Transistores

Ing. Mnica Patricia Ren

introduccin
Propulsor del desarrollo de la electrnica y sus mltiples aplicaciones. Super las dificultades que presentaba su antecesor, la vlvula. Desarrollados en 1947 en los lab. Bell por los fsicos W. Shockley y J. Bardeen y W. Brattain.

vlvulas

introduccin
Los diez aos posteriores : se inventaron distintos tipos de transistores (de punto, de juntura, de campo) se emplearon diferentes materiales, inicialmente el germanio (1948) y posteriormente el silicio (1954), que domina la industria semiconductora de la actualidad; se logr construir una gran cantidad de transistores, otros elementos y los circuitos para acoplarlos directamente sobre una oblea de silicio, a lo que se le dio el nombre de circuito integrado (1958).

introduccin
Impulsaron el desarrollo de la computacin y su evolucin e integracin marco el inicio de las diferentes generaciones de computadoras.

introduccin

El transistor BJT
BJT (bipolar junction transistor)= Transistor bipolar de unin. Dispositivo semiconductor de tres capas, n-p-n o p-n-p.
E
n p n

E
p n p

VEE

Vcc

VEE

Vcc

Posee tres terminales denominados: E=emisor, B= base y C=colector. La capa del emisor se encuentra fuertemente dopada con impurezas, la de la base ligeramente dopada y la del colector slo muy poco dopada.

El transistor BJT
El trmino bipolar se refiere a que tanto los huecos como los electrones participan en el proceso de inyeccin hacia el material polarizado en forma opuesta.

Si slo se utiliza un portador (electrn o hueco) se considera entonces un dispositivo unipolar, ej . diodo Schottky.
El transistor bipolar, tanto PNP como NPN, est formado por dos uniones P-N, es decir, por dos diodos enfrentados.
C Q1 B B
E B C548A
2N E 1132A Simbologa para circuitos Q2 C

NPN

PNP

Funcionamiento BJT
Describiremos la operacin bsica del transistor p-n-p. La operacin para uno n-p-n es exactamente la misma que si se intercambian los papeles desempeados por el electrn y el hueco. Para que un transistor funcione correctamente debemos polarizarlo.

Funcionamiento BJT
Polarizamos el transistor como se muestra en la figura, unin emisor- base en polarizacin directa, y unin basecolector en polarizacin inversa. Los portadores mayoritarios del emisor (huecos) formarn un fluyo de cargas que atravesarn la base. Los huecos del emisor y los portadores minoritarios de la base (huecos) formarn un flujo de cargas(positivas) que llegarn hasta el colector.
IE E p
+++

p C

IC

++++++++++++++++++++++++++++++++++ p n p

IB

VEE

Vcc

Funcionamiento BJT

IE E

p
+++

p C

IC

++++++++++++++++++++++++++++++++++ p n p

IB

VEE

Vcc

Funcionamiento BJT
La corriente inversa ICO es muy pequea comparada con la IC pero aumenta con la temperatura. Si lo anterior no se considera se puede afectar la estabilidad del sistema a temperaturas altas. Las mejoras en las tcnicas de fabricacin han provocado niveles significativamente ms bajos de ICO, a tal grado que es casi posible omitir su efecto.

Funcionamiento BJT
Regiones de agotamiento o barrera de potencial

IE E

p
+++++++ p ++

n
+++++ n

p
++++++++ p ++++++++

IC C

+++

IB

VEE

Vcc

Funcionamiento BJT
La operacin para uno NPN es exactamente la misma que si, se intercambian los papeles desempeados por el electrn y el hueco. Con la polarizacin directa de la unin E-B, los portadores mayoritarios del Emisor (electrones) cruzarn hacia la base. En la Base los portadores minoritarios (electrones) se unirn a los portadores que venan del Emisor y cruzarn hacia el Colector para salir del mismo. Algunos portadores mayoritarios del E se desviarn hacia la B, formando la IB, cuyo valor es muy pequeo comparado con las corrientes IE e IC
IE E n
----

n C

IC

---------------------------------------p n p ----------------------------------------

IB

VEE

Vcc

Funcionamiento BJT
Sin embargo las direcciones que se toman para las corrientes por convencin, se refieren a la direccin que tendra una corriente formada por huecos en lugar de al flujo de electrones. En el caso del transistor n-p-n , por convencin las corrientes en el emisor, la base y el colector tendran las direcciones como se muestra en las siguientes figuras.
IE n p n IC
+++

++++++++++++++++++++++++++++++++++ p n p

IB

VEE

Vcc

clasificacin
Los transistores se clasifican en:

Zonas de operacin de un BJT

Un transistor posee 3 zonas, regiones o estados de operacin. Un transistor puede estar en estado de corte (circuito abierto) cuando la corriente en el colector, la corriente en el emisor y la corriente en la base son cero. Un transistor puede estar en estado de saturacin (circuito cerrado) cuando la corriente en el colector y la corriente en el emisor son mximas. Un transistor puede estar en estado activo cuando la corriente en el colector, depende de la corriente de base. Esta regin es la que permite que el transistor funcione como amplificador. Polarizar un transistor significa situarlo en uno de los estados particulares mencionados.

Zonas de operacin de un BJT

Para polarizar un transistor debemos tener en cuenta dos cosas: 1. como est configurado, conexin en el circuito. 2. sus caractersticas elctricas, especificadas mediante parmetros y curvas en la hoja de datos del fabricante. Adems la configuracin siempre se hace en c.d, es decir con voltajes y corrientes directas.

Existen tres configuraciones bsicas denominadas: Base Comn (BC), Emisor Comn(EC) y Colector Comn (CC).

Zonas de operacin de un BJT

Entrada Salida

terminal comn

EC

CC

BC

EC: el emisor es el punto comn o referencia para el circuito de entrada (BE) y el circuito de salida (EC). CC: el colector es el punto comn o referencia para el circuito de entrada (BC) y el circuito de salida(CE). BC: la base es el punto comn o referencia para el circuito de entrada (EB) y el circuito de salida (BC).

Zonas de funcionamiento (ej. BC)

Para la configuracin BC, segn las polarizaciones (voltajes directos) que coloquemos en las uniones BE y BC tendremos 4 tipos diferentes de zonas de funcionamiento para un mismo transistor:

Zonas de funcionamiento

Circuito simple configuracin Emisor Comn (EC)

Debemos polarizar la unin base-emisor directamente y unin basecolector inversamente. Actuar como una fuente de corriente controlada por corriente.

Curvas caractersticas
Por ser un elemento de tres terminales posee tres curvas caractersticas tensin-corriente. Dos de ellas son suficientes para definir el funcionamiento del elemento. Estas son la curva caracterstica V-I de entrada y la curva caracterstica V-I de salida (que es un conjunto de curvas en funcin de uno de los parmetros de entrada).

Curvas caractersticas para configuracin EC

Caracterstica I-V de entrada: El voltaje mnimo para polarizar directamente la unin BE est entre los 0.3 a 0.7 Volt.

Curvas caractersticas para configuracin EC

La curva anterior, es la curva caracterstica de un diodo en polarizacin directa, recordemos que la ecuacin para calcularla era:

Curvas caractersticas para configuracin EC

Caracterstica V-I de salida

Polarizacin del transistor para configuracin EC . Anlisis en corriente continua (c.c)

Para determinar, en que zona de funcionamiento queremos que opere el transistor, debemos polarizarlo. Es decir proporcionarle los valores adecuados de voltaje y corriente para que ste opere o como un amplificador, o como un interruptor abierto (corte) o como un interruptor cerrado (saturacin), segn nuestras necesidades circuitales. Para polarizarlo debemos adems conocer las caractersticas, segn su hoja de datos, de voltajes, corrientes mximas y mnimas que soporta.

Polarizacin del transistor para configuracin EC . Anlisis en corriente continua (c.c)

Debemos analizar el circuito de entrada (unin base-emisor) para determinar los valores de voltaje en c.d y la resistencia de base que debemos colocar para fijar el punto de operacin (conocido como punto Q) ya sea en la zona de corte, de saturacin o activa. Una vez polarizado el transistor, procedemos a suministrarle una seal de entrada en c.a para que este por ejemplo la amplifique, o la desfase u opere sobre ella interrumpindola. En resumen , lo primero que debemos hacer cuando trabajamos con un transistor es polarizarlo, o sea ubicarlo en su regin de funcionamiento.

Polarizacin del transistor para configuracin EC . Anlisis en corriente continua (c.c)

Polarizacin del transistor para configuracin EC . Anlisis en corriente continua (c.c)

Polarizacin circuito de entrada , recta de carga.

Polarizacin del transistor para configuracin EC . Anlisis en corriente continua (c.c)

Polarizacin circuito de entrada , recta de carga.

Polarizacin del transistor para configuracin EC . Anlisis en continua

Polarizacin del transistor para configuracin EC . Anlisis en continua

Polarizacin del transistor para configuracin EC . Anlisis en continua.

Polarizacin del transistor para configuracin EC . Anlisis en continua.

Configuraciones de circuitos transistorizados monoetapa. Anlisis en alterna.

De manera general veremos cualitativamente caractersticas tpicas de las configuraciones bsicas, que podemos encontrar para circuitos transistorizados de una etapa (un solo transistor). El circuito EC proporciona una inversin (desfasaje de 180) y amplificacin de un voltaje alterno que coloquemos en el circuito de entrada. Colocar alguna figura o mejor simulacin!

Configuraciones de circuitos transistorizados monoetapa. Anlisis en alterna.

El circuito CC proporciona una ganancia de corriente y de potencia cuando aplicamos un voltaje alterno en el circuito de entrada . Adems no desfasa la seal (no la invierte). El circuito BC proporciona en la salida, la amplificacin de un voltaje alterno que coloquemos en el circuito de entrada pero sin desfasaje de la seal.

Configuraciones de circuitos transistorizados monoetapa. Anlisis en alterna.

Configuraciones de circuitos transistorizados monoetapa. Anlisis en alterna.

Configuraciones de circuitos transistorizados monoetapa. Anlisis en alterna.

Configuraciones de circuitos transistorizados monoetapa. Anlisis en alterna.

Aplicaciones

limitaciones

Aplicaciones
Realizacin de TP N9 Introduccin a transistores y TP N10 Multivibradores Astables.