Configuración de los transistores base común

Configuración de Base Común Para la configuración de base común con transistores pnp y npn. La
terminología de la base común se deriva del hecho de que la base es común tanto a la entrada
como a la salida de la configuración. A su vez, por lo regular la base es la terminal más cercana a, o
que se encuentra en, el potencial de tierra. A lo largo de este libro todas las direcciones de
corriente harán referencia al flujo convencional (huecos) en lugar de hacerlo respecto al flujo de
electrones. Para el transistor la flecha en el símbolo gráfico define la dirección de la corriente del
emisor (flujo convencional) a través del dispositivo. Para describir en su totalidad el
comportamiento de un dispositivo de tres terminales, como los amplificadores de base común se
requiere de dos conjuntos de características, uno para el punto de excitación o parámetros de
entrada y el otro para el lado de la salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base
común relacionará la corriente de entrada (IE). el conjunto de características de la salida o colector
tiene tres regiones básicas de interés: la regiones activa, de corte y de saturación. La región activa
es la que suele utilizarse para los amplificadores lineales (sin distorsión). En particular: En la región
activa la unión base - colector se polariza inversamente, mientras que la unión emisor - base se
polariza directamente. La región activa se define mediante los arreglos de polarización de la figura
4.17. En el extremo más bajo de la región activa, la corriente del emisor (IE) es cero; esa es la
verdadera corriente del colector, y se debe a la corriente de saturación inversa ICO, como lo señala
la figura 4.18. La corriente ICO real es tan pequeña (microamperes) en magnitud si se compara con
la escala vertical de IC = 0. Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0 para la
configuración de base común se muestra en la figura 4.19. La notación que con más frecuencia se
utiliza para ICO en los datos y las hojas de especificaciones es, como se indica en la figura 4.19,
ICBO. Debido a las mejoras en las técnicas de fabricación, el nivel de ICBO para los transistores de
propósito general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia baja y mediana, por lo
regular es tan bajo que puede ignorarse su efecto. Sin embargo, para las unidades de mayor
potencia ICBO, así como Is, para el diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la
temperatura. A mayores temperaturas, el efecto de ICBO puede convertirse en un factor
importante debido a que aumenta muy rápidamente con la temperatura. En la región de corte,
tanto la unión base - colector como la unión emisor - base de un transistor tienen polarización
inversa. En la región de saturación, tanto la unión como la emisor - base están en polarización
directa.

Configuración de los transistores colector común

Transistor Configuración Colector Común Configuración de Colector Común: El colector es común

tanto a la entrada (base-colector) como a la salida (emisor-colector).La entrada está en la base y la
salida en el emisor. La terminología colector común se deriva del hecho de que el colector es
común tanto a la entrada como a la salida de la configuración. Para describir el comportamiento
de un dispositivo de tres terminales, se requiere de dos conjuntos de características, uno para la
entrada y otro para la salida. El conjunto de características de entrada para el amplificador de
colector común, relacionara la corriente de entrada (IB) con el voltaje de entrada (VBC) para varios
nivel es de voltaje de salida (VCE).En la Figura 5, se muestra el conjunto de características de salida
para el amplificador de colector común, relacionara la corriente de salida (IE) con el voltaje de
salida (VCE) para varios niveles de corriente de entrada (IB).Configuración de Colector Común La
configuración de colector común se utiliza sobre todo para propósitos de acoplamiento de
impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida,
contrariamente a alas de las configuraciones de base común y de un emisor común. La figura 4.21
muestra una configuración de circuito de colector común con la resistencia de carga conectada del
emisor a la tierra. Obsérvese que el colector se encuentra conectado a la tierra aunque el
transistor esté conectado de manera similar a la configuración del emisor común. Desde un punto
de vista de diseño, no se requiere de un conjunto de características de colector común para elegir
los parámetros del circuito de la figura 4.21.puede diseñarse utilizando las características de salida
para la configuración de colector común son la mismas que para la configuración de emisor
común.

Configuración de los transistores emisor común

La configuración de emisor común es la más usada. En él, el transistor actúa como un amplificador
de la corriente y de la tensión. Aparte de los efectos de amplificación, también invierte la tensión
de señal, es decir, si la tensión es tendente a positiva en la base pasa a ser tendente a negativa en
el colector; pero, como estos efectos se producen con la corriente alterna. Para estudiar las
propiedades de este tipo de configuración vamos a basarnos en un transistor tipo P-N-P. Tenemos
la unión base-emisor, JE, polarizada directamente y la unión emisor-colector, JC, inversamente
polarizada. Aplicamos una tensión a la base y otra al colector y tenemos dos resistencias, RB
conectada a la base y RC conectada al colector. El valor de la corriente de base va a depender del
valor de la resistencia RB, la corriente que circula por el colector, IC, depende de la corriente de
base, IB, como hemos visto con la formula IC = b . IB; IC es mucho más grande que IB y ese
aumento viene dado por b , que es un parámetro característico del transistor. Al colocar una
resistencia en un circuito estamos provocando una caida de la tensión, como si bajáramos la
presión del agua. Al pasar la corriente por RC se va a producir una caída de potencial; luego, la
tensión que obtengamos a la salida, también va a depender del valor de esta resistencia. Podemos
colocar una resistencia en el emisor, que llamaremos RE, que va a perjudicar mucho la
amplificación de tensión, pero va a hacer que el transistor sea mucho más estable y no le afecten
los cambios de la temperatura. Aumentando o disminuyendo los valores de las tres resistencias
podemos conseguir corrientes y tensiones diferentes en los tres terminales. Por ejemplo, si
aumentamos la resistencia de base el valor de la corriente IB será menor, lo que implicará que IC
también sea menor, y al pasar una corriente de colector menor a través de RC, el potencial que se
obtendrá a la salida será mayor; pero si disminuimos RB aumenta IB y con ella la corriente de
colector, y la tensión de colector disminuirá. Disminuyendo mucho la resistencia de base podemos
llegar a un punto en el que pasemos de la zona de activa a la de saturación, es decir, que la unión
colector-base, que está inversamente polarizada en activa, pase a estar directamente polarizada y,
por lo tanto, en saturación. Esto se produce porque IB aumenta y, en consecuencia, IC también
aumenta. Si un circuito está trabajando en zona activa, el transistor se comporta de forma lineal.
Es decir, que a iguales variaciones de la corriente de base, IB, se producen iguales variaciones de la
corriente de colector, IC. El primer punto en el cual al aumentar IB ya no aumenta IC pertenece a
la zona de saturación. También podemos modificar los valores de la corriente de base, de colector
y de la tensión de salida jugando con la tensión de entrada o con la resistencia de colector. Una
característica muy importante dentro de un circuito es determinar su punto de funcionamiento. La
corriente continua, y la tensión en cada terminal del transistor determinan el punto de
funcionamiento de un circuito. Este punto de funcionamiento se encuentra situado en la recta de
carga. Para saber cuál es el punto de funcionamiento de un transistor tenemos que determinar el
valor de VC, potencial de colector, VB potencial de base, e IC corriente de colector cuando el
potencial trabaja en zona activa. Para determinarlas podemos usar las curvas características que
representan a un transistor, o también podemos hallar el punto matemáticamente, usando dos
fórmulas que ya conocemos, la ley de Omh V = I . R y la igualdad IC = b . IB. Combinando
correctamente ambas fórmulas hallaríamos los datos que necesitamos para obtener el punto de

funcionamiento .
transistores
Los transistores son, dentro del mundo de la electrónica industrial, uno de los dispositivos más
empleados (a la par que olvidados) y que, desde hace unas cuantas décadas (desde los años 50
aproximadamente) sustituyen a las antiguas válvulas de vacío. Desde una visión muy generalista,
podrían ser definidos como interruptores. Sin embargo, y al contrario que los interruptores a los
que estamos habituados, éstos son controlados eléctricamente. De este modo, un transistor es un
elemento de tres terminales: dos de fuerza y uno de control, siendo este último el que permitirá la
conducción o no a través de los dos primeros. 1 Como ya se ha comentado, su principal aplicación
es la de interruptor electrónico, pero su labor va más allá. Siendo esto así, los transistores también
son utilizados como amplificadores (actuando como nexo entre sistemas de baja y alta potencia),
como rectificadores (dejando pasar la corriente eléctrica en un único sentido al igual que un diodo)
y como osciladores (si su control se realiza según un patrón cíclico). Desde el punto de vista de su
composición física, puede analizarse el transistor como tres capas de semiconductor dopadas. Esto
significa que a un material semiconductor (como el Germanio o el Silicio) de elevada pureza se le
agrega cierta cantidad de impurezas de forma que el nuevo material formado posea electrones
libres o huecos (falta de electrones) que permitirán la conducción. Si la impureza insertada es un
elemento del grupo III (Aluminio, Indio, Galio,…), se formará un material extrínseco de tipo P, con
exceso de huecos. Si el material añadido es del grupo V (Arsénico, Fósforo,…), el material
resultante será un semiconductor extrínseco de tipo N, con exceso de cargas (electrones) libres. Al
unir tres pastillas de semiconductor (dos de tipo P y una de tipo N o viceversa) se formarán dos
uniones. Esta estructura se asemeja a la formada por dos diodos (donde cada uno posee dos
pastillas de semiconductor y una unión), siguiendo el modelo de Ebers-Moll. Dependiendo de
cómo se polaricen dichas uniones, el transistor conducirá o no. Cabe destacar que la configuración
arriba descrita es la más simple posible pero que, en función del tipo de transistor la
microestructura será una u otra. 2 Dentro del conjunto de los transistores, existen dos familias
claramente diferenciadas: los BJT (Bipolar Junction Transistor, Transistores de Unión Bipolar) y los
FET (Field Effect Transistor, Transistores de Efecto de Campo). Las principales desemejanzas entre
los citados grupos son que, por un lado, los BJT son controlados por corriente mientras que los FET
lo son por tensión y que por otro, en los BJT se produce movimiento de potadores de dos tipos
(huecos y electrones) en cuanto que en los FET, el movimiento de cargas se da mediante huecos o
electrones y no los dos simultáneamente. Además, la principal ventaja de los BJT son sus reducidas
pérdidas en conducción mientras que los FET poseen la capacidad de ser activados con poca
energía (debido a la baja corriente de control necesaria: del orden de µA). Los terminales de los
BJT se denominan emisor, colector y base (siendo los dos primeros los terminales de fuerza y el
tercero el de control). Se subdividen en transistores PNP (dos pastillas de material P y una de
material N) y en transistores NPN (dos pastillas de material N y una de material P). Los parámetros
más importantes a considerar a la hora de escoger un transistor de esta familia son la corriente
máxima continua de colector cuando actúa como interruptor cerrado, la tensión que soporta entre
colector y emisor como interruptor abierto y el parámetro β (que representa la ganancia de
corriente). Así mismo, mencionar que un transistor BJT tiene tres zonas de funcionamiento: Corte
(interruptor abierto), saturación (interruptor cerrado) y activa (zona intermedia en la que actúa
como amplificador). 3 Por último, se analizarán los transistores FET. Dentro de este grupo, son de
especial interés los MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor FET, FET de Semiconductor Metal-
Oxido). Éstos, poseen tres terminales nombrados como drenador (D), surtidor (S) y compuerta (G).
Los MOS, se subdividen a su vez en transistores PMOS y NMOS. El funcionamiento para ambos
caso es bien sencillo: se trata de formar un canal que permita la movilidad de electrones (en los de
tipo N) o de huecos (en los de tipo P). La diferencia reside en que, para formar dicha vía, se
requiere una tensión positiva entre compuerta y sustrato (VGS>0) en los de tipo N para polarizar
correctamente la unión correspondiente, y una VGS negativa en los de tipo P (por el mismo
motivo). Estos transistores poseen a su vez tres zonas de trabajo útil: corte (interruptor abierto),
saturación (interruptor cerrado) y la zona óhmica (equivalente a la zona activa de los BJT). A la
hora de trabajar con un dispositivo de este tipo, se ha de reparar en la tensión máxima VDS que
son capaces de bloquear como interruptor abierto, la corriente máxima continua que puede pasar
como interruptor cerrado y la frecuencia de conmutación (velocidad de apertura y cierre del
transistor). 4 Finalmente y a colación del post previo en el que se describía el funcionamiento de
un circuito empleado para la carga de baterías, se especificará el motivo de selección de un PMOS
frente al NMOS. En primera instancia, se decidió implementar el montaje con un MOSFET canal N
(nomenclatura equivalente a NMOS). Como se ha explicado en el párrafo previo, la activación de
un NMOS se realiza mediante una VGS>0. Sin embargo, en la realidad, no basta con que esa
diferencia de potencial sea positiva sino que además hay que superar un determinado valor
umbral (VGSth, gate-source threshold voltage). Este valor oscila (dependiendo del modelo) entre
1V y 4V. En el montaje que nos ocupa, ésto supone un problema ya que a la salida (del lado del
surtidor) se han de tener unos 3,2V (para cargar las baterías). De este modo, y en el peor de los
casos (es decir, si VGSth=4V), se requeriría aplicar en la puerta una tensión de 3,2+4=7,2V. Esto
implica que se debe usar una fuente de tensión externa para llegar hasta esta tensión (ya que no
se puede aprovechar la tensión del panel solar que da, como máximo, 6V en carga), lo cual es,
obviamente, un inconveniente. El problema descrito sobre estas líneas ha sido solucionado,
reemplazando el NMOS por un PMOS que, como se ha comentado previamente, se activa
aplicando una tensión VGS<0. Nótese que al situar el nuevo transistor, el PMOS, se ha permutado
la ubicación de D y de S. Esto es debido a que, independientemente de la naturaleza del transistor,
el diodo interno que lleva ensamblado, ha de impedir que la corriente se derive por él. Por tanto,
con un PMOS podemos dejar el transistor abierto simplemente mediante la aplicación de una
tensión de igual valor a la que hay a la entrada, (en el panel y por tanto, en S) en la puerta, y
pasarlo a conducción dejando caer a 0V la tensión de puerta. A modo de conclusión, dejar claro
que para muchas aplicaciones de potencia, un PMOS es una mejor opción para utilizar en el HIGH-
SIDE (el lado de la alimentación) del circuito que un NMOS debido a la facilidad en su
activación/desactivación.

Amplificadores
Un amplificador operacional de precisión es aquel que incorpora algún tipo de corrección
de la tensión de offset de entrada. La tensión de offset de entrada es la diferencia de
tensión entre las entradas inversora y no inversora del amplificador, que puede variar
entre microvoltios y milivoltios. La cantidad de offset depende mucho del emparejamiento
de los transistores de entrada. Además de la tensión de offset de entrada inicial, otros
factores también pueden afectar el comportamiento de esta tensión de error, como la
tensión en modo común, la tensión de trabajo, la tensión de salida, la temperatura e
incluso el tiempo. Dependiendo de la aplicación, estos factores externos pueden
determinar la mejor arquitectura de amplificador para cada diseño. Ajuste por EPROM
Algunos amplificadores operacionales utilizan fusibles EPROM no volátiles para corregir la
tensión de offset de entrada. En muchos casos esto se lleva a cabo dentro del encapsulado
durante la etapa de test final y es una manera muy económica de lograr un amplificador
con una baja tensión de offset inicial. Dado que el amplificador se ajusta durante la fase
posterior al ensamblaje, se puede corregir cualquier offset relacionado con el ensamblaje.
La otra ventaja de esta arquitectura es que el amplificador es ajustado por el fabricante y
no requiere ajuste alguno por parte del cliente. El inconveniente es que el fusible EPROM
ocupa espacio en el chip, de ahí que sea difícil disponer de dispositivos con ajuste por
EPROM en encapsulados muy compactos. Del mismo modo que los amplificadores de
aplicación general, esta arquitectura será sensible a factores del entorno como la
temperatura, así como a cambios en la tensión en modo común y de trabajo. Ajuste láser
Otro método que se utiliza a menudo para aumentar la precisión de un amplificador
operacional es el ajuste láser. En este proceso se utiliza un láser para ajustar el valor de
resistencia de unas resistencias de película fina integradas en la oblea de silicio. La
precisión de esta técnica puede ser relativamente elevada dado que el proceso de ajuste
es continuo, a diferencia de la serie de pasos discretos en el ajuste por EPROM. Otra
ventaja es que las resistencias de película fina son inherentemente más estables frente a
la temperatura, aumentando así la precisión del amplificador para un amplio rango de
temperaturas. Sin embargo, el ajuste láser se debe realizar a nivel de oblea y no puede
realizarse en el encapsulado del dispositivo. Los procesos de corte de la oblea en pastillas
individuales, la colocación de la pastilla en el encapsulado y la conexión de la pastilla a las
patillas del encapsulado pueden provocar un estrés mecánico en la oblea que afectará
negativamente a la precisión total del dispositivo. Estos cambios relacionados con el
ensamblaje no pueden valorarse en los amplificadores con ajuste láser y por tanto añaden
error al amplificador. Al igual que los fusibles EPROM no volátiles, el ajuste láser sólo se
realiza una sola vez durante la fase de fabricación del dispositivo, sin posibilidad de
reajustar el dispositivo. Los cambios en las condiciones de trabajo externas, como los
cambios de temperatura y de la tensión de trabajo, afectarán de forma adversa a la
precisión del amplificador y pueden tener un impacto directo sobre las prestaciones del
diseño en general. LaserieRcuadro copia Amplificadores operacionales con puesta a cero
automática La arquitectura de puesta a cero automática (auto-zero) es una arquitectura
de autocorrección continua que usa un amplificador de anulación para corregir la tensión
de offset del amplificador principal. Esta arquitectura logra un error de offset ultrabajo
que puede ser 100 veces mejor que en un amplificador con ajuste por EPROM. También
logra una baja deriva de offset y elimina el ruido 1/f al tiempo que proporciona niveles
superiores de rechazo a fuentes de alimentación y en modo común. Dado que esta
arquitectura corrige automática y continuamente la tensión de offset de entrada, es
inherentemente insensible al entorno. Los cambios frente a la temperatura y el
envejecimiento, así como los cambios de la tensión de trabajo y en modo común, tendrán
muy poco efecto sobre la precisión de un amplificador con puesta a cero automática.
Como la circuitería de autocorrección está integrada en el circuito, no hace falta ninguna
entrada a medida. Desde el punto de vista del sistema, un amplificador operacional con
puesta a cero automática, como el MCP6V0 mostrado en la Figura 1, parece y funciona del
mismo modo que un amplificador operacional estándar y añade la ventaja de unas
prestaciones excepcionales. A pesar de todas estas ventajas, la arquitectura de puesta a
cero automática con autocorrección tiene algunas limitaciones. La conmutación continua
de la circuitería de corrección interna genera ruido de conmutación y también da como
resultado una mayor corriente en reposo para un ancho de banda determinado.
Finalmente, debido a la precisión ultraelevada de este tipo de dispositivo, el tiempo de
comprobación puede ser relativamente largo, lo que se traduce en un dispositivo más caro
de fabricar. Calibración integrada Otra alternativa consiste en utilizar un amplificador
operacional de alta precisión con un circuito de calibración integrado. La tecnología de
calibración mCal de Microchip permite que los amplificadores operacionales obtengan
una tensión de offset inicial tan baja como las otras arquitecturas pero, a diferencia de los
amplificadores con ajuste por EPROM o láser, la calibración está activa en cuanto se
conecta a la alimentación o mediante una patilla de calibración externa. Esto permite que
el usuario recalibre el amplificador siempre que lo desee. Una recalibración frecuente
puede hacer que la precisión del amplificador sea insensible al entorno. Por ejemplo, si un
cliente está muy preocupado por la deriva respecto a la temperatura, el error de deriva
puede minimizarse recalibrando el dispositivo cada vez que la temperatura varíe cinco
grados. Si bien esta solución puede reducir significativamente la deriva del amplificador
frente a la temperatura, también exige que el usuario inicie activamente una rutina de
calibración conectando la patilla de calibración al amplificador. Conclusiones Muchas
aplicaciones pueden aprovechar los amplificadores operacionales de mayor precisión
pero, con el fin de elegir el amplificador adecuado, los diseñadores deben comprender los
puntos fuertes y los puntos débiles de cada una de las arquitecturas utilizadas para lograr
un offset bajo. Si bien todas las arquitecturas descritas anteriormente logran una baja
tensión de offset inicial, las condiciones del entorno también pueden afectar a la precisión
del amplificador. La utilización de un amplificador con una arquitectura de autocorrección
continua, como un amplificador con puesta a cero automática o uno con capacidad de
recalibración mediante la tecnología mCal, permite minimizar los efectos adversos de las
condiciones externas. La Tabla 1 señala los factores a valorar cuando se evalúa qué
arquitectura de amplificador es mejor para una aplicación determinada.

operacional

INTRODUCCION.- El concepto original del AO (amplificador operacional) procede del campo de los
computadores analógicos, en los que comenzaron a usarse técnicas operacionales en una época
tan temprana como en los años 40. El nombre de amplificador operacional deriva del concepto de
un amplificador dc (amplificador acoplado en continua) con una entrada diferencial y ganancia
extremadamente alta, cuyas características de operación estaban determinadas por los elementos
de realimentación utilizados. Cambiando los tipos y disposición de los elementos de
realimentación, podían implementarse diferentes operaciones analógicas; en gran medida, las
características globales del circuito estaban determinadas sólo por estos elementos de
realimentación. De esta forma, el mismo amplificador era capaz de realizar diversas operaciones, y
el desarrollo gradual de los amplificadores operacionales dio lugar al nacimiento de una nueva era
en los conceptos de diseño de circuitos. Los primeros amplificadores operacionales usaban el
componente básico de su tiempo: la válvula de vacío. El uso generalizado de los AOs no comenzó
realmente hasta los años 60, cuando empezaron a aplicarse las técnicas de estado sólido al diseño
de circuitos amplificadores operacionales, fabricándose módulos que realizaban la circuitería
interna del amplificador operacional mediante diseño discreto de estado sólido. Entonces, a
mediados de los 60, se introdujeron los primeros amplificadores operacionales de circuito
integrado. En unos pocos años los amplificadores operacionales integrados se convirtieron en una
herramienta estándar de diseño, abarcando aplicaciones mucho más allá del ámbito original de los
computadores analógicos. Con la posibilidad de producción en masa que las técnicas de
fabricación de circuitos integrados proporcionan, los amplificadores operacionales integrados
estuvieron disponibles en grandes cantidades, lo que, a su vez contribuyó a rebajar su coste. Hoy
en día el precio de un amplificador operacional integrado de propósito general, con una ganancia
de 100 dB, una tensión offset de entrada de 1 mV, una corriente de entrada de 100 nA. Y un ancho
de banda de 1 MHz. es inferior a 1 euro. El amplificador, que era un sistema formado
antiguamente por muchos componentes discretos, ha evolucionado para convertirse en un
componente discreto él mismo, una realidad que ha cambiado por completo el panorama del
diseño de circuitos lineales. Con componentes de ganancia altamente sofisticados disponibles al
precio de los componentes pasivos, el diseño mediante componentes activos discretos se ha
convertido en una pérdida de tiempo y de dinero para la mayoría de las aplicaciones dc y de baja
frecuencia. Claramente, el amplificador operacional integrado ha redefinido las "reglas básicas" de
los circuitos electrónicos acercando el diseño de circuitos al de sistemas. Lo que ahora debemos de
hacer es a conocer bien los AOs, cómo funciona, cuáles son sus principios básicos y estudiar sus
aplicaciones

Tipos

Tipos de amplificadores operacionales Escrito por Matt Gerrard | Traducido por Ana María
Guevara Tipos de amplificadores operacionales Tipos de amplificadores operacionales.
John Foxx/Stockbyte/Getty Images Los amplificadores operacionales son unos
amplificadores diferenciales usados en circuitos electrónicos para aplicar varios procesos a
una señal análoga. Dependiendo del tipo de amplificador operacional que esté integrado
en un circuito, puede realizar varias funciones electrónicas diferentes, como suma, resta,
integración o diferenciación. Otras personas están leyendo ¿Que tipos de amplificadores
existen? 30 fotografías que sacarán al obsesivo que tienes dentro Amplificador
inversor/no inversor El propósito definitivo de cualquier amplificador es aumentar la señal
de un circuito en particular. Lo que diferencia a los amplificadores operacionales de los
otros es que realizan algunos procesos matemáticos adicionales a la señal mientras la
amplifican. Un amplificador operacional no inversor es esencialmente el tipo "base" que
incrementa la ganancia de una señal electrónica sin ningún otro proceso adicional. Un
amplificador operacional inversor aumentará la ganancia de la señal y también revertirá la
polaridad de la señal de salida, de positivo a negativo o viceversa. Seguidor de voltaje Un
seguidor de voltaje es usado para aumentar la señal de circuitos con voltajes variables.
Aplica el mismo tipo de aumento de ganancia que el amplificador estándar, pero se
rastrearán variaciones en la ganancia de entrada y se emparejarán por la señal de salida.
Este tipo de circuitos son a menudo usados por delante de otros sistemas para prevenir el
daño por cambios súbitos de voltaje. Amplificadores de suma/resta Estas dos variedades
de amplificadores operacionales realizan un proceso aritmético en la señal. Un
amplificador operacional de resta saca una señal que es igual a la resta entre sus dos
entradas. Un amplificador de suma combina diferentes voltajes de un número de
entradas, y saca una ganancia basándose en los voltajes combinados. Cualquiera de estos
circuitos puede ser configurado para operar como sistemas inversores o no inversores.
Integradores/diferenciadores Las variedades más complejas de amplificadores
operacionales son los integradores y diferenciadores. La suma de un capacitador al
circuito significa que el integrador reacciona a cambios en el voltaje con el tiempo. La
magnitud del voltaje de salida cambia, basándose en la cantidad de tiempo que un voltaje
gasta apareciendo en la entrada. El diferenciador es lo opuesto a esto. El voltaje producido
en el canal de salida es proporcional a la tasa de cambio de la entrada. Los cambios más
grandes y rápidos en el voltaje de entrada producirán voltajes de salida más altos.