Dispositivos Electrnicos

TRANSISTORES BJT

ANLISIS DE CIRCUITOS ANLOGOS BASICA, 2006

Transistor de Unin Bipolar (BJT)

El desarrollo de la electrnica y de sus mltiples

aplicaciones fue posible gracias a la invencin del
transistor, ya que este super ampliamente las
dificultades que presentaban sus antecesores, las
vlvulas.

Transistor de Unin Bipolar (BJT)

Las vlvulas, inventadas a principios del siglo XX,

haban sido aplicadas exitosamente en telefona como
amplificadores y posteriormente popularizadas en radios
y televisores.

Transistor de Unin Bipolar (BJT)

Uno de los mayores inconvenientes de las vlvulas era

que consuman mucha energa para funcionar.
En las vlvulas se calienta elctricamente un filamento
(ctodo) para que emita electrones que luego son
colectados en un electrodo (nodo)

Transistor de Unin Bipolar (BJT)

El filamento no slo consuma mucha energa, sino que

tambin sola quemarse, o las vibraciones lograban
romperlo, por lo que las vlvulas terminaban resultando
poco confiables

Transistor de Unin Bipolar (BJT)

Adems, como era necesario evitar la oxidacin del

filamento incandescente, la vlvula estaba conformada
por una carcasa de vidrio, que contena un gas inerte o
vaco, haciendo que el conjunto resultara muy
voluminoso.

Transistor de Unin Bipolar (BJT)

Comparacin entre las vlvulas y antiguos transistores

individuales de germanio.

Transistor de Unin Bipolar (BJT)

El 23 de diciembre de 1947, la industria de la electrnica

registr la aparicin de un nuevo campo de inters y
desarrollo, cuando John Bardeen, Walter Brattain and
William Shockley desarrollaron el primer transistor, en
los laboratorios de la compaa Bell Telephone.

Transistor de Unin Bipolar (BJT)

Primer transistor

Transistor de Unin Bipolar (BJT)

Replica del primer transistor

Construccin del Transistor

Dispositivo conductor de 3 capas:

2 tipo n y 1 tipo p, transistor npn
2 tipo p y 1 tipo n, transistor pnp
El trmino bipolar refleja el hecho de que ambos portadores de corriente
(electrones y huecos) participan en el proceso de conduccin de corriente.
Los transistores bipolares de unin tienen tres terminales
Emisor (E); Base (B); Colector (C)

Construccin del Transistor

Las capas exteriores tienen espesores mucho mayores que el material tipo p o n al
que circundan.
El nivel de dopado es diferente entre las 3 capas que forman al transistor. Emisor
fuertemente dopado; Base muy poco dopado; Colector ligeramente dopado

Operacin del Transistor

La operacin bsica del transistor se describir usando el transistor pnp de

la figura.
La parte Emisor Base se encuentra polarizada directamente

Operacin del Transistor

La parte Base Colector se polariza inversamente

Slo se presenta un pequeo flujo de corriente debido a los portadores
minoritarios

Operacin del Transistor

Una unin pn de un transistor tiene polarizacin inversa, mientras que la

otra tiene polarizacin directa.
Al aplicar ambos potenciales de polarizacin se establece un flujo de
corriente resultante como el que se muestra.

Transistores BJT
Polarizacin del Transistor

Configuracin Base Comn

Esta configuracin recibe su nombre en base al hecho de que la

base es comn tanto a la entrada como a la salida. La base, en
general se encuentra conectada a tierra.
Entrada, terminal Emisor
Salida, terminal Colector

Notacin y smbolos utilizados con la

configuracin base comn

Caractersticas de entrada

Para describir el comportamiento del transistor en

configuracin base comn, se requiere de dos conjuntos
de caractersticas uno para la entrada (punto de
excitacin) y el otro para la salida.

Caracterstica de entrada

La caracterstica de entrada
para la configuracin base
comn, relaciona la corriente
de entrada (IE) con un voltaje
de entrada (VBE) para varios
niveles de voltaje de salida
(VCB)

Caracterstica de salida

La caracterstica de salida,
relacionar la corriente de
salida (IC) con un voltaje de
salida (VCB) para varios niveles
de corriente de entrada (IE).

Modelo equivalente para la region base-emisor

Las caracteristicas de entrada de la configuracion Base comun,

revelan que para valores fijos del voltaje de colector (VCB), conforme
se incrementa el voltaje base-emisor, la corriente del emisor
aumenta de tal manera que es muy similar a las caracteristicas del
diodo, por lo que, como una primera aproximacion, se pueden
ignorar los cambios ocasionados por VCB, y sus caracteristicas
pueden dibujarse como en la figura siguiente

Modelo equivalente para la region base-emisor

Modelo equivalente para la region base-emisor

Una vez que el transistor se encuentre en estado

encendido, se supondra que el voltaje base-emisor es el
siguiente
VBE = 0.7V

a cualquier nivel de corriente del emisor controlada

mediante una red externa.

Alfa

En el modo de DC los niveles de IC e IE, estan

relacionados por una cantidad llamada y definida por
la siguiente ecuacion

IC

IE

Alfa ()

Para las situaciones de ac donde el punto de operacion se desplaza sobre

la curva caracteristica, el parametro ac se define mediante

I C
ac
I E

VCE constante

El parametro ac se conoce como factor de amplificacion.

Accion amplificadora del transistor

En base a la relacion entre IC e IE se puede explicar la accion

amplificadora del transistor utilizando la red de la figura, la
polarizacion dc no aparece, ya que nos interesa la respuesta en ac

Accion amplificadora del transistor

Para la configuracin de base comn, la resistencia ac de

entrada es muy pequea (varia entre 10 y 100 ). La
resistencia de salida es muy alta y suele variar entre 50 k
y 1 M. La diferencia en cuanto a resistencia se debe a la
unin con polarizacin directa a la entrada (base emisor) y
a la unin con polarizacin inversa a la salida (basecolector). Utilizando un valor de 20 para la entrada
tenemos

Accion amplificadora del transistor

Vi 200mV
Ii

10mA
Ri
20

Si se asume que ac=1 (IE=IC)

I L I i 10mA
VL I L R (10mA)(5k)
VL 50V

Accion amplificadora del transistor

Los valores tpicos de la amplificacin de voltaje para la

configuracin base comn, varian entre 50 y 300. La amplificacin
de corriente (IC/IE) es siempre menor que 1, ya que es menor que
1.
La accin bsica de amplificacin se produjo mediante la
transferencia de una corriente I desde un circuito de baja
resistencia a uno de alta.

Configuracin Emisor comn

La configuracin de emisor comn es la ms difundida

de las configuraciones de los transistores.
Recibe su nombre debido a que el emisor es comn
tanto a las terminales de entrada como de salida (en
este caso es comn tanto a la terminal de base como a
la de colector).

Configuracin Emisor comn

Caractersticas del transistor en emisor comn

Al igual que para la configuracin base comn, se

necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir
por completo el comportamiento de la configuracin
emisor comn:uno para el circuito de entrada (baseemisor) y otro para el circuito de salida (colector-emisor).

Caractersticas de entrada emisor comn

Las caractersticas de entrada

para la configuracin emisor
comn, son una grfica de la
corriente de entrada (IB) en
funcin del voltaje de entrada
(VBE) para un rango de valores de
voltaje de salida (VCE)

Caractersticas de salida emisor comn

Las caractersticas de salida para la configuracin emisor comn, son una grfica de la corriente
de salida (IC) en funcin del voltaje de salida (VCE) para un rango de valores de corriente de
entrada (IB).

Regin Activa

La regin activa para la configuracin de emisor comn

es la parte del cuadrante superior derecho que tiene
mayor linealidad, es decir, la regin en que las curvas
para IB son casi rectas e igualmente espaciadas.

Regin Activa

En la regin activa de un transistor en configuracin

comn la unin colector-base se encuentra polarizada
inverasamente, mientras que la unin base-emisor se
encuentra polarizada directamente. La regin activa se
puede emplear para la amplificacin de voltaje, corriente
o potencia.

Regin de corte

La regin de corte para la configuracin emisor comn

no est tan bien difinida como para la configuracin de
base comn, ya que IC no es igual a cero cuando IB es
cero.

Beta ()

En la polarizacin de dc, los niveles de IC e IB se relacionan

mediante una cantidad a la que llamaremos beta y se definen
mediante la siguiente ecuacin:

IC
dc
IB

50 450

donde IC e IB son determinadas en un punto de operacin particular de

las caractersticas.

Beta ()

Como para , representa la magnitud relativa de una

corriente respecta a la otra. Para un dispositivo con una
de 200, la corriente del colector equivale a 200 veces
la magnitud de la corriente de base.

Beta ()

Para el anlisis en ac la beta ac (ac) se define en los

trminos siguientes

I C
ac
I B

VCE constante

El trmino ac se denomina factor de amplificacin de

corriente de emisor comn

Beta ()

Transistor emisor comn

Polarizacin fija

Circuito de polarizacin fija

Circuito equivalente de dc

Prueba del transistor

Prueba de transistores utilizando multimetro DMM

Transistor emisor comn

Polarizacin fija

VCC VRB VBE 0

VCC I B RB VBE 0

VCC VBE
IB
Escribiendo la LVK
RB en la malla
BE tenemos:

Malla CE

I C I B

La magnitud de IC se relaciona
con IB mediante

Transistor emisor comn

Polarizacin estabilizada en emisor

La red de polarizacin de la figura, contiene un resistor en el emisor para

mejorar el nivel de estabilidad del circuito de polarizacin fija

El anlisis se lleva a cabo

en 2 etapas
1.- examinando la malla
BE y
2.- Usar el resultado para
examinar la malla CE

Malla Base-Emisor

VCC I B RB VBE I E RE 0
VCC

I E 1 I B
I B RB VBE 1 I B RE 0

I B RB 1 RE VCC VBE 0
I B RB 1 RE VCC VBE
La LVK da
VCC
VBE
por
resultado
IB
RB 1 RE

Malla Colector-Emisor

Transistor emisor comn

Polarizacin por divisor de voltaje

Dos mtodos para analizar la

polarizacin por divisor de
voltaje
Mtodo exacto
Mtodo aproximado

Anlisis exacto

Analisis Exacto

Saturacin del Transistor

El trmino saturacin se aplica a cualquier sistema

donde los niveles han alcanzado sus mximos valores.
Una esponja saturada es aquella que no puede
contener una gota ms de lquido.

Saturacin del Transistor

Para un transistor que opera en la regin de saturacin la corriente

es un valor mximo para el diseo en particular. El cambio en el
diseo puede ocasionar que el nivel de saturacin correspondiente
pueda llegar a incrementarse o descender. Desde luego, el nivel
ms alto de saturacin est definido por la corriente mxima del
colector, y se proporciona en la hoja de especificaciones.

Saturacin del Transistor

Las condiciones de saturacin se evitan normalmente

porque la unin base-colector ya no se encuentra con
polarizacin inversa y la seal de salida amplificada se
distorsionar. Esto en amplificadores es indeseable.

Saturacin del Transistor

En la regin de saturacin, el transistor toma los

siguientes valores:
VCE0V

RCE

VCE
0V

0
I Csat I Csat

Saturacin del Transistor

Para calcular la corriente de colector en la regin de

saturacin, slo se inserta un equivalente de corto
circuito entre el colector y el emisor del transistor y se
calcula la corriente resultante del colector.

Saturacin del Transistor

En resumen

I Csat

VCC

RC

El transistor como inversor

Las aplicaciones de los trasistores no se limitan

nicamente a la amplificacin de seales. Por medio de
un diseo adecuado, pueden ser utilizados como
interruptor, como inversor y para aplicaciones de control.

El transistor como inversor

En la red de la figura se utiliza el transistor como inversor.

El transistor como inversor

El diseo para el
proceso de inversin
requiere que el punto
de operacin conmute o
cambie del corte a la
saturacin.

El transistor como inversor

Para iniciar con el diseo, se asume IC=0 mA cuando

IB=0 A, y VCE=0 volts, entonces para calcular ICsat
utilizamos la ecuacin

I Csat

VCC

RC

El transistor como inversor

El nivel de IB en la regin activa, justo antes de la

saturacin se pueden calcular mediante la siguiente
ecuacin:

I Bmax

I Csat

dc

El transistor como inversor

Ahora bien, para asegurar que el transistor se encuentra

realmente en saturacin se debe cumplir la siguiente
condicin:

IB

I Csat

dc

El transistor como inversor

Para la red de la figura cuando

Vi=5 V el nivel resultante de IB
es

Vi 0.7 5V 0.7V
IB

63A
RB
68k

El transistor como inversor

Para la IC tenemos

I Csat

VCC
5V

6.1mA
RC 0.82k

Verificando la condicin de saturacin

I B 63A

I Csat

dc

6.1mA

48.8A
125

El transistor como inversor

Ejemplo: determine RB y RC
para el transistor de la figura si
ICsat = 10 mA

Transistor BJT
Amplificador Bsico

Amplificacin de seal

La necesidad de amplificar seales viene del hecho de

que muchas de ellas son muy "dbiles", es decir, son
muy pequeas para que puedan tener una funcin til,
ya que se encuentran en el rango de los V o de los mV.
Tales seales son muy pequeas para un
procesamiento confiable