LABORATORIO DE ELECTRÓNICA ANALÓGICA 1

PREINFORME DE LABORATORIO No. 5

IDENTIFICACION DE BJT, CONCEPTO DE PUNTO DE TRABAJO, RECTAS DE CARGA

INTEGRANTES:
- Cristian Espinosa
- Simón Ramirez
- Yesika Ramirez
GRUPO: EAN1+ - 201
PROFESOR: Abdel Karim Hay Harb.

1. Introducción
Los transistores BJT son dispositivos electrónicos semiconductores de tres terminales
que tienen como característica principal la dependencia entre la corriente de salida y el
voltaje de entrada.
Estos dispositivos son usados en variedad de funciones de control en circuitos
electrónicos como lo son la amplificación, oscilación, conversión de frecuencias y
conmutación.
En este laboratorio se pretende estudiar las características de estos elementos, los tipos
que existen y reconocer su importancia de la electrónica.

2. Objetivos.
Objetivo General

Identificar al transistor bipolar y comprender los conceptos de punto de trabajo y

rectas de carga.

Objetivos específicos
• Reconocer y diferenciar los tipos de transistores (PNP y NPN)
• Identificar las características de los transistores en sus diferentes regiones de
operación
• Diseñar el punto de trabajo y construir las rectas de carga de un transistor BJT en
configuración de emisor común.
• Comprender el proceso de análisis y diseño de una polarización para BJT.
3. Marco Teórico

El transistor bipolar o BJT es un dispositivo electrónico semiconductor, capaz de modificar

una señal eléctrica de salida como respuesta a una de entrada, sirviendo como amplificador,
conmutador, oscilador o rectificador de la misma.
Mediante este dispositivo se puede controlar una cierta cantidad de corriente por medio de
otra cantidad de corriente. Este dispositivo consta de 3 terminales llamados colector, base y
emisor. (Figura 1)
El emisor como su nombre lo indica, lanza portadores de carga hacia la base. La base ejercerá
control sobre los portadores enviados. Y finalmente, los portadores son recogidos por el
colector.

Figura 1. Transistor BJT

Fuente: https://www.electronicoscaldas.com/es/transistores-bjt/

El funcionamiento del transistor se basa en movimientos de electrones (negativos) y de

huecos (positivos), de allí el nombre de transistor bipolar o BJT (transistor de unión
bipolar).

El transistor bipolar está formado por capas de material semiconductor tipo n y tipo
p, de acuerdo con la distribución de los materiales semiconductores existen 2 tipos
los transistores NPN y los transistores PNP.

La flecha en el símbolo electrónico indica la dirección en la que la corriente convencional

circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.

Transistores NPN
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P en medio
de dos capas de material dopado N. Ingresa una pequeña corriente a la base, en
configuración emisor común, que es amplificada en la salida del colector.

Las letras N y P hacen referencia a los portadores de carga mayoritarios dentro de las
regiones del transistor. En la actualidad la mayoría de los transistores bipolares usados son
NPN, esto debido a que la movilidad de los electrones es mayor que la movilidad de los
“huecos” en los semiconductores, permitiendo así corrientes y velocidades de operación
mayores.

Figura 2. Transistor NPN

Fuente: http: //www.electronics-tutorials.w s / transistor / t ran_2.html
Transistores PNP
Los transistores PNP consisten en dos capas de material dopado P con una capa de material
dopado N en medio. Una corriente pequeña que circula desde la base permite la circulación
de una corriente mucho mayor desde el emisor hasta el colector.

Las letras P y N hacen referencia a los portadores de carga mayoritarios dentro de las
regiones del transistor.

Figura 3. Transistor PNP

Fuente: http: //www.electronics-tutorials.w s / transistor / t ran_3.html

Parámetros de un transistor
Los transistores BJT se especifican principalmente por la máxima corriente de colector (IC),
el máximo voltaje de polarización inversa que puede ser aplicado entre colector y emisor
(VCEO) y la ganancia de corriente (hFE o β).

- Ganancia de corriente (β): En un transistor BJT una pequeña variación de la

corriente base-emisor genera un gran cambio en la corriente colector-emisor. La
relación entre la corriente colector-emisor con la base-emisor es llamada ganancia, β
o hFE. Un valor de β de 100 es típico para pequeños transistores bipolares. Y esta
dada por:
Ic
β=
Ib
Dicho en otras palabras "es la cantidad de veces que el transistor amplifica en su
colector la corriente de base".
Configuración de los transistores

Figura 4. Configuraciones de los transistores

Fuente: http://www.cifpn1.com/electronica/?p=4151

Regiones de operación
- Región Activa Directa: En esta zona el transistor sólo amplifica y se comporta como
una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de
corriente). Este parámetro es proporcionado generalmente por el fabricante dando un
máximo y un mínimo para una corriente de colector dada (Ic).
Para que opere en la región de activa, el diodo base emisor tiene que estar
polarizado en forma directa y el diodo base colector tendrá que estar polarizado en
forma inversa; cuando el transistor bipolar se prepara para que opere en la región
activa, se cumple que la corriente que ingrese por la base IB va a controlar la
cantidad de corriente que circulará por el colector IC, este control es en forma
lineal, se cumple una relación matemática a la cual se le llama ganancia del
transistor y se le simboliza con β, esto es:
β = IC/IB
- Región de Saturación: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de
conmutación y se puede considerar como un cortocircuito entre el colector y el
emisor.
Un transistor está saturado cuando la corriente de colector, la corriente de emisor y
la corriente máxima son iguales. En este caso la magnitud de la corriente depende
del voltaje de alimentación del circuito y de las resistencias conectadas en el
colector y el emisor.
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente
grande como para inducir una corriente de colector β veces más grande.
 Para que opere en la región de saturación, el diodo base emisor tiene que estar
polarizado en forma directa y el diodo base colector también tendrá que estar
polarizado en forma directa.

- Región de Corte: Esta configuración también es usada para aplicaciones de

conmutación y se puede considerar que las corrientes que lo atraviesan son
prácticamente nulas (En especial IC).
Un transistor está en corte cuando la corriente de colector y corriente de emisor son
igual a cero (Ic = Ie = 0) en este caso el voltaje entre el colector y el emisor del
transistor es el voltaje de alimentación del circuito. Este caso normalmente se presenta
cuando la corriente de base es igual a cero (Ib =0).
Para que opere en la región de corte, el diodo base emisor tiene que estar polarizado
en forma inversa y el diodo base colector también tendrá que estar polarizado también
forma inversa.

Figura 5. Regiones de operación de los transistores BJT

Fuente: http://www.exa.unicen.edu.ar/catedras/edigital/cursoDistancia/transistor

Figura 5. Resumen características de los transistores BJT

Fuente: https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Formula _transistor.png
Recta de carga de un transistor

Esta es la recta que refleja todos los posibles puntos de funcionamiento que pueden darse
para unos valores determinados de Rc y tensión de alimentación. Esta recta se debe hacer
sobre las curvas características de un transistor, tomando como una intensidad de colector y
como otro punto, una tensión de alimentación.

Existe una situación de saturación en los puntos altos de la recta cerca de la intensidad
máxima de colector.

Existe una situación de corte en los puntos demasiado bajos de la recta cerca de Vce
máximo.

Cuando el amplificador llega a corte o saturación durante una amplificación se obtiene una
distorsión, esta distorsión se debe a un corrimiento del punto Q y esto debido a tensiones
inadecuadas.

La recta de carga se obtiene a través de la ecuación del circuito que relaciona la IC con la
VCE:

𝑉𝑐𝑐 = 𝑉𝑐𝑒 + 𝐼𝑐 𝑅𝑐
Se llama punto de trabajo de un transistor (Q) al punto de la recta de carga que determina el
valor de la tensión colector-emisor y de las corrientes de colector y de base.

Figura 6. Recta de carga y punto de trabajo

Fuente: Guía de laboratorio #5

Polarización
Polarizar un transistor significa fijar las tensiones y las corrientes de modo que tomen un
determinado valor, al cual le corresponde en el plano de las características un punto de
trabajo (Q) bien definido.
La red de polarización consta de un conjunto de elementos situados en torno al dispositivo
activo para asegurar que el funcionamiento de este en el punto de trabajo.
Existen tres formas de polarizar un transistor:
- Polarización Fija: Es el circuito más inestable ya que el punto de trabajo varía con
β y con la temperatura. No es conveniente ya que si se desea cambiar el transistor por
otro igual se moverá el punto de trabajo debido a que la ganancia del nuevo transistor
no va a ser exactamente igual al anterior.
La polarización fija solo se usa en la configuración emisor común, ya que en la
configuración base común cortocircuita la entrada, y en la configuración colector
común cortocircuita la salida.

Sus ecuaciones son:

Figura 6. Circuito de polarización fija

Fuente: https://sites.google.com/site/399electronicatransistores/polarizacion-de-los-transistores

- Polarización Colector-Base: Esta polarización es más estable que la anterior, pero

tiene una realimentación, es decir toma tensión de la salida a través de Rb y la vuelve
a ingresar por la base. Esto produce interferencias.

Figura 7. Circuito de polarización colector-base

Fuente: https://sites.google.com/site/399electronicatransistores/polarizacion-de-los-transistores
 - Auto-polarización: Este circuito es el más utilizado, el punto de trabajo apenas
depende de β, por eso es más estable por si se debe cambiar. Para que el punto de
trabajo no varíe debe hacerse R1 unas 10 veces mayor a R2 y colocar una resistencia
de emisor (RE).

Figura 8. Circuito de auto-polarización

Fuente: https://sites.google.com/site/399electronicatransistores/polarizacion-de-los-transistores

ANEXOS
Datasheet:
2n2222
2n3904
2n3906

BIBLIOGRAFÍA

Malvino, A. (2007). Principios de Electrónica. Septima Edición. McGraw-Hill

Boylestad, R.; Nashelsky, L. (2003). Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos
Electrónicos. Décima Edición. Pearson Educación.