TECNOLÓGICO PUERTO DE MEJILLONES ELECTRONICA I

CARRERA ELECTRÓNICA CURSO 33 – 200

PRÁCTICA Nº 3
CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR BJT
1. OBJETIVO

El objetivo de la presente práctica es estudiar la estructura interna de los transistores BJT, identificar el
tipo de transistor y disposición de sus terminales, para finalmente construir las curvas características
mediante el análisis de V-I
2. MARCO TEÓRICO
2.1 DEFINICIÓN DE TRANSISTOR

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales donde la señal de uno de los

terminales controla las otras dos. Los transistores se utilizan para amplificación, regulación de
potencia y como interruptores, su tipología depende de los materiales constructivos que lo
componen.

Se denomina BJT, de sus siglas en ingles que significan “Transistor bipolar de juntura”. Se
conoce como transistor bipolar ya que la corriente es producida tanto por electrones como por
huecos

2.2 CONSTRUCCIÓN DE UN TRANSISTOR Y TIPOS

Es un dispositivo semiconductor construido con tres capas, donde a su vez se puede distinguir:
 Cuando tiene dos capas de material tipo N y una capa de material tipo P se denomina
transistor NPN
 Cuando tiene dos capas de material tipo P y una capa de material tipo N se denomina
transistor PNP
Para cada caso con su respectivo símbolo tiene la siguiente forma:

Transistor tipo NPN Transistor tipo PNP

Los terminales del transistor se identifican como: Colector (C), Emisor (E) y Base (B)

En su simbología se representa al NPN con una flecha que sale por el emisor, y en el PNP la flecha
ingresa; esto se debe a las direcciones de las corrientes del emisor para cada caso

Ing. Javier Tarqui Valeriano

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Estructuralmente un transistor es la unión de dos diodos, que equivaldría a lo siguiente:

Tipo N Tipo P

2.3 OPERACIÓN DEL TRANSISTOR

A continuación describiremos la operación básica del transistor utilizando el transistor PNP, en el caso
del transistor NPN es exactamente a la inversa, es decir con los roles de electrones y huecos
intercambiados

En la figura siguiente se volvió a dibujar el transistor pnp sin polarización entre la base y el emisor.
Observe las semejanzas entre esta y la del diodo polarizado en directa. El ancho de la región de
empobrecimiento se redujo a causa de la polarización aplicada y el resultado fue un intenso flujo de
portadores mayoritarios del material tipo p al material tipo n.

Eliminemos ahora la polarización de la base al emisor del transistor pnp como se muestra en la figura.
Considere las semejanzas con la del diodo polarizado en inversa. Recuerde que el flujo de portadores
mayoritarios es cero, y el resultado es sólo un flujo de portadores minoritarios. Por consiguiente: La
unión p-n de un transistor se polariza en inversa en tanto que la otra se polariza en directa

Polarización en directa de un transistor pnp Polarización en inversa de un transistor pnp

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En la aplicación de ambos potenciales de polarización a un transistor pnp, con los flujos de portadores
mayoritarios y minoritarios resultantes indicados, se ve cuál unión es polarizada en directa y cual lo está
polarizada en inversa, una gran cantidad de portadores mayoritarios se difundirá a través de la unión p–n
polarizada en directa hacia el material tipo n. Para la corriente de base, siendo el material tipo n muy
delgado y su conductividad es baja, un número muy pequeño de estos portadores tomarán esta ruta de alta
resistencia hacia la base, por tanto la corriente de base es por lo general del orden de microamperes, en
comparación con los miliamperes de las corrientes del emisor y el colector. El mayor número de estos
portadores mayoritarios se difundirá a través de la unión polarizada en inversa hacia el material tipo n
conectado al colector desde el emisor.

Por la ley de kirchoff las corrientes

son:

𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶

2.4 CONFIGURACIONES DEL TRANSISTOR

Para polarizar un transistor y encontrar su sector de trabajo, se tienen 3 tipos de polarizaciones:
 Configuración en Base Común
 Configuración en Emisor Común
 Configuración en Colector Común

a) Configuración en Base Común

El circuito para un transistor NPN tiene la forma:

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Para describir plenamente el comportamiento de un dispositivo de tres terminales como el de los

amplificadores en base común, se requieren dos conjuntos de características: uno para los
parámetros de entrada (punto de manejo) y el otro para el lado de salida.
El conjunto de entrada para el amplificador en base común relaciona una corriente de entrada (IE)
con un voltaje de entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCB).

El conjunto de salida relaciona una corriente de entrada (IC) con un voltaje de salida (VCB) para
varios niveles de corriente de entrada (IE). La salida o conjunto de características del colector
ofrece tres regiones básicas de interés: las regiones activa, de corte y saturación. La primera es la
región que normalmente se emplea para amplificadores lineales (sin distorsión). En particular:
En la región activa la unión base-emisor se polariza en directa, en tanto que la unión colector-
base se polariza en inºversa.

Características de entrada Características de salida

Obsérvese en las curvas que a medida que la corriente en el emisor se incrementa por encima de
cero, la corriente del colector aumenta a una magnitud igual en esencia a la de la corriente del
emisor, como lo determinan las relaciones de corriente básicas para el transistor. Observe también
el efecto de VCB al incrementarse cada vez mas, ya no influye sobre el valor de la corriente a través
del colector para la región activa. De lo anterior se concluye que en la región activa:
IE ≈ IC
Para todos los análisis de cd de redes con transistores el modelo equivalente una vez que el
transistor se “enciende”, el voltaje base-emisor será el siguiente:
VBE = 0,7 V

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Alfa (α)
Es un parámetro que viene en las especificaciones del transistor, para la configuración base común,
que básicamente se emplea para el diseño como amplificador en corriente alterna
En el modo c.d. los niveles de IC e IE originados por los portadores mayoritarios están relacionados
con alfa por la siguiente ecuación:
= =

El alfa de c.a. se llama formalmente factor de amplificación en cortocircuito en base común, por
razones que serán más obvias cuando examinemos circuitos equivalentes del transistor en el
capítulo de amplificación

b) Configuración en Emisor Común

Es la configuración de transistor que más frecuentemente se emplea para los transistores pnp y
npn. Se llama configuración en emisor común porque el emisor es común o sirve de referencia
para las terminales de entrada y salida (en este caso es común para las terminales base y colector).
El circuito para ambos tipos de transistores es igual a:

Transistor NPN Transistor PNP

Las corrientes de emisor, colector y base se muestran en su dirección convencional real. Aun
cuando la configuración del transistor cambió, las relaciones de las corrientes desarrolladas para la
configuración en base común siguen siendo válidas. Es decir:
IE = IC + IB e IC = αIE.

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Para la configuración en emisor común, las características de salida son una gráfica de la corriente
de salida (IC) con el voltaje de salida (VCD) para un intervalo de valores de la corriente de entrada
(IB). Las características de entrada son una gráfica de la corriente de entrada (IB) contra el voltaje
de entrada (VBE) para un intervalo de valores del voltaje de salida (VCE).

Observe en la figura que la magnitud de IB está en microamperes, en comparación con los

miliamperes de IC. Asimismo las curvas de IB no son tan horizontales como las obtenidas para IE
en la configuración en base común, lo que indica que el voltaje colector a emisor influye en la
magnitud de la corriente del colector.

En la región activa de un amplificador en emisor común, la unión base-emisor se polariza en

directa en tanto que la unión colector-base está en inversa.
Recuerde que éstas eran las mismas condiciones en la región activa de la configuración en base
común. La región activa de la configuración en emisor común se emplea para amplificar voltaje,
corriente o potencia.

Beta (β)
En el modo de c.d. los niveles de IC e IB están relacionados por una cantidad llamada beta y
definida por la siguiente ecuación:
= =

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Para dispositivos prácticos el nivel de β por lo general varía de aproximadamente 50 a más de 400,
con la mayoría de los valores en el intervalo medio. Como para α, el parámetro β revela la
magnitud relativa de una corriente con respecto a la otra. Para un dispositivo con una β=200, la
corriente del colector es 200 veces la magnitud de la corriente de la base.

En las hojas de especificaciones casi siempre se incluye βcd como hFE , donde h proviene de un
circuito equivalente híbrido que se abordará en los siguientes capítulos 5. El subíndice FE
proviene de la amplificación de corriente en directa (forward) y la configuración en emisor común
(emitter). El nombre formal de β en corriente alterna es factor de amplificación de corriente en
directa en emisor común.

NOTA. Las características para el caso de la configuración en COLECTOR COMÚN son idénticas a las
de EMISOR COMÚN, por tal situación no es necesario su análisis

2.5 PRUEBA DE UN TRANSISTOR

Del mismo modo que con los diodos, hay tres rutas que podemos seguir para verificar un transistor:
podemos usar un trazador de curvas, un medidor digital, o bien un ohmmetro

- Probador de transistores: Los multítester de última generación traen consigo el probador del
transistor que nos ayuda a determinar el β del transistor introduciendo adecuadamente sus
terminales (dependiendo si es NPN o PNP)
- Ohmetro: considerando que para un NPN, se tiene entre base y emisor un diodo en directa y
entre base y colector un diodo en inversa, entonces se hace estas mediciones con el probador de
diodos, donde entre B-E la resistencia debe ser muy baja, y entre B-C la resistencia muy alta o
circuito abierto, es decir:

Para el caso del PNP es exactamente al revés

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3. ACTIVIDADES PREVIAS

- Los estudiantes deben seleccionar diferentes transistores tanto NPN y PNP, y estudiar sus
respectivas hojas técnicas (data sheet), observando sus parámetros
- Antes de la realización de la práctica deben simular en el PROTEUS u otro simulador para
verificar los circuitos a implementarse

4. DESARROLLO DE LA PRÁCTICA

4.1 Materiales y equipos a utilizar

 Dos transistores BJT de uso general NPN y PNP, recomendable BC548, BC55, 2N3904, 2N3905.
 Un potenciómetro de 10 k[Ω].
 Resistencias de 1 k[Ω], y de 100 k[Ω] de 0.5 [W].
 Multímetro
 Protoboard
 Osciloscopio
 Conectores

5. DESARROLLO DEL LABORATORIO

a) IDENTIFICANDO TRANSISTORES

 Seleccione un par de transistores BJT, en base a un multímetro mida todas las combinaciones
posibles de los tres pines y elabore su conclusión de que tipo de transistor es NPN o PNP, sin la
necesidad de una hoja de datos, asi mismo determine el orden de sus terminales, luego
verifique con el código del transistor y su hoja técnica, dibujar con la identificación de
terminales en el cuadro 1 de la hoja de cálculos.
 Con el Ohmetro realice la medida de las resistencias entre los terminales del transistor y llene
la tabla 2 de la hoja de cálculos
 En el informe emitir conclusiones sobre los valores obtenidos en la tabla 2

b) CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS DE LOS TRANSISTORES

 En un manual de datos técnicos de semiconductores buscar en la hoja de especificaciones del
fabricante para los transistores BJT y llenar la tabla 3 con los valores pedidos.

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c) CARACTERÍSTICAS DE SALIDA (CURVAS CARACTERÍSTICAS)

 Arme el circuitos de la figura (Configuración en Emisor Común) y mueva el potenciómetro de
un extremo a otro, del mismo se deben adquirir los datos suficientes como para dibujar la señal
de salida según la tabla 4.
15V
+V

330
100k 10%
DC A
100k Q1 NO DATA
100k 10% NPN

NO DATA
DC V
DC A
NO DATA

 Los datos a tomarse deben ser como mínimo 15 valores para la obtención de un buen gráfico.
 Obtener el gráfico IC – VCE
NOTA. Para este acápite puede apoyarse con el empleo de un simulador
6. INFORME
Para la posterior semana cada grupo debe presentar un informe grupal, que contenga lo siguiente:
- Objetivos grupales
- Layouts de los circuitos implementados
- Para el cuadro 1 dibujar el transistor con la distribución de sus terminales
- Colocar los valores de la tabla 2 y emitir observaciones acerca de los resultados obtenidos
- Comentar sobre los valores obtenidos de las hojas técnicas para los 2 transistores particularizando
sus diferencias
- Usando un papel milimetrado o un graficador determinar las curvas para ambos transistores
- Simulación con proteus u otro simulador
- Fotos de la práctica
- Observaciones
- Conclusiones

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HOJA DE DATOS PARA EL LABORATORIO

Cuadro 1 Tabla 2

Transistor 1 Transistor 2 Tr:……….. Tr:……….

Pines PNP Ω/KΩ NPN Ω/KΩ

+B-E

-B+E

+C-B

-C+B

+C-E

-C+E

Tabla 3

LOS VALORES NOMINALES MÁXIMOS:

Voltaje colector – emisor (VCEO).
Voltaje colector – base (VCBO).
Voltaje emisor – base (VEBO).
Corriente de colector – continua (IC).
Disipación total del dispositivo a TA = 25°C (PD).

CARACTERÍSTICAS DE SEÑAL PEQUEÑA

Producto ganancia de corriente – ancho de banda (fT).
Capacitancia de salida (Cobo).
Capacitancia de entrada (Cibo).
Impedancia de entrada (hie).
Razón de retroalimentación de voltaje (hre).
Ganancia de corriente de señal pequeña (hfe).
Admitancia de salida (hoe).

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Tabla 4

Transistor: ……………..

VCE V IC mA IC mA IC mA IC mA IC mA IC mA IC mA
IB=10 µA IB=20 µA IB=30 µA IB=40 µA IB=50 µA IB=60 µA IB=70 µA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15

Integrantes del Grupo:

Nombres y apellidos Laboratorio

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