Transistores BJT: Definición, Curva de Operación y Tipos de Configuraciones

ELECTRÓNICA BÁSICA Y
LABORATORIO
TRANSISTORES BJT
ING. GISELLE VELÁSQUEZ. MSC.
Contenido
1. Definición y curva de operación
2. Tipos de configuraciones
Definición de un transistor BJT
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos
capas de material tipo n y una de material tipo p o de dos capas de material
tipo p y una de material tipo n. El primero se llama transistor npn y el segundo
transistor pnp.
Definición de un transistor BJT
Con la polarización mostrada en la figura, las terminales se identificaron por
medio de las letras mayúsculas E para emisor, C para colector y B para base.
La conveniencia de esta notación se pondrá de manifiesto cuando analicemos
la operación básica del transistor. La abreviatura BJT (de bipolar junction
transistor) se suele aplicar a este dispositivo de tres terminales. El término
bipolar refleja el hecho de que huecos y electrones participan en el proceso de
inyección hacia el material opuestamente polarizado. Si se emplea sólo un
portador (electrón o hueco), se considera que es un dispositivo unipolar.
Operación de un transistor BJT
La operación del transistor npn es exactamente la misma con los roles de los
electrones y huecos intercambiados.
Eliminemos ahora la polarización de la base al emisor del transistor pnp como
se muestra en la figura.
La unión p-n de un transistor se polariza en inversa en tanto que la otra se

polariza en directa
En la figura se aplicaron ambos potenciales de polarización a un transistor
pnp, con los flujos de portadores mayoritarios y minoritarios resultantes
indicados.
Aplicando la ley de las corrientes de Kirchhoff al transistor de la figura como
si fuera un nodo único obtenemos
Tipos de configuraciones
Configuración en base común
La notación y símbolos utilizados junto con el transistor en la mayoría de los
textos y manuales publicados en la actualidad se indican en la figura para la
configuración de base común con transistores pnp y npn.
Las curvas indican que una primera aproximación a la relación de IE e Ic en la
región activa está dada por
Como su nombre lo dice, la región de corte se define como aquella donde la

corriente en el colector es de 0A, como lo revela la figura. Además:
En la región de corte las uniones base-emisor y colector-base de un

transistor se polarizan en inversa.
La región de saturación se define como aquella región de las características a
la izquierda de VCB = 0. La escala horizontal en esta región se amplió para
mostrar con claridad el cambio dramático de las características en esta región.
En la región de saturación las uniones base-emisor y colector-base se

polariza en directa.
Si damos un paso más adelante e ignoramos la pendiente de la curva y, por
consiguiente, la resistencia asociada con la unión polarizada en directa, se
obtienen las características de la figura
EJEMPLO
a. A partir de las características de la figura, determine la corriente del

colector si IE = 3 mA y VCB = 10 V.
b. Utilizando las características de la figura determine la corriente del colector
si IE permanece en 3 mA y VCB se reduce a 2 V.
c. Con las características de las figuras, determine VBE si IC = 4 mA y
VCB = 20 V.
Solución:
a. Las características indican claramente que IC = IE = 3 mA
b. El efecto de cambiar VCB es insignificante e IC sigue siendo 3 mA.
c. Según la figura IE = IC = 4 mA. En la figura el nivel resultante de VBE es
alrededor de 0.74 V.
Alfa (⍺)
En el modo cd los niveles de IC e IE originados por los portadores

mayoritarios están relacionados por una cantidad llamada alfa definida por la
siguiente ecuación:
Polarización
La polarización apropiada de la configuración de base común en la región
activa se determina de inmediato con la aproximación y suponiendo por el
momento que IB = 0 mA.
Acción amplificadora del transistor
Por lo que se refiere a la configuración de base común la resistencia de
entrada de ca es muy pequeña y por lo regular varía de 10 Ω a 100 Ω.
Con un valor común de 20 Ω, vemos que
Si suponemos por el momento que ⍺ca = 1(Ic = Ie), obtenemos

La amplificación del voltaje es
Los valores típicos de la amplificación de voltaje de la configuración en base

común varían de 50 a 300. La amplificación de corriente (Ic/Ie) siempre es
menor que 1 para la configuración en base común.
Configuración en emisor común
Se llama configuración en emisor común porque el emisor es común o sirve

de referencia para las terminales de entrada y salida (en este caso es común
para las terminales base y colector). De nueva cuenta se requieren dos
conjuntos de características para describir plenamente el comportamiento del
la configuración en emisor común: uno para el circuito de entrada o de base-
emisor y uno para el circuito de salida o de colector-emisor.
Aun cuando la configuración del transistor cambió, las relaciones de corriente
previamente desarrolladas para la configuración en base común siguen siendo
válidas. Es decir
IE = IC + IB e IC = ⍺IE.
En la región activa de un amplificador en emisor común, la unión base-

emisor se polariza en directa en tanto que la unión colector-base está en
inversa.
La razón de esta diferencia en las características de colector se deriva del
manejo correcto de las ecuaciones
La sustitución da
Reordenando se obtiene
Si consideramos el caso antes analizado, donde IB = 0 A y sustituimos un

valor típico de ⍺ tal como 0.996, la corriente resultante en el colector es la
siguiente:
Para propósitos de amplificación lineal (distorsión mínima), IC = ICEO

define el corte para la configuración en emisor común.
Para un transistor en la región activa o “encendido” el voltaje base a emisor es
de 0.7 V. En este caso el voltaje se mantiene fijo con cualquier nivel de
corriente en la base.
Beta (β)
En el modo de cd los niveles de IC e IB están relacionados por una cantidad
llamada beta y definida por la siguiente ecuación:
En las hojas de especificaciones casi siempre se incluye bcd como hFE donde
h que proviene de un circuito equivalente híbrido.
Beta (β)
El subíndice FE proviene de la amplificación de corriente en directa (forward)
y la configuración en emisor común (emitter), respectivamente.
En situaciones de ca en βca se define de la siguiente manera:
Determinemos βcd para una región de las características definidas por un
punto de operación de IB = 25 µA y VCE = 7.5 V
La βca resultante para la región se determina entonces por
La solución anterior revela que para una entrada de ca en la base, la corriente
del colector será aproximadamente 100 veces la de la base.
Si determinamos la beta de cd en el punto Q, obtenemos
En general, cuanto más pequeño sea el nivel de ICEO, más parecidas serán las
magnitudes de las dos betas.
Si se calcula la βca en el punto Q indicado el resultado es
Determinando la beta de cd en el mismo punto Q obtenemos

Es posible desarrollar una relación entre b y a por medio de las relaciones
presentadas hasta ahora.
Con β = IC /IB, tenemos IB = IC /β y con ⍺ = IC /IE tenemos IE = IC /⍺.
Sustituyendo en
y dividiendo ambos miembros de la ecuación entre IC resulta
Además, recuerde que
Configuración en colector común
Configuración en colector común
Para el circuito de entrada de la configuración en colector común bastan las

características básicas en emisor común para obtener la información
requerida.
Polarización de cd
Aunque aquí analizaremos varias redes, hay una similitud subyacente en el
análisis de cada configuración, debido al uso recurrente de las siguientes
relaciones básicas importantes de un transistor:
Punto de operación
Punto de operación
Para que el BJT se polarice en su región de operación lineal o activa lo
siguiente debe ser cierto:
1. La unión base-emisor debe polarizarse en directa (voltaje más positivo en la

región p), con el voltaje de polarización en directa resultante de cerca de 0.6 a
0.7 V.
2. La unión base-colector debe polarizarse en inversa (más positivo en la
región n), con el voltaje de polarización en inversa de cualquier valor dentro
de los límites del dispositivo.
Configuración de polarización fija
Polarización en directa de la unión base-emisor
+ VCC - IBRB - VBE = 0

Malla colector-emisor
Ejemplo
Determine lo siguiente para la configuración de polarización fija de la figura
Solución
Saturación del transistor
Saturación del transistor
Análisis por medio de la recta de carga
Ejemplo
Con la recta de carga de la figura y
el punto Q definido, determine los
valores requeridos de VCC, RC
y RB para una configuración de
polarización fija.
Solución
Configuración de polarización de emisor
Malla Base - Emisor
Al escribir la ley de voltajes de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en el
sentido de las manecillas del reloj obtenemos la siguiente ecuación:
+ VCC - IBRB - VBE - IERE = 0
Recuerde que
IE = (β + 1)IB
Sustituyendo IE
VCC - IBRB - VBE - (β + 1)IBRE = 0
Entonces, agrupando los términos resulta lo siguiente:
- IB(RB + (β + 1)RE) + VCC - VBE = 0

Al multiplicar por (-1), tenemos
IB(RB + (β + 1)RE) - VCC + VBE = 0

IB(RB + (β + 1)RE) = VCC - VBE
y resolviendo para IB da
Al escribir la ley de voltajes de Kirchhoff para la malla indicada en el sentido
de las manecillas del reloj, obtenemos
+ IERE + VCE + ICRC - VCC = 0
Sustituyendo y agrupando los términos da

El voltaje de subíndice único VE es el voltaje del emisor a tierra y está
determinado por
en tanto que el voltaje del colector a tierra se determina a partir de

El voltaje en la base con respecto a tierra se determina partir de
Ejemplo
Para la red de polarización de
emisor de la figura, determine:
Solución:
a)
b)
c)
Solución:
d)
e)
f) g)
Ejemplo
a. Trace la recta de carga para la red de la figura en las características del
transistor que aparece en la figura.
b. Para un punto Q en la intersección de la recta de carga con una corriente de
base de 20 mA, determine los valores de ICQ y VCEQ.
c. Determine la beta de cd en el punto Q.
d. Utilizando la beta de la red determinada en la parte c, calcule el valor
requerido de RB y sugiera un posible valor estándar.
Ejemplo
Solución
Se requieren dos puntos en las características para trazar la recta de carga.
Solución
Solución
b) Por las características de la figura obtenemos:
VCEQ = 7.5 V, ICQ = 3.3 mA
c) La beta de cd resultante es:

Solución
d)
Configuración de polarización por medio de divisor de voltaje
Análisis Exacto
Análisis Exacto
RTh
ETh
Análisis Exacto
ETh - IBRTh - VBE - IERE = 0

Análisis Exacto - Ejemplo
Determine el voltaje de polarización VCE y la corriente IC para la
configuración de polarización del divisor de voltaje de la figura.
Análisis Exacto - Solución
Análisis Aproximado
VCE = VCC - ICRC - IERE
Ri = (β + 1)RE ≌ βRE
Análisis Aproximado - Ejemplo.
Utilizando la técnica aproximada y compare las soluciones para ICQ y
VCEQ
Análisis Aproximado - Solución
Comprobación
Configuración de realimentación del colector
Malla base-emisor
Malla base-emisor
VCC - I´CRC - IBRB - VBE - IERE = 0
I´C ≌ IC = βIB y IE ≌ IC
VCC - βIBRC - IBRB - VBE - βIBRE = 0

IC(RC + RE) + VCE - VCC = 0

Ejemplo
Determine los niveles quiescentes de ICQ y VCEQ para la red de la figura.
Solución
Ejemplo
Determine el nivel de cd de IB y VC para la red de la figura.
Solución
Resolviendo para IB obtenemos
Configuración en emisor - seguidor
- IBRB - VBE - IERE + VEE = 0
IE =(β + 1)IB
IBRB + (β + 1)IBRE = VEE - VBE

Ejemplo
Determine VCEQ y IEQ para la red de la figura.
Solución
La configuración en base común se diferencia en que la señal aplicada está

conectada al emisor y la base está en, o un poco arriba, del potencial de tierra.
- VEE + IERE + VBE = 0 VCE = VEE + VCC - IERE -

ICRC
VCB + ICRC - VCC = 0
VCB = VCC - ICRC
IC ≌ IE
Ejemplo
Determine las corrientes IE e IB y los voltajes VCE y VCB para la
configuración en base común de la figura.
Solución

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ELECTRÓNICA BÁSICA Y

La unión p-n de un transistor se polariza en inversa en tanto que la otra se

Como su nombre lo dice, la región de corte se define como aquella donde la

En la región de corte las uniones base-emisor y colector-base de un

En la región de saturación las uniones base-emisor y colector-base se

a. A partir de las características de la figura, determine la corriente del

En el modo cd los niveles de IC e IE originados por los portadores

Si suponemos por el momento que ⍺ca = 1(Ic = Ie), obtenemos

Los valores típicos de la amplificación de voltaje de la configuración en base

Se llama configuración en emisor común porque el emisor es común o sirve

En la región activa de un amplificador en emisor común, la unión base-

Si consideramos el caso antes analizado, donde IB = 0 A y sustituimos un

Para propósitos de amplificación lineal (distorsión mínima), IC = ICEO

Determinando la beta de cd en el mismo punto Q obtenemos

Para el circuito de entrada de la configuración en colector común bastan las

1. La unión base-emisor debe polarizarse en directa (voltaje más positivo en la

+ VCC - IBRB - VBE = 0

+ VCC - IBRB - VBE - IERE = 0

Entonces, agrupando los términos resulta lo siguiente:

- IB(RB + (β + 1)RE) + VCC - VBE = 0

IB(RB + (β + 1)RE) - VCC + VBE = 0

+ IERE + VCE + ICRC - VCC = 0

Sustituyendo y agrupando los términos da

en tanto que el voltaje del colector a tierra se determina a partir de

c) La beta de cd resultante es:

ETh - IBRTh - VBE - IERE = 0

VCE = VCC - ICRC - IERE

VCC - I´CRC - IBRB - VBE - IERE = 0

VCC - βIBRC - IBRB - VBE - βIBRE = 0

IC(RC + RE) + VCE - VCC = 0

- IBRB - VBE - IERE + VEE = 0

IBRB + (β + 1)IBRE = VEE - VBE

La configuración en base común se diferencia en que la señal aplicada está

- VEE + IERE + VBE = 0 VCE = VEE + VCC - IERE -

VCB + ICRC - VCC = 0

VCB = VCC - ICRC

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