 + 𝛽)
𝐼𝐸 = 14.69𝑢𝐴(1 + 90)
𝐼𝐸 = 1.34𝑚𝐴

𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 × 𝑅𝐸
𝑉𝐸 = 1.34𝑚𝐴 × 1.5𝑘
𝑉𝐸 = 2.01𝑉

𝑉𝐵 = 𝑉𝑇ℎ − 𝐼𝐵 × 𝑅𝑇ℎ 𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸

𝑉𝐵 = 2.81𝑉 − 14.69𝑚𝐴 × 7152.65Ω 𝑉𝐵 = 0.7𝑉 + 2.01𝑉
𝑉𝐵 = 2.704𝑉 𝑉𝐵 = 2.71𝑉

𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 × 𝑅𝐶
𝑉𝐶 = 22𝑉 − 1.32𝑚𝐴 × 6.8𝑘
𝑉𝐶 = 13.01𝑉

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 13.01𝑉 − 2.01𝑉

𝑉𝐶𝐸 = 11𝑉
Con esto garantizo que el transistor BJT está la zona activa ya que el punto de trabajo está en 𝑉𝐶𝐸 = 11𝑉,
cumpliéndose que:
3𝑉 < 𝑉𝐶𝐸 < 22𝑉
Y para que amplifique si cumple que:

6𝑉 < 𝑉𝐶𝐸 < 22𝑉

3.3 Con el simulador compruebe el punto de operación de cada transistor.

Con todos los datos necesario, se construye el circuito en el simulador, considerando cambiar el β del
transistor para la peor condición que tenemos de β=90.
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3.4 Calcule Zin, Zo, Av, AI.

Análisis AC:
Consideraciones:
a. Los capacitores se comportan como cortocircuito
b. La fuente de corriente continua también se comporta como cortocircuito
c. Se va a utilizar un modelo de señal equivalente del BJT para el análisis en alterna, donde:
𝐼 Δ 26𝑚𝑉
𝛽 = 𝐼𝐶 , ℎ𝑓𝑒 = Δ 𝑖𝑐 , |ℎ𝑓𝑒 | = |𝛽|, ℎ𝑖𝑒 = (ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑟𝑒 , 𝑟𝑒 = 𝐼
𝐵 𝑖𝑏 𝐸

Figura 12. Circuito equivalente hibrido aproximado en emisor común. Fuente:

𝑉𝑖𝑛
𝑍𝑖𝑛 =
𝑖𝑖𝑛

𝑖𝑖𝑛 (𝑅𝑇ℎ ∥ 𝑍𝑖𝑛𝑇

.
)
𝑍𝑖𝑛 =
𝑖𝑖𝑛

𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝑇ℎ ∥ 𝑍𝑖𝑛𝑇

Donde:

𝑉𝑖𝑛𝑇
𝑍𝑖𝑛𝑇 =
𝑖𝑖𝑛𝑇
ℎ𝑖𝑒 𝑖𝑏 + 𝑖𝑒 𝑅𝐸
𝑍𝑖𝑛𝑇 =
𝑖𝑏
(ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑟𝑒 𝑖𝑏 + (ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑖𝑏 𝑅𝐸
𝑍𝑖𝑛𝑇 =
𝑖𝑏
𝑍𝑖𝑛𝑇 = (ℎ𝑓𝑒 + 1)(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 )

𝑅𝑇ℎ × (ℎ𝑓𝑒 + 1)(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 )

𝑍𝑖𝑛 =
𝑅𝑇ℎ + (ℎ𝑓𝑒 + 1)(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 )
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7152.65Ω × (90 + 1)(19.4Ω + 1.5𝑘)

𝑍𝑖𝑛 =
7152.65Ω + (90 + 1)(19.4Ω + 1.5𝑘)

𝑍𝑖𝑛 = 6800.83Ω

𝑉𝑜
𝑍𝑜 = |𝑉 = 0, 𝑅𝐿 → ∞
𝑖𝑜 𝑖𝑛

𝑖𝑜 𝑅𝐶
𝑍𝑜 =
𝑖𝑜
𝑍𝑜 = 𝑅𝐶

𝑍𝑜 = 6.8𝑘

𝑉𝑜
𝐴𝑣 =
𝑉𝑖𝑛

−𝑖𝑐 (𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 )
𝐴𝑣 =
ℎ𝑖𝑒 𝑖𝑏 + 𝑖𝑒 𝑅𝐸
−ℎ𝑓𝑒 𝑖𝑏 (𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 )
𝐴𝑣 =
(ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑟𝑒 𝑖𝑏 + (ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑖𝑏 𝑅𝐸
ℎ𝑓𝑒 𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿
𝐴𝑣 = − ×
(ℎ𝑓𝑒 + 1) 𝑟𝑒 + 𝑅𝐸

𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿
𝐴𝑣 = −
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸

Donde:
𝑅𝐶 × 𝑅𝐿 26𝑚𝑉
𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 = 𝑟𝑒 =
𝑅𝐶 + 𝑅𝐿 𝐼𝐸
6.8𝑘 × 6.8𝑘 26𝑚𝑉
𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 = 𝑟𝑒 =
6.8𝑘 + 6.8𝑘 1.34𝑚𝐴
𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 = 3.4𝑘 𝑟𝑒 = 19.4Ω

3.4𝑘
𝐴𝑣 = −
19.4Ω + 1.5𝑘

𝐴𝑣 = −2.24
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𝑖𝑜
𝐴𝑖 =
𝑖𝑖𝑛
𝑉𝑜
⁄𝑅
𝐿
𝐴𝑖 =
𝑉𝑖𝑛
⁄𝑍
𝑖𝑛
𝑉𝑜 𝑍𝑖𝑛
𝐴𝑖 = ×
𝑉𝑖𝑛 𝑅𝐿
𝑍𝑖𝑛
𝐴𝑖 = 𝐴𝑣 ×
𝑅𝐿
6800.83Ω
𝐴𝑖 = −2.24 ×
6.8𝑘

𝐴𝑖 = 2.24

3.5 Grafique el diagrama de voltajes.

3.6 Determine el valor máximo del voltaje de entrada que se puede aplicar sin producir
distorsión en la señal de salida.
Condiciones para evitar recortes:
Primera condición:
𝑉𝑖𝑛𝑝− ≤ 𝐼𝐸 𝑅𝐸
𝑉𝑖𝑛𝑝− ≤ 1.34𝑚𝐴 × 1.5𝑘
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𝑉𝑖𝑛𝑝− ≤ 2.01𝑉
Segunda condición:
𝑉𝐶𝐸 ≥ 6𝑉
11𝑉 ≥ 6𝑉

Tercera condición:
𝑉𝐶𝐸 ≥ 𝑉𝑖𝑛𝑝+ + 𝑉𝑠𝑎𝑡 + 𝑉𝑜𝑢𝑝−
𝑉𝐶𝐸 ≥ 𝑉𝑖𝑛𝑝 + 10𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 + 𝐴𝑣 𝑉𝑖𝑛𝑝

𝑉𝐶𝐸 ≥ 𝑉𝑖𝑛𝑝 (1 + 𝐴𝑣 ) + 10(0.2𝑉)

𝑉𝐶𝐸 − 10𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡
𝑉𝑖𝑛𝑝 ≤
1 + 𝐴𝑣
11𝑉 − 10(0.2𝑉)
𝑉𝑖𝑛𝑝 ≤
1 + 2.24
𝑉𝑖𝑛𝑝 ≤ 2.78𝑉
Cuarta condición:
𝑉𝑜𝑢𝑝+ ≤ 𝐼𝑐 (𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 )
𝐴𝑣 𝑉𝑖𝑛𝑝 ≤ 𝐼𝑐 (𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 )
𝐼𝑐 (𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 )
𝑉𝑖𝑛𝑝− ≤
𝐴𝑣
4.488𝑉
𝑉𝑖𝑛𝑝− ≤
2.24
𝑉𝑖𝑛𝑝− ≤ 2.004𝑉
Para asegurar una señal perfecta a la salida sin recortes debemos escoger el menor de todos los
voltajes de entrada 𝑉𝑖𝑛𝑝− ≤ 2.004𝑉, por lo tanto el voltaje de entrada sinusoidal aplicado debe
ser menor a este valor encontrado.

3.7 Utilizando un voltaje de entrada sinusoidal menor al máximo calculado, simule el voltaje
del amplificador en cada terminal.

3.8 Compruebe la ganancia de voltaje.

3.9 Compruebe la ganancia de corriente.
3.10Compruebe la Impedancia de entrada.
3.11Compruebe la impedancia de salida.
3.12 Realizar un cuadro con los resultados obtenidos.

4. Pregunta

 ¿Qué ocurre con el voltaje de salida del amplificador si el voltaje de entrada es mayor al
máximo calculado? Explique.
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 ¿Con qué valor de ß está trabajando el transistor?

 ¿Cuáles son las características del amplificador implementado?

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