LAB DE CIRCUITOS ELECTRONICOS 1 [Título del documento]

UNIVERSIDAD PARTICULAR CATÓLICA DE SANTA MARÍA DE AREQUIPA

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRONICA
CÓDIGO: 7405202 GUÍA DE LABORATORIO NRO 02
ASIGNATURA: CIRCUITOS ELECTRONICOS I

SEGUNDA FASE: AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA SEÑAL Docente(s):

AMPLIFICADORES DE Ing. Ronald Coaguila Gómez
Ing Pedro Rodriguez Gonzales
PEQUEÑA SEÑAL CON BJT
Fecha: 2019.04.28.

I. OBJETIVO: Analizar las características electrónicas de

amplificación del Transistor Bipolar

II. MARCO TEORICO:

El tipo de circuito con transistor que se emplea con más frecuencia es la configuración
de emisor común. En ella la señal de entrada se aplica entre la base y el emisor y la de
salida se toma entre colector y el emisor. El emisor es común a los circuitos de entrada
y salida. En la Fig.1-1 se ilustra un transistor NPN en configuración de emisor común.

EMISOR COMUN

Examinar la Fig. 1-1 y observe que la unión emisor - base está polarizada directamente
y la unión base - colector, inversamente. Una señal de entrada que varíe en sentido
positivo, provocará un aumento en la corriente de emisor a base, produciendo un
incremento correspondiente en la corriente de emisor a colector
.Debido a las reducidas dimensiones de la región de la base, la mayoría de los
electrones del emisor se difunden hacia la región del colector y son atraídos por la

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polaridad positiva externa impuesta al colector .La corriente creciente del colector
produce un incremento correspondiente en la caída de tensión que se produce en la
resistencia de carga del colector (RL), por tanto, la señal de salida está fuera de
fase en 180° con respecto a la señal de entrada .La tensión de salida en RL (producida
por IC ) es mayor que la tensión de entrada RB.
Las características generales de operación de la configuración de emisor común son
típicas y pueden variar de una unidad a otra, para un tipo específico de transistor.
La impedancia de entrada es de un valor medio, dentro de un rango de 20 a 5,000
ohms, lo mismo que la de salida que puede estar entre 50 y 50,000 ohms.

La ganancia de corriente en la configuración de emisor común, está representada por

beta () y su fórmula es  = IC /IB . Puesto que la corriente de colector es siempre mayor
que la de base, la ganancia de corriente es siempre mayor que 1 .Beta () puede
representarse también con el símbolo h FE .

La configuración de emisor común proporciona la mayor ganancia de potencia, debido a

las grandes ganancias de tensión y de corriente.
La configuración de transistores que se encuentra con mayor frecuencia se muestra en la
figura para los transistores PNP y NPN. Se denomina configuración de emisor común
porque el emisor es común tanto a las terminales de entrada como a las de salida (en
este caso, es también común a las terminales de la base y del colector). De nuevo se
necesitan dos conjuntos de características para describir en forma completa el
comportamiento de la configuración de emisor común: una para la entrada o circuito de
la base y una para la salida o circuito del colector. Ambas se muestran en la figura.

Fig. 2: Símbolo y notación del transistor NPN en configuración de Emisor común.

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Fig.3: Símbolo y notación del transistor PNP en configuración de Emisor común.

Fig.4: Característica del colector.

Las corrientes del emisor, colector y la base se muestran en su dirección de corriente
convencional real. Aun cuando la configuración del transistor ha cambiado, siguen siendo
aplicables las relaciones de comentes desarrolladas antes para la configuración de base
común.
En la configuración de emisor común las características de la salida serán una gráfica de
la corriente de salida (IC) versus el voltaje de salida (VCE) para un rango de valores de
la corriente de entrada (IB). Las características de la entrada son una gráfica de la
comente de entrada (IB) versus el voltaje de entrada (VBE) para un rango de valores del
voltaje de salida (VCE).
Obsérvese que en las características de la figura la magnitud de IB es del orden de
microamperios comparada con los miliamperios de IC. Nótese también que las curvas de
IB no son tan horizontales como las que se obtuvieron para IE en la configuración de

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base común, lo que indica que el voltaje de colector a emisor afectará la magnitud de la
corriente de colector.
La región activa en la configuración de emisor común es aquella parte del cuadrante
superior derecho que tiene la linealidad mayor, esto es, la región en la que las curvas
correspondientes a IB son casi líneas rectas y se encuentran igualmente espaciadas. En
la figura esta región se localiza a la derecha de la línea sombreada vertical en VCEsat por
encima de la curva para IB igual a cero. La región a la izquierda de VCEsat se denomina
región de saturación. En la región activa de un amplificador emisor común la unión
colector-base está polarizada inversamente, en tanto que la unión base-emisor está
polarizada directamente.
Configuración de colector común.
La tercera y última configuración de transistores la de colector común, mostrada en la
figura con las direcciones apropiadas de corriente y la notación de voltaje. La
configuración de colector común se emplea fundamentalmente para propósitos de
acoplamiento de impedancia ya que tiene una elevada impedancia de entrada y una baja
impedancia de salida, que es lo opuesto a las configuraciones de base común y de
emisor común.

Fig. 5: Notación y símbolos en la configuración de colector común PNP.

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Fig. 6: Notación y símbolos en la configuración de colector común NPN.

La configuración del circuito de colector común se muestra en la figura con la resistencia
de carga del emisor a tierra. Nótese que el colector está conectado a tierra aun cuando
el transistor está conectado de manera similar a la configuración de emisor común.
Desde el punto de vista de diseño, no es necesario elegir para un conjunto de
características de colector común, los parámetros del circuito de la figura. Pueden
diseñarse empleando las características de emisor común. Para todos los propósitos
prácticos, las características de salida de la configuración de colector común son las
mismas que las de la configuración de emisor común. En la configuración de colector
común las características de salida son una gráfica de IE versus VEC para un intervalo de
valores de IB. Por ellos, la corriente de entrada es la misma tanto para las características
de emisor común como para las de colector común. El eje de voltaje para la
configuración de colector común se obtiene cambiando simplemente el signo de voltaje
de colector a emisor de las características de emisor común. Por último, hay un cambio
casi imperceptible en la escala vertical de IC de las características de emisor común si IE
se reemplaza por IE en las características de colector común (puesto que a = 1). En el
circuito de entrada de la configuración de colector común, las características de la base
de emisor común son suficientes para obtener la información que se requiera.
Configuración de base común.
La notación y símbolos que se usan en conjunto con el transistor en la mayor parte de
los textos y manuales que se publican en la actualidad, se indican en la figura para la
configuración de base común con transistores PNP y NPN . La terminología relativa a
base común se desprende del hecho de que la base es común a los lados de entrada y
salida de la configuración. Además, la base es usualmente la terminal más cercana o en
un potencial de tierra. A lo largo de estos apuntes todas las direcciones de corriente se
referirán a la convencional (flujo de huecos) en vez de la correspondiente al flujo de

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electrones. Esta elección se fundamenta principalmente en el hecho de que enorme

cantidad de literatura disponible en las instituciones educativas y empresariales hace uso
del flujo convencional, de que las flechas en todos los símbolos electrónicos tienen una
dirección definida por esta convención. Recuérdese que la flecha en el símbolo del diodo
define la dirección de conducción para la corriente convencional. Para el transistor:
La flecha del símbolo gráfico define la dirección de la corriente de emisor (flujo
convencional) a través del dispositivo.

Fig. 7: Notación y símbolos en la configuración de base común PNP.

Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura son las direcciones reales,
como se definen con base en la elección del flujo convencional. Nótese en cada caso
que: IE=IC+IB
También adviértase que la polarización aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que se
establezca la corriente en la dirección indicada para cada rama. Es decir, compárese la
dirección de IE con la polaridad o VEE para cada configuración y la dirección de IC con la
polaridad de ICC.
Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres terminales,
tales como los amplificadores de base común de la figura, se requiere de dos conjuntos
de características, uno para los parámetros de entrada o punto de manejo y el otro para
el lado de salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base común, como se
muestra en la figura, relacionará una corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada
(VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCB)

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Fig. 8: Características del punto de excitación en base común.

El conjunto de salida relacionará una corriente de salida (IC) con un voltaje de salida
VCB para diversos niveles de corriente de entrada (IE), como se ilustra en la figura. El
conjunto de características de salida o colector tiene tres regiones básicas de interés,
como se indican en la figura: Las regiones Activa, de Corte y de Saturación. La región
activa es la región empleada normalmente para amplificadores lineales (sin distorsión).
En particular: En la región activa la unión colector-base está inversamente polarizada,
mientras que la unión base-emisor se encuentra polarizada en forma directa.
La región activa se define por los arreglos de polarización de la figura. En el extremo
más bajo de la región activa la corriente de emisor (IE) es cero, la corriente de colector
es simplemente la debida a la corriente inversa de saturación ICO, como se indica en la
figura. La corriente ICO es tan pequeña (del orden de microamp.) en magnitud
comparada con la escala vertical de IC (del orden de los miliamperios), que aparece
virtualmente sobre la misma línea horizontal que IC = 0.

Fig. 9 Características de salida, del colector, para un amplificador de base común.

Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0 para la configuración base común
se ilustran en la figura. La notación usada con más frecuencia para ICO, en hojas de

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datos y de especificaciones es ICBO como se indica en la figura. A causa de las técnicas

mejoradas de construcción, el nivel de ICBO para transistores de propósito general
(especialmente silicio) en los intervalos de potencia bajo y medio es por lo general tan
reducido que su efecto puede ignorarse. Sin embargo, para unidades de mayor potencia
ICBO aún aparecerá en el intervalo de los microamperios. Además, recuérdese que ICBO
para el diodo (ambas corrientes inversas de fuga) es sensible a la temperatura. A
mayores temperaturas el efecto de ICBO puede llegar a ser un factor importante ya que
se incrementa muy rápidamente con la temperatura.

Fig. 10 Corriente inversa de saturación.

Notar que conforme la corriente del emisor aumenta sobre cero, la corriente del colector
aumenta a una magnitud esencialmente igual a la corriente del emisor determinada por
las relaciones básicas del transistor-corriente. Adviértase también el casi desdeñable
efecto de VCB sobre la corriente del colector para la región activa. Las curvas indican
claramente que una primera aproximación a la relación entre IE e IC en la región activa
dada: IC » IE
Como se deduce de su nombre, la región de corte se define como aquella región donde
la corriente de colector es de 0 A, como se demuestra en la figura 11. En suma: En la
región de corte ambas uniones, colector-base y base-emisor, de un transistor están
inversamente polarizadas.
La región de saturación se define como la región de las características a la izquierda de
VCB = 0 V. La escala horizontal en esta región se amplió para mostrar claramente el
gran cambio en las características de esta región. Nótese el incremento exponencial en la
comente de colector a medida que el voltaje VCB se incrementa más allá de los 0 V.

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Fig.11: Modelo del diodo Base-Emisor.

III. CUESTIONARIO PREVIO:

a) Analizar y señalar las características eléctricas y electrónicas del Transistor
BJT, en base a las hojas de datos de los diodos.
b) Explicar brevemente los tipos de transistores que operan como amplificadores
y como conmutadores
c) Explicar las diferencias internas y de polarización de los transistores NPN y
PNP
d) Señalar y explicar los diferentes tipos de transistores que se usan para baja
Frecuencia, alta frecuencia, baja potencia y alta potencia, sus principales
Aplicaciones, etc.
e) Analizar y efectuar el cálculo en DC y AC de todos los circuitos de la práctica.
Hallar y graficar Vce vs. Ic
f) Dibujar las rectas de carga de AC y DC de los circuitos EC, CC y BC
g) Verificar con programa simulador los resultados
IV. MATERIAL Y EQUIPO:
Fuente de alimentación según circuitos
Osciloscopio
Generador de AF
4 Voltímetros y 3 Amperímetros
Transistores PNP BC558 o equivalente, NPN BC547 o equiv.
Potenciómetros, resistencias y condensadores según circuitos

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V. PROCEDIMIENTO
1. Conecte R3 (potenciómetro de 1K ohm) como reóstato, poniendo en corto circuito el
brazo móvil con una de las terminales y utilizando la escala de ohms del
MULTIMETRO, ajústelo a una resistencia de 500 ohms. Construya el circuito que se
ilustra en la Fig.1-2 No aplique energía al circuito por ahora. El multímetro debe estar
colocado en la posición de VCD y el terminal común debe ir conectado al lado positivo
de la fuente del colector (tierra).

2. Se construirá un conjunto de características de tensión de colector (VCE) contra

corriente de colector (IC) para los diferentes valores de corriente de base (IB) que
se especifican. Ajuste la fuente de la unión emisor - base a 5 V , de acuerdo con la
lectura del voltímetro .

3. Ajuste R1 ( el potenciómetro de 200 ohms ) para obtener una lectura cero en el

amperímetro del circuito de base .Ajuste la tensión de alimentación del colector a
1 volt ,tomando esta lectura en el MULTIMETRO ,entre colector y emisor .El
potenciómetro R3(1K) debe permanecer ajustado a 500 ohms invariablemente
.Con corriente de base cero y tensión de colector de 1 volt, mida la corriente de
colector y anótela en la Tabla 1-3.

4. Ajuste la tensión de alimentación del colector a 10 volts, entre colector y emisor,

tomando esta lectura en el MULTIMETRO. Es posible que R1 requiera un reajuste para
mantener una IB igual a cero. Mida la corriente de colector indicada para una VCE de 1
volts y una I B de cero y anótela en la tabla 1-3.

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5. Consulte el procedimiento que se siguió en los puntos 3 y 4 complete la tabla 1-3,

registrando las IC para cada uno de los valores indicados de IB, a los niveles de 1 y
10 volts de VCE , antes de anotar IC. Puede ser necesario volver a ajustar R1 y la
tensión de la fuente del colector, para mantener los valores deseados de IB y VCE

6. Basándose en los datos recabados en la tabla 1-3, dibuje la familia de curvas IC -

VCE para cada uno de los valores indicados de IB, en la gráfica de la Fig. 1-4
indicando en cada curva el valor correspondiente de IB. Se supone que el cambio del
nivel VCE = 1 V al VCE = 10 V, es lineal.

Ic
(mA)

12

10

2 4 6 8 10 12 Vce (v)
FIG. 1-4

7. Utilizando la familia de curvas IC - VCE, construya una línea de carga en la gráfica de

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Respuesta es la corriente de colector que fluirá a través de la resistencia de carga

Emisor común recuerde Que IB debe Expresarse en mA.

senoidal que haga variar la corriente de base a emisor un total de 40 A alrededor de

un punto de operación de 40 A. Ubique la intersección de la línea de carga
construida con la curva de 40 A , indicando este punto como X , el cual será el
punto de operación arbitrariamente seleccionado para el transistor.
8. La señal de entrada hará que la polarización varíe más y menos 20 microamperios a
ambos lados del punto de operación seleccionado de 40 A ; esta variación dará lugar
a la intersección de la línea de carga con las curvas IB = 60 A e IB = 20 A Marque
estos dos puntos sobre la línea de carga y señálelos como N y M, respectivamente.
9. Proyecte líneas perpendiculares a partir de la línea de carga de 500 ohm, en los
puntos N, X y M (hacia la derecha de la línea de carga). Dibuje un senoide entre
estas tres líneas perpendiculares, centrándola en la correspondiente al punto X
. Esta senoide representa la corriente de la señal de entrada IB. Ahora, trace líneas
horizontales hacia la izquierda de la línea de carga y paralelas al eje horizontal de
la gráfica .Dibuje una senoide entre estas tres líneas , centrándola en la horizontal
Correspondiente al punto X. Esta onda senoidal representa la corriente de la señal de
Salida ,IC.
10.La ganancia de corriente Ai de la configuración de emisor común se determina por
la fórmula  (Beta) =  IC/ IB .El símbolo  significa “variación de”. Sobre el eje de
IC, determine la variación de la corriente de colector ( IC) entre los puntos N y M ;
determine a continuación la variación de la corriente de base (IB) entre los puntos
N y M . Con estos datos, calcule la ganancia de corriente para la configuración de EC
11.Desconecte el terminal del MULTIMETRO del colector de Q1 y conéctela al lado
negativo de la fuente de colector (0-20 V). Utilizando el circuito de la Fig. 1-2 ajuste la
corriente de base a emisor de 40 uA y la tensión de alimentación entre colector y
emisor, a 6 V. Esta condición de operación es similar a la indicada por la línea de carga
construida sobre la gráfica de la Fig. 1-4 Aplique una onda senoidal de 1 Khz del
generador de Af , entre el punto A y el terminal de tierra. Conecte el osciloscopio
calibrado entre el colector de Q1 y el terminal de tierra. Ajuste el atenuador de salida
del generador de AF para tener una onda senoidal de 2 V de pico a pico en el colector de
Q1 según se observa en el osciloscopio.
12.Desconecte el osciloscopio del colector de Q1 y conéctelo a la base de Q1. Mida y
anote la tensión de base de Q1
13.Utilizando la tensión de salida de 2 V de pico a pico en el colector de Q1 y la
tensión de entrada de pico a pico que se registró en el punto 12, calcule y anote la
ganancia de tensión de la configuración de emisor

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14. Armar el circuito de la Fig. 12, observando la polaridad correcta de los
capacitadores, el transistor, el medidor y la fuente de alimentación. Ajuste la tensión de
alimentación a 12 V.
15. Determine el punto “Q” midiendo las tensiones presentes en el circuito con respecto
a tierra, anote resultados en un cuadro de comparación final.
16. Determinar la ganancia del amplificador inyectando una señal senoidal de 50mVpp,
a 1KHz.

Fig. 12 CIRCUITO EMISOR COMUN

17. Haga un barrido de mediciones de 10 pasos de señal de entrada desde 20 Hz hasta
1MHz, anote los resultados en un cuadro y luego grafique en papel milimetrado
logarítmico.
18. Realice el mismo procedimiento (2) a (4) para la configuración de colector común.

+15V

18k 675
.01uF A

B .01uF
2N2222A 10K
6kHz

3.3k 200

Fig. 13 CIRCUITO COLECTOR COMUN

19. Realice el mismo procedimiento (2) a (4) para la configuración de base común.

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Fig. 14 CIRCUITO BASE COMUN

20.- El siguiente circuito es de control de tono con circuito corrector del tipo "Bandaxall"
con control del mismo por realimentación que garantiza una ganancia constante en toda
la banda pasante, admite una alimentación desde 9 a 24 voltios. Es un circuito bastante
sencillo, los potenciómetros como en el caso del previo tampoco irán sobre la placa, sino
que irán montados sobre la caratula. Lleva dos potenciómetros, uno de graves y otro de
agudos dos transistores BC547 o BC548 y sus correspondientes resistencias y
condensadores.

Fig. 15 CIRCUITO CONTROL DE TONO

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VI. CUESTIONARIO FINAL

1. En la configuración de emisor común, la señal de entrada se aplica entre -------------

-------------------------------------------------------------------------y la señal de salida
se toma entre---------------------------------------------------------------------
2. ¿Cuál es el punto Q de la configuración emisor común? ----------------------------------
3. ¿Cuál es la relación de fase entre los circuitos de entrada y salida de la configuración
de emisor común? -------------------------------------------------------------------------
4. Como mide prácticamente las impedancias de entrada y salida, cuánto valen
5. Hacer el mismo análisis para colector común y base común

6. ¿Qué tendrá un mayor efecto en la tensión de salida del circuito de emisor común,
una variación de VCE o una de IB ¿Por qué
7. La respuesta en frecuencia del control de tono es tipo Baxendall Graficar en la banda
de paso
8. Implementar en PCB el control de tono para utilidad del Proyecto Amplificador final

VII. CONCLUSIONES Y OBSERVACIONES

Indicar las Conclusiones y observaciones
VIII. BIBLIOGRAFIA

TIEMPO : 3 sesiones de laboratorio RPCG 04-2019

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