Universidad

Veracruzana
Facultad de Ingeniería en
Electrónica y Comunicaciones

Configuración de Colector y Base común

con el transistor BJT

Experiencia Educativa:

Circuitos Integrados analógicos

Presenta:
Azuara Vargas Julio Cesar
Roberto Eleasid Meneses Miranda
Hernán Aldair Bartolo Almora
Omar Zaleta Hernández

Maestro:
Luis Javier Morales Mendoza
Poza Rica de Hgo, ver. 22/02/2023
CONFIGURACIONES DEL TRANSITOR
Base Común
La terminología relativa a base común se desprende del hecho de que la base es
común a los lados de entrada y salida de la configuración. Además, la base es
usualmente la terminal más cercana o en un potencial de tierra como se muestra
en la figura 11 con transistores pnp y npn.. Esta figura indica además los sentidos
de la corriente convencional (Flujo de Huecos).

De la figura #11, se puede observar que en cada caso IE = IC + IB. También se

nota que la polarización aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que se
establezca la corriente en la dirección indicada para cada rama. Es decir,
compárese la dirección de IE con la polaridad o VEE para cada configuración y la
dirección de IC con la polaridad de VCC.

Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres

terminales, se requiere de dos conjuntos de características, uno para los
parámetros de entrada o punto de manejo y el otro para el lado de salida. El
conjunto de entrada para el amplificador de base común, como se muestra en la
figura 12, relacionará una corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE) para varios
niveles de voltaje de salida (VCB).
Como se observa en la figura #12, lo que se tiene es la curva equivalente a la
zona directa de un diodo, especialmente cuando la salida está polarizada muy
inversamente, (VCB > 10V).
El conjunto de salida relacionará una corriente de salida (IC ) con un voltaje de
salida VCB para diversos niveles de corriente de entrada (IE). Esto es,
corresponde a la zona inversa del diodo y por tanto, corresponde a una corriente
básicamente constante sin importar el valor del voltaje inverso.
 Esto quiere decir, serán líneas rectas a lo largo del Eje que partirá de un valor aproximado a –
0,6V.Para un transistor de Silicio.

Configuración de Emisor Común

La configuración de transistores que se encuentra con mayor frecuencia se muestra en la figura
#13 para los transistores pnp y npn. Se denomina configuración de emisor común porque el emisor
es común tanto a las terminales de entrada como a las de salida (en este caso, es también común
a las terminales de la base y del colector)

De nuevo se necesitan dos conjuntos de características para describir en forma

completa el comportamiento de la configuración de emisor común: una para la
entrada o circuito de la base y una para la salida o circuito del colector. Ambas se
muestran en la figura 14
Las corrientes del emisor, colector y la base se muestran en su dirección de
comente convencional real. Aun cuando la configuración del transistor ha
cambiado, siguen siendo aplicables las relaciones de corrientes desarrolladas
antes para la configuración de base común.

En la configuración de emisor común las características de la salida serán una

gráfica de la corriente de salida (IC) versus el voltaje de salida (VCE) para un
rango de valores de la corriente de entrada (IB). Las características de la entrada
son una gráfica de la comente de entrada (IB) versus el voltaje de entrada (VBE)
para un rango de valores del voltaje de salida (VCE). Obsérvese que en las
características de la figura14 la magnitud de IB es del orden de microamperios
comparada con los miliamperes de IC. Nótese también que las curvas de IB no
son tan horizontales como las que se obtuvieron para IE en la configuración de
base común, lo que indica que el voltaje de colector a emisor afectará la magnitud
de la corriente de colector.

La región activa en la configuración de emisor común es aquella parte del

cuadrante superior derecho que tiene la linealidad mayor, esto es, la región en la
que las curvas correspondientes a IB son casi líneas rectas y se encuentran
igualmente, espaciadas. 14 a esta región se localiza a la derecha de la línea
sombreada vertical en VCEsat por encima de la curva para IB igual a cero. La
región a la izquierda de VCEsat se denomina región de saturación. En la región
activa de un amplificador emisor común la unión colector-base está polarizada
inversamente, en tanto que la unión base-emisor está polarizada directamente.
Se recordará que éstas fueron las mismas condiciones que existieron en la región
activa de la configuración de base común. La región activa de la configuración de
emisor común puede emplearse en la amplificación de voltaje, corriente o potencia.
La región de corte en la configuración de emisor común no está tan bien definida
como en la configuración de base común. Nótese, en las características de
colector de la figura 14 que IC no es igual a cero cuando IB = 0. En la
configuración de base común, cuando la corriente de entrada IE = 0, la corriente
de colector fue sólo igual a la corriente de saturación inversa ICO, por lo que la
curva IE = 0 y el eje de voltaje fueron (para todos los propósitos prácticos) uno.
La razón de esta diferencia en las características del colector puede obtenerse
mediante la manipulación adecuada de las ecuaciones (1.2). Es decir, Ecuación
(1.2): IC =? IE + ICBO.

Sustituyendo se tiene: IC =? (IC + IB) + ICBO Reordenando obtenemos:

Si consideramos el caso discutido: anteriormente, donde IB = 0 A, y sustituimos

un valor típico de ? tal como 0.996, la corriente de colector resultante es la
siguiente:

Si ICBO fuera de 1? A, la corriente de colector resultante con IB = 0 A seria: 250

(1pA) = 0.25mA, como se refleja en las características de la figura 14. Para
referencia futura, a la corriente de colector definida por la condición IB = 0? A se le
asignará la notación indicada por la ecuación
(1.9):

En la figura 13 las condiciones que envuelven a esta corriente definida

nuevamente se muestran con su dirección de referencia asignada.
Para propósitos de amplificación lineal (la menor distorsión) el corte para la
configuración de emisor común se determinará mediante IC = ICEO. En otras
palabras, la región por debajo de IB = 0 A deberá evitarse si se requiere una señal
de salida sin distorsión.
Cuando se emplea como interruptor en la circuitería lógica de una computadora,
un transistor tendrá dos puntos de operación de interés: uno en el corte y el otro
en la región de saturación. La condición de corte, en el caso ideal, sería IC = O A
para el voltaje VCE elegido. Puesto que ICEO es por lo general de pequeña
magnitud para los materiales de silicio, el corte existirá para propósitos de
conmutación cuando IB = O A o IC = ICEO únicamente en el caso de transistores
de silicio. En los transistores de germanio, sin embargo, el corte para propósitos
de conmutación se definirá como aquellas condiciones que existen cuando IC
=ICBO. Esta condición puede obtenerse normalmente en los transistores de
germanio polarizando inversamente la unión de base emisor, polarizada por lo
regular en forma directa a unos cuantos décimos de volt.
Recuérdese para la configuración de base común que el conjunto de
características de entrada se aproximó por una línea recta equivalente que resultó
en VBE = 0.7 V para cualquier nivel de IE mayor de O A. Para la configuración de
emisor común puede tomarse la misma aproximación, resultando en el equivalente
aproximado. El resultado apoya nuestra anterior conclusión de que para un
transistor en la región "activa" o de conducción el voltaje de base a emisor es 0.7
V. En este caso el voltaje se ajusta para cualquier nivel de la corriente de base.
Configuración base común BJT
En la configuración base común la entrada es por el emisor, y la salida por el colector como se
muestra en la siguiente figura:

Presenta las siguientes características:

- Alta ganancia de Voltaje.
- Ganancia de corriente menor a 1.
- No inversión de voltaje en la salida.
- Inversión de Corriente en la salida.
- Impedancia de entrada pequeña.
- Impedancia de salida grande.

Aplicaciones: Un transistor bjt en configuración base común se usa en aplicaciones VHF (very high
frequency) y UHF (ultra high frequency), ya que presenta una respuesta excelente a altas
frecuencias, esto debido a que no se ve afectado por el efecto Miller, ya que presenta una baja
realimentación de la salida a la entrada. Además en la configuración compuesta cascode se usa un
base común precedido de un emisor común, para tener los beneficios de la alta impedancia del
emisor común, y la buena respuesta en frecuencia del base común.
Las polarizaciones que se usan en un base común son la polarización estabilizada en emisor,
polarización por divisor de voltaje, y polarización por realimentación de colector y de emisor.
Polarización fija y polarización por realimentación de colector no se usan ya que cortocircuitan la
entrada en el base común. El modelo híbrido exacto de un transistor bjt en base común es el
siguiente:
Se puede observar que ahora todos los parámetros híbridos, tiene el subíndice b, además de que la
fuente de corriente ahora depende de la corriente de emisor. Ahora el modelo híbrido de emisor
común también puede ser usado para analizar un base común, el modelo híbrido de emisor común
configurado para base común es el siguiente:

En donde lo único que se hizo fue acomodar el circuito, de tal manera que la entrada sea ahora el
emisor, el común sea la base, y la salida sea el colector. Ahora la relación de parámetros entre un
base común y un emisor común es la siguiente:

En los próximos ejemplos, se usará el modelo aproximado de emisor común configurado para
base común, por lo cual todas las ecuaciones de los parámetros estarán en términos de hie y hfe,
el modelo es el siguiente:

En donde se asume que hre y hoe son cero. La razón de porqué se usa el modelo ac del emisor
común configurado para base común, y no directamente el modelo ac de base común, es que los
parámetros del emisor común son los que normalmente se dan en el datasheet, e igualmente los
resultados son los mismos. En los siguientes ejemplos se observan las ecuaciones de los parámetros
de un base común, zi, zo, vi, vo, ii, io, Av, y Ai para los diferentes tipos de polarización.
Configuración de colector común BJT
La configuración de colector común también llamada seguidor de emisor, tiene la entrada por la base,
y la salida por el emisor, como se muestra en la siguiente figura:

Presenta las siguientes características:

- Alta ganancia de corriente.
- Ganancia de voltaje menor a 1.
- Inversión de corriente de salida.
- No inversión de voltaje en la salida
- Impedancia de entrada grande.
- Impedancia de salida pequeña.

Aplicaciones: La configuración colector común tiene un comportamiento similar a un buffer de

voltaje, ya que lo que hace es tomar una señal de voltaje de baja potencia, y transformarla en la
misma señal de voltaje, pero con una mayor potencia, sin llegar a distorsionar en ningún momento
la señal de entrada. Como buffer tiene ciertas limitaciones, por ejemplo: tiene una impedancia de
entrada alta, pero no en el orden Mega Ohms, tiene una impedancia de salida baja, pero no en el
orden de mili Ohms, y tiene una ganancia de voltaje cercana a uno, pero no de uno. Por todo lo
anterior al colector común se le puede considerar como un buffer de voltaje imperfecto.
Las polarizaciones que se usan en un colector común son la polarización estabilizada en emisor,
polarización por divisor de voltaje, y polarización por realimentación de colector y de emisor.
Polarización fija y polarización por realimentación de colector no se usan ya que cortocircuitan la
salida en el colector común. El modelo híbrido exacto de un transistor bjt en colector común es
el siguiente:
Se puede observar que ahora todos los parámetros híbridos, tiene el subíndice c, además de que la
fuente de corriente sigue dependiendo de la corriente de base. Ahora el modelo híbrido de emisor
común también puede ser usado para analizar un colector común, el modelo híbrido de emisor
común configurado para colector común es el siguiente:

En donde lo único que se hizo fue acomodar el circuito, de tal manera que la entrada siga siendo la
base, el común sea ahora el colector, y la salida sea el emisor. Ahora la relación de parámetros entre
un colector y un emisor comunes es la siguiente:

En los próximos ejemplos, se usará el modelo híbrido aproximado de emisor común configurado
para colector común, que es el siguiente:

En donde se asume que hre y hoe son cero. La razón de porqué se usa el modelo ac del emisor
común configurado para colector común, y no directamente el modelo ac de colector común, es que
los parámetros del emisor común, son los que normalmente se dan en el datasheet, e igualmente los
resultados son los mismos. En los siguientes ejemplos se observan las ecuaciones de los parámetros
de un colector común, zi, zo, vi, vo, ii, io, Av, y Ai para los diferentes tipos de polarización.
Conclusiones
Azuara Vargas Julio Cesar

Los transistores BJT y MOSFET presentan una amplia gama de configuraciones y usos ya sea
como amplificadores o como interruptores , al redactar estos resúmenes se me facilito asociar
estos a distintos tipos de llaves de paso de electrones y dependiendo de sus componentes aplicar
sus utilidades, ya sean NPN , PNP ,Par Darlington o foto transistor en el caso de los BJT o JFET y
MOSFET en Los de efecto de campo FET , es importante conocer como funcionan estas y como se
presentas sus áreas de trabajo de corte, activa, de saturación y Activa opuesta para asi usar
óptimamente los dispositivos, también me pareció interesante la lectura y los videos anexados a
esta observando como el paso de los electrones es lo que permite que la corriente se pueda
transferir en estos dispositivos. El manejo de plataformas digitales como el MULTISIM facilito la
comprensión de la circuitería interna de los dispositivos. En general se comprendió el tema.

Zaleta Hernández Omar

Las configuraciones de BJT y FET tienen una buena función para el audio y voltaje y es curioso
cómo se ven las ondas en el oscilador fue un buen trabajo y buen aprendizaje del multisim a uso
laboral mientras que cosas como la corriente del emisor, colector y la base se muestran en su
dirección de comente convencional real aun cuando la configuración del transistor cambiado,
siguen siendo aplicables las relaciones de corrientes desarrolladas antes de la configuración de
BC. En general aprendí bien y entendible el tema.
Bartolo Almora Hernán Aldair

un transistor bipolar tiene la característica de permitir el paso de la corriente en único sentido y

controladamente, lo podemos imaginar como un interruptor que mediante la aplicación de un pulso
eléctrico en una de sus terminales provoca que en las otras 2 fluya más la corriente estas 3 son
base, emisor, y colector. hay 2 tipos de transistores bipolares PNP Y NPN lo que los diferencia es
de que material están armados y el sentido de la polarización, funcionalmente no existe diferencias
entre estos 2 solo su polaridad. estos tienen un funcionamiento muy importante como por ejemplo
donde la corriente es muy pequeña y ahí la necesidad de alimentar componentes que consumen
grandes cantidades de corriente.

Meneses Miranda Roberto Eleasid

un transistor BJT es un dispositivo electrónico que se utiliza para amplificar o para uso como
interruptor electrónico, tiene la capacidad de amplificar una señal introducida en su entrada y
también como medio cambio de cargas utilizando una pequeña cantidad de voltaje haciendo que
sea muy util en la electrónica , hay 2 tipos de transistores de unión bipolar el BJT PNP Y NPN este
tiene 3 zonas conductoras que están dopadas de manera distinta que son base, colector emisor la
base está un poco más delgada en comparación de las otas 2 el colector esta moderadamente
dopada mientras que emisor está completamente dopado
Bibliografía
Bakshi, U., & Godse, A. (2007). The depletion mode MOSFET. En U. Bakshi, & A. Godse, Electronic Circuits.

Donate, A. H. (1997). Técnicas electrónicas digitales.

INACAP. (2002). CONFIGURACIONES DEL TRANSITOR.

Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor:John Atalla and Dawon Kahng fabricate working transistors and
demonstrate the. (1963).

Museum, C. H. (2007). The Silicon Engine | 1948 – Conception of the Junction Transistor.

Tejeda., L. G. (s.f.). TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA.

varios. (noviembre de 2022). wikipedia. Obtenido de transistor: https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor