Escuela Politcnica Nacional. Caarte, Jara. Amplificador Emisor Comn.

CIRCUITO AMPLIFICADOR EN EMISOR

COMN. APLICACIONES.
Caarte, Cristbal., Jara, Jessica.
criseobaleli@hotmail.com , lj_jara94@hotmail.com,
Escuela Politcnica Nacional

Resumen. Los transistores de unin bipolar o TBJ son

muy utilizados en el mundo de la electrnica debido a sus
caractersticas y configuraciones en base a lo que se quiera
obtener, por ende es necesario conocer su funcionamiento,
sus aplicaciones, sus parmetros, caractersticas, entre
otros parmetros del mismo que se detallaran en el
presente documento. Se conocer lo que es un TBJ desde
su construccin, pasando por sus caractersticas, mtodos
de polarizacin, hasta llegar a su configuracin en emisor
comn que es la configuracin ms utilizada en los
circuitos debido a su alta ganancia de voltaje, y alta
resistencia de salida, adems de que se realizar el diseo
de un amplificador en emisor comn bsico en base a
parmetros dados, intentando que sea lo ms entendible
posible y justificando las condiciones para el clculo.

Fig1. Construccin Bsica de un TBJ

Su respectiva simbologa es la siguiente:

ndice de TrminosAmplificador emisor comn,

ganancia de corriente, ganancia de voltaje, resistencia de
emisor uno RE1, hueco
Fig2. Simbologa de un TBJ

I.INTRODUCCIN
I.
A. Qu es un TBJ?
Un TBJ es un transistor de unin bipolar, se le llama as
debido a que es bsicamente la unin de tres semiconductores,
en cada regin el semiconductor recibe el nombre de emisor,
base y colector. Dado que se pueden usar semiconductores de
tipo N (predomina la cantidad de electrones de conduccin) y
de tipo P (predomina la cantidad de huecos). De manera que
existen dos tipos de TBJs, los de tipo que estn conformados
por dos regiones n separadas por una regin tipo p (npn), y el
de tipo que estn conformados por dos regiones p separadas
por una regin tipo n (pnp).

B. Polarizacin.
Un TBJ es un amplificador controlado por corriente, de
manera que para que funcione es necesario polarizarlo de
manera adecuada, es decir la unin base emisor (BE) en
directa y la unin base colector (BC) en inversa.

Fig3. Simbologa de un TBJ

Ahora tomando en cuenta un transistor tipo npn, La regin

tipo n tiene bastantes electrones de valencia, estos electrones
se difunden con facilidad a travs de la unin BE polarizada
en directa hacia la regin de la base tipo p que es delgada y
posee pocos electrones de valencia. Sin embargo la base posee
una cantidad baja de huecos tambin al ser delgada, de manera

Faculta de Ingeniera Elctrica y Electrnica

Escuela Politcnica Nacional. Caarte, Jara. Amplificador Emisor Comn.

que una pequea cantidad de electrones se van hacia la base.
Debido a que los electrones ocupan parte de los huecos que
posee la base, se transforman en electrones libres en el
conductor de la base y producen una corriente de base externa,
Como no todos los electrones se mueven hacia la base por
tener pocos huecos, son atrados hacia el colector pues este
esta polarizado de manera positiva, de manera que son
arrastrados hacia el circuito externo y luego regresan al emisor
junto con la corriente de base.

Adems de estos parmetros, para el anlisis del TBJ se

puede considerar como el siguiente circuito en CD:

Fig.5 Conduccin en un TBJ NPN

D. Curvas Caractersticas del colector.

Es necesario conocer el comportamiento del transistor en base
a la corriente de colector que circula y el voltaje entre la
juntura Colector-Emisor, esta relacin se expresa grficamente
en la figura a continuacin:

Fig.4 Conduccin en un TBJ NPN

De manera que las corrientes tienen las siguientes direcciones

en cada caso del transistor, ya sea npn o pnp.

Fig.5 Corrientes en un transistor tipo NPN y PNP

C. Parmetros de un TBJ
1) Beta de cd (
) y el alfa de cd (

La ganancia de corriente de CD de un transistor es la

relacin entre la corriente de colector y la corriente de
base, a esta relacin se la conoce como ganancia de
corriente

De manera anloga, la relacin entre la corriente de

colector y la corriente del emisor en cd se la conoce como
alfa.

Faculta de Ingeniera Elctrica y Electrnica

Fig.6 Ic vs Vce

En la Fig.6 se observa que existe una regin de corte en la cual

el transistor no opera, y el voltaje en la juntura colectoremisor es el mismo voltaje de polarizacin, y en la regin de
saturacin, el Vce tiende a ser cero, y por ende circula ms
corriente en el colector, llegando a su mximo valor y
permaneciendo constante, hasta la regin de ruptura, donde el
transistor no soportara el voltaje de polarizacin dandose.
La siguiente recta corresponde a la recta de carga del TBJ, en
la cual al polarizar al TBJ se podr graficar en base al voltaje
aplicado Vcc, esta recta es muy til ms adelante pues permite
conocer los parmetros de operacin de un amplificador tal
que no se recorte nuestra seal amplificada.

Escuela Politcnica Nacional. Caarte, Jara. Amplificador Emisor Comn.

Fig.7 Recta de carga de un TBJ

El punto de trabajo del TBJ es un punto dentro de la recta de

carga en el cual el TBJ est trabajando, en los amplificadores
es necesario establecer este punto lo ms cercano al centro
geomtrico de la recta de carga.
E. Hoja de datos de un transistor (Datasheet)
En base a los parmetros otorgados por el fabricante podremos
realizar una mejor aproximacin de un amplificador en emisor
comn, En las hojas de datos se incluyen los voltajes C-E
mximos, Ic mxima la ganancia de corriente , entre otros
parmetros, a continuacin un ejemplo de una hoja de datos
del transistor 2N3904

F.

Polarizacin de un TBJ.

Existe ms de una forma de polarizar un transistor, a

diferencia de polarizarlo con una fuente de voltaje externa,
como se ver a continuacin.
1) Polarizacin mediante divisor de voltaje
Bsicamente se aplica la caracterstica de que en resistencias
conectadas en serie a una fuente de voltaje, existe un voltaje
diferente en cada resistencia si son de diferentes valores,
entonces haciendo uso de este principio podemos polarizar un
TBJ usando una nica fuente como se indica a continuacin:

Fig.8 Polarizacin mediante divisor de voltaje

Para que el divisor de voltaje sea rgido, es decir que la base

reciba el voltaje necesario se hace que I2=10Ib, esta
consideracin la haremos en el momento de disear.
2) Polarizacin de emisor

Faculta de Ingeniera Elctrica y Electrnica

Escuela Politcnica Nacional. Caarte, Jara. Amplificador Emisor Comn.

potencia.
Circuito equivalente en ac
Para el anlisis en ac consideramos un circuito
equivalente, con las siguientes caractersticas:
A.

Fig.9 Polarizacin de emisor

Esta opcin es excelente debido a que proporciona excelente

estabilidad de polarizacin pese a los cambios de temperatura
y
3) Polarizacin de Base

- Los capacitores de la C1, C2 y C3 (fig. 3) son

reemplazados por cortos porque sus valores se
seleccionan de modo que XC sea despreciable a
la frecuencia de la seal.
- La fuente de DC (fig. 3) se la reemplaza por
tierra.

Este circuito es muy comn en los circuitos de conmutacin

Figura 11. Circuito equivalente en AC del amplificador en

emisor comn.

Fig.10 Polarizacin de base

II.

CONFIGURACIN EN EMISOR COMN

Existen tres configuraciones bsicas en circuitos

con TBJ: circuito amplificador en base comn,
circuito amplificador en colector comn y el ms
utilizado el circuito amplificador en emisor comn.
Sus nombres estn relacionados con la parte del
transistor que se encuentra tanto en el lazo de
entrada como en el de salida.
La configuracin en emisor comn tiene el emisor
como terminal comn, o tierra, ante una seal de ac.
Su nombre tambin se debe a la combinacin de las
corrientes de base y de colector en el emisor. Este
tipo de amplificadores poseen una alta ganancia de
voltaje y una alta ganancia de corriente, en
consecuencia tienen muy buenas ganancias de
Faculta de Ingeniera Elctrica y Electrnica

Los capacitores C1, C3 son capacitores que

permiten bloquear la componente de continua de la
fuente VCC haca el generador (C1) y hacia la carga
RL (C3).
El capacitor C3, contra la ganancia de voltaje, para
esta etapa de anlisis lo consideramos como un
corto circuito.
B.
Proceso de amplificacin.
La figura 3 muestra un amplificador en emisor
comn con polarizacin de divisor de voltaje y
capacitores de acoplamiento C1 y C3 a la entrada y
salida, y un capacitor de puenteo, C2, del emisor a
tierra. La seal, Vent est acoplada capacitivamente a
la base; la seal de salida, Vsal, est acoplada
capacitivamente del colector a la carga. La salida
amplificada est desfasada 180 con respecto a la
entrada. No hay seal en el emisor porque el
capacitor de puenteo pone al emisor en cortocircuito
con tierra a la frecuencia de la seal.

Escuela Politcnica Nacional. Caarte, Jara. Amplificador Emisor Comn.

I E R E VO
V
VE
in
RE
R L
VE

(3)

RE
Vinm
R E

Para el valor de la fuente de polarizacin:

VCC V E VCE V RC

Figura 12. Amplificador en emisor comn.

VCC V E VO Vin VCE min V RC

VCC 1.1VCC

III.

DISEO DE CIRCUITO AMPLIFICADOR EN

(4)

EMISOR COMN

Condiciones de amplificacin
Comenzaremos con el anlisis bajo
condiciones de dc, entonces se tiene que:
A.

las

VCE VO V IN VCE min

VCE min 0.2V
VCE min VCEin

(1)

Para el diseo se considera un margen de error del

10% y 20%.
A continuacin presentamos las curvas
caractersticas del transistor para la configuracin
emisor comn, ntese la intencin de poder contar
con valores referenciales de los valores
caractersticos en dc.

VCE min 2V

Este valor es el mnimo para que no exista

distorsin en la seal.
Se garantiza que no haya distorsin debido a la
corriente de colector:
I CQ I C
I C R L VO
V RC VO

RC
RL
V RC

RC
VO
R L

(2)

Figura13. Curvas caractersiticas para el amplificador en

emisor comn.

Se considera la siguiente ecuacin para evitar

distorsin debido a la corriente de emisor:
B.

Clculo de impedancias
1) Resistencia dinmica
La resistencia de ac en el emisor, re, es el
parmetro r ms importante, su frmula se deriva
suponiendo que ocurre una unin abrupta entre las

Faculta de Ingeniera Elctrica y Electrnica

Escuela Politcnica Nacional. Caarte, Jara. Amplificador Emisor Comn.

regiones n y p.
re

26 mV
IE

Rin R1 R 2 RinT

(5)

La mayora de los diseos no dependen

crticamente del valor de re, su valor podra variar
ligeramente con respecto al mtodo que se utilice
para su clculo.
2) Impedancia de entrada al transistor
La impedancia de entrada al transistor en
parmetros r (fig. 5), est dada por el voltaje de
entrada partido de la corriente de entrada, as se
tiene que:
RinT

Vin
I in

RinT

(re R E1 ) I E
IB

RinT

(re R E1 ) 1 I E
IB

(6)

RinT (re R E1 ) 1

(7)

4) Impedancia de salida del circuito

Es la resistencia viendo desde el colector, que
sera el paralelo entre RC y RL.
Rout R L RC
(8)
C.
Clculo de capacitores
Los capacitores se aproximan a cortocircuitos
para seales de ac y como circuitos abiertos para las
seales dc.
Por tanto, se puede distinguir dos tipos:
- Capacitores de paso, se utilizan para
eliminar de manera efectiva, al poner en corto,
los resistores durante la operacin de ac.
- Capacitores de acoplamiento, se utilizan
para bloquear la corriente directa y permitir el
paso de la seal de ac.
1) Capacitor C1
Debe cumplir con la condicin de:
Vout

Rin
Vin
X B Rin R B

X C1 Rin
1
Rin
2 f C1
C1

Figura 14. Modelo del transistor de parmetro r (debntro

del bloque sombreado) conectado a un circuito externo.

1
2 f Rin

(9)

2) Capacitor C2
Debemos cumplir con la condicin de:
X C2 R L

3) Impedancia de entrada al circuito

Es la resistencia vista por la fuente de ca
conectada a la entrada. Es deseable un alto valor de
resistencia de entrada de modo que el amplificador
no cargue en exceso a la fuente de seal

Faculta de Ingeniera Elctrica y Electrnica

1
RL
2 f C 2
C2

1
2 f R L

(10)

Escuela Politcnica Nacional. Caarte, Jara. Amplificador Emisor Comn.

3) Capacitor C3
Para el clculo de este capacitor tenemos la
condicin de:

IV.

EJEMPLOS DE DISEO

A.

Ejemplo de diseo con la condicin de Rin.

B.

Ejemplo de diseo sin condicin de Rin.

X C3 R E
1
RE
2 f C 3
C3

D.

1
2 f R E

(11)

Para el diseo en emisor comn tomaremos algunos criterios,

para establecer un buen punto de trabajo del TBJ y la seal de
salida no se vea afectada.

Parmetros de amplificacin

1) Ganancia de voltaje
Se define como la relacin entre el voltaje de
salida y el voltaje de entrada y se lo representa por
Av.
Av

R L RC
Vo

Vin
re R E1

(12)

Tambin se define como:

Av

Todo lo que sta en colector para seal

Todo lo que sta en emisor para seal

2) Ganancia de corriente
Es la relacin entre la corriente de salida y la
corriente de entrada, para esta configuracin la
corriente de salida es iC y la corriente de entrada es
iB, la ganancia de corriente Ai ser:
Ai

iC

iB

(13)

3) Ganancia de potencia
La ganancia de potencia viene dada por producto
entre la ganancia de voltaje y la ganancia de
corriente.
A p AV Ai

(14)

Ahora dados todos los criterios de diseo procederemos a

disear un amplificador en emisor sin el parmetro de
resistencia de entrada, los elementos faltantes pueden ser
Faculta de Ingeniera Elctrica y Electrnica

Escuela Politcnica Nacional. Caarte, Jara. Amplificador Emisor Comn.

calculados usando las leyes de corrientes de Kirchhoff, leyes

de voltajes de Kirchhoff, y la ley de ohm.

V.

APLICACIONES EN LA VIDA REAL DE LOS

CIRCUITOS AMPLIFICADORES EN EMISOR COMN

Mezclador de audio.
Cuando se combinan dos o ms seales en una
sola salida de audio, se emplean mezcladores como
el que aparece en la figura 8. Los potencimetros en
la salida son controles de volumen para cada canal,
el potencimetro R3 proporciona un balance
adicional entre las dos seales. Los resistores R4 y
R5 aseguran que un canal no tenga un efecto de
carga en el otro, es decir, para asegurar que una
seal no aparezca como carga para la otra, consuma
potencia y afecte el balance deseado de la seal
mezclada.

Figura 15. Mezclador de audio.

Preamplificacion de sonido.
Instrumentos musicales.

=
VI.

CONCLUSIONES

Jessica Jara:
- La configuracin de amplificador en
emisor comn presenta una mayor ventaja
con respecto a las otras configuraciones,
debido a sus altas ganancias tanto de
voltaje como de corriente y por
Faculta de Ingeniera Elctrica y Electrnica

Escuela Politcnica Nacional. Caarte, Jara. Amplificador Emisor Comn.

consecuencia altas ganancias de potencia.

- Se debe tomar en cuenta los valores de
polarizacin mnimos que debe cumplir
nuestro diseo, con el objetivo de evitar
recortes en nuestra seal amplificada en la
salida.
- Una de las ventajas que presenta esta
configuracin es que posee una
impedancia de entrada alta, lo cual es
beneficioso debido a que la corriente
ingresara directamente a la carga.
Cristbal Caarte
- El diseo de un amplificador no es ms
que
aprovechar
las
caractersticas
operacionales de un TBJ, cumpliendo con
los parmetros y colocando valores que se
consideren estables, se obtendr un mejor
amplificador.
- El emisor comn es un amplificador
utilizado en una alta gama de circuitos
electrnicos debido a su alta ganancia de
voltaje, corriente y potencia.
- Se puede utilizar variaciones tanto a la
polarizacin del transistor como a las
manera de usar el transistor, es decir
usando Darlington, polarizacin por diodo
zener, por una fuente de voltaje externa,
etc. dando as mejores caractersticas al
circuito amplificador en caso de ser
necesario.
APNDICE
VCE= voltaje de colector emisor, sta en
polarizacin directa.

familiares por el apoyo incondicional y la

comprensin brindada.
REFERENCIAS
[1] T. Floyd, Dispositivos Electrnicos, vol.1 ED-08, Ed.
Mxico: Pearson Educacin, 2008, pp. 263-266.
[2] J. Miliman, Ch. Halkias, Electrnica Integrada,Trad.:
Barcelona, Espaa, Ed. Hispano Europea, 1976, pp. 129
139.
[3] C.Savant, M. Roden, G. Carpenter, Diseo Electrnico,
Ed. Prentice-Hall, pp. 75-80
[4] R. Boylestad, L. Nashelsky, Electrnica: teora de
circuitos y dispositivos electrnicos, vol.1 ED-08, Ed.
Mxico: Pearson Educacin, pp. 358, 393, 396.
[5] T. Snchez, Circuitos Electrnicos, Escuela Politcnica
Nacional, Quito, 2006, pp: 2-8.

BIOGRAFA

Jessica Lizette Jara Livisaca, nace un 05 de enero de 1994, en la ciudad de

Loja. Realiz sus estudios secundarios en el Colegio Santa Mariana
de Jess. Actualmente sta cursando el quinto semestre de
Ingeniera en Electrnica y Control en la Escuela Politcnica
Nacional.

VBE = voltaje de la juntura base-emisor que tiene

un valor constante de 0.7 (V).
re = resistencia dinmica, que se calcula con
26(mV) partido de Ic.
Hueco= Al momento que un electrn salta a la banda de
conduccin de un material, deja un espacio vaco en la banda
de valencia dentro del material.

RECONOCIMIENTO
Agradecemos a nuestros padres, amigos y
Faculta de Ingeniera Elctrica y Electrnica

Cristbal Caarte naci en Quito- Ecuador, el 09 de noviembre de 1993, se

gradu de bachiller en el colegio Borja N3 Cavanis, en el ao
2011, actualmente estudiante de Ingeniera en Electrnica y
Control en la Escuela Politcnica Nacional, Quito-Ecuador.

Escuela Politcnica Nacional. Caarte, Jara. Amplificador Emisor Comn.

Faculta de Ingeniera Elctrica y Electrnica

10