CIRCUITOS ELECTRONICOS

DOCENTE: MG. CARLOS EMILIO PANTA

MENDOZA
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1. Familiarizarse con la construcción y operación básicas
del transistor de unión bipolar.

2. Describir el funcionamiento de los transistores bipolares

(BJT)
 El primero se llama transistor pnp y el
El transistor es un dispositivo semiconductor de segundo transistor npn.
tres capas:

a) Dos capas de material tipo p y una de

material tipo n.

b) Dos capas de material tipo n y una de

material tipo p o,
La capa del emisor está muy dopada, la
base ligeramente, y el colector sólo un
poco dopado. Los grosores de las capas
externas son mucho mayores que las del
material tipo p o n emparedado.
la relación entre el grosor total y el de la
capa central es de 0.150/0.001 150:1.
El dopado de la capa emparedada
también es considerablemente menor
que el de las capas externas (por lo
común de 10:1 o menor).
Este menor nivel de dopado reduce la
conductividad (incrementa la resistencia)
de este material al limitar el número de
portadores “libres”.
Con la polarización mostrada en la figura,
las terminales se identificaron por medio
de las letras mayúsculas E para emisor, C
para colector y B para base.
La abreviatura BJT (de bipolar junction
transistor) se suele aplicar a este
dispositivo de tres terminales.
El término bipolar refleja el hecho de que
huecos y electrones participan en el
proceso de inyección hacia el material
opuestamente polarizado.
Si se emplea sólo un portador (electrón o
hueco), se considera que es un dispositivo
unipolar
Describiremos la operación básica del
transistor utilizando el transistor pnp de la
figura (a):
Observe las semejanzas entre esta situación y
la del diodo polarizado en directa.
El ancho de la región de empobrecimiento se
redujo a causa de la polarización aplicada y el
resultado fue un intenso flujo de portadores
mayoritarios del material tipo p al material
tipo n.
 La unión p-n de un transistor se polariza en inversa en
tanto que la otra se polariza en directa.
Eliminemos ahora la polarización
de la base al emisor del transistor
pnp como se muestra en la figura
siguiente.
Observe las semejanzas entre esta
situación y la del diodo polarizado
en inversa
Recuerde que el flujo de portadores
mayoritarios es cero, y el resultado
es sólo un flujo de portadores
minoritarios.
Ahora se aplican ambos potenciales de
polarización a un transistor pnp, con los
flujos de portadores mayoritarios y
minoritarios resultantes indicados.
Como el material tipo n emparedado es
muy delgado y su conductividad es baja,
un número muy pequeño de estos
portadores tomarán esta ruta de alta
resistencia hacia la base.
La magnitud de la corriente de base es
por lo general del orden de
microamperios, en comparación con los
miliamperios de las corrientes del emisor
y el colector.
 La corriente del colector consta de dos componentes:
los portadores mayoritarios y los minoritarios.
Aplicando la ley de las corrientes de
El componente de corriente de portadores minoritarios
Kirchhoff al transistor de la figura
se llama corriente de fuga y se le da el símbolo Ico
anterior como si fuera un nodo único
[corriente Ic con el emisor abierto (Open)].
obtenemos:
La corriente del colector, por consiguiente, está
determinada en su totalidad por:
La terminología en base común se deriva del hecho de
que la base es común tanto para la entrada como para la
salida de la configuración.
Además, la base por lo general es la terminal más
cercana a, o en, un potencial de tierra.
La flecha en el símbolo gráfico define la dirección
de la corriente del emisor (flujo convencional) a
través del dispositivo.
En cada caso IE = IC + IB, y también que la
polarización aplicada (fuentes de voltaje) es tal
como para establecer corriente en la dirección
indicada en cada rama.
Es decir, compare la dirección de IE con la
polaridad de VEE con cada configuración y la
dirección de IC con la polaridad de VCC.
Para describir plenamente el comportamiento de
un dispositivo de tres terminales como el de los
amplificadores en base común de la figura, se
requieren dos conjuntos de características, uno
para los parámetros de entrada (punto de
manejo) y el otro para el lado de salida.
 Salida o características del colector
de un amplificador de transistor en
base común
El conjunto de salida relaciona una corriente de entrada
(IC) con un voltaje de salida (VCB) para varios niveles de
corriente de entrada (IE), como se muestra en la figura
siguiente.
La salida o conjunto de características del colector ofrece
tres regiones básicas de interés, como se indica en la
misma figura: las regiones activa, de corte y saturación.
La primera, es la región que normalmente se emplea
para amplificadores lineales (sin distorsión).

En particular: En la región activa la unión base-emisor

se polariza en directa, en tanto que la unión colector-
base se polariza en inversa.
 Las curvas indican con claridad que una primera
aproximación a la relación de IE e IC en la región
activa está dada por:

Como su nombre lo dice, la región de corte se

define como aquella donde la corriente en el
colector es de 0 A.
Observe en la figura arriba que a medida que la corriente en
el emisor se incrementa por encima de cero, la corriente del
colector aumenta a una magnitud igual en esencia a la de la
corriente del emisor.
Observe también el efecto casi insignificante de VCB en la
corriente a través del colector para la región activa.
La región de saturación se define como aquella región de
las características a la izquierda de VCB = 0.
Observe el incremento exponencial de la corriente del
colector al incrementarse el voltaje VCB hacia 0 V

Para todos los análisis de cd de redes con transistores a

seguir, emplearemos el modelo equivalente de la figura
(c). Es decir, una vez que un transistor se “enciende”,
supondremos que el voltaje base-emisor será el
siguiente:
Desarrollo del modelo equivalente que se
empleará para la región base a emisor de un
amplificador en el modo de cd

El efecto de las variaciones producidas

por VCB y la pendiente de las
características de entrada se omitirá
cuando analicemos redes con
transistores para obtener una
respuesta real.
Es importante apreciar en su totalidad
lo estipulado por las características de
la figura (c). Con el transistor
“encendido” o activo, el voltaje de la
base al emisor será de 0.7 V a
cualquier nivel de corriente en el
emisor controlado por la red externa.

a) A partir de las características de la
figura, determine la corriente del
colector si IE = 3 mA y VCB = 10 V.
b. Utilizando las características de la figura anterior, determine
la corriente del colector si IE permanece en 3 mA y VCB se
reduce a 2 V.
c. Con las características de las figuras 3.7 y 3.8, determine VBE
si IC = 4 mA y VCB = 20 V.
d. Repita la parte (c) utilizando las
características de las figuras mostradas.
a. Las características indican claramente que

b. El efecto de cambiar VCB es insignificante e IC sigue

siendo 3 mA.

c. Según la figura de la derecha, IE = IC = 4 mA. En la otra

figura el nivel resultante de VBE es alrededor de 0.74 V.

d. De nuevo, según la figura de la derecha, IE = IC = 4 mA.

Sin embargo, en la figura (c), VBE es 0.7 V para cualquier
nivel de corriente del emisor.
 Establecimiento de la administración de
La polarización apropiada de la polarización correcta para un transistor pnp
configuración de base común en la región de base común en la región activa.
activa se determina de inmediato con la
aproximación IC = IE y suponiendo por el
momento que IB = 0 microamperios.
El resultado es la configuración de la
figura siguiente para el transistor pnp.
La flecha del símbolo define la dirección
del flujo convencional de las corrientes IC
= IE .
Las fuentes de cd se insertan entonces
con una polaridad que soporte la
dirección resultante de la corriente.
Amplificación de voltaje básica de la configuración de Suponemos que Ic = Ie, luego:
base común: Entrada corriente alterna (ca).

La amplificación del voltaje es:

La acción amplificadora básica se produjo al

transferir la corriente de la fuente Ii de un
circuito de baja resistencia a uno de alta.