2.

Análisis en pequeña señal con transistores

2.1 Estructura de un BJT
El termino BJT (de bipolar junction transistor) se suele aplicar a este dispositivo de tres
terminales. El término bipolar refleja el hecho de que huecos y electrones participan en
el proceso de inyección hacia el material opuestamente polarizado.
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas, se conocen dos tipos:
*Transitor npn: que consta de dos capas de material tipo n y una de material tipo p
*Transistor pnp: que consta de dos capas de material tipo p y una de material tipo n

Carcacteristicas:
-La capa del emisor está muy dopada, la base ligeramente, y el colector sólo un poco
dopado.
-La relación entre el grosor total y el de la capa central es de 0.150/0.001 150:1.
-Posee tres terminales E para emisor, C para colector y B para base.
2.2 Configuraciones del transistor
2.2.1 Base común
La terminología en base común se deriva del hecho de que la base es común tanto
para la entrada como para la salida de la configuración. Además, la base por lo general
es la terminal más cercana a o esta en un potencial de tierra.
Para describir plenamente el comportamiento de un dispositivo de tres terminales como
el de los amplificadores en base común, se requieren dos conjuntos de características,
uno para los parámetros de entrada y el otro para el lado de salida. El conjunto de
entrada para el amplificador en base común de relaciona una corriente de entrada (IE)
con un voltaje de entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCB). El
conjunto de salida relaciona una corriente de entrada (IC) con un voltaje de salida
(VCB) para varios niveles de corriente de entrada (IE)
La salida del colector ofrece tres regiones básicas de interés, las regiones activa, de
corte y saturación. En la región activa la unión base-emisor se polariza en directa, en
tanto que la unión colector-base se polariza en inversa.

Como se observa en la figura 3.8 a medida que la corriente en el emisor se incrementa

por encima de cero, la corriente del colector aumenta a una magnitud igual en esencia
a la de la corriente del emisor, como lo determinan las relaciones de corriente básicas
para el transistor. Las curvas indican con claridad que una primera aproximación a la
relación de IE e IC en la región activa está dada por IC≈ IE
Como su nombre lo dice, la región de corte se define como aquella donde la corriente
en el colector es de 0 A. Además en la región de corte las uniones base-emisor y
colector-base de un transistor se polarizan en inversa.
La región de saturación se define como aquella región de las características a la
izquierda de VCB=0. En la región de saturación las uniones base-emisor y colector-
base se polarizan en directa.
Se considera el voltaje base emisor (Vbe) constante igual a 0.7V
En el modo cd los niveles de IC e IE originados por los portadores mayoritarios están
relacionados por una cantidad llamada alfa. El alfa de ca se llama formalmente factor
de amplificación en cortocircuito en base común
 2.2.2 Emisor Común
Se llama configuración en emisor común porque el emisor es común o sirve de referencia
para las terminales de entrada y salida . Se requieren dos conjuntos de características
para describir plenamente el comportamiento de la configuración en emisor común: uno
para el circuito de entrada (base-emisor) y uno para el circuito de salida (colector-emisor).

Para la configuración en emisor común, las características de salida son una gráfica de
la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida (VCD) para un intervalo de valores de
la corriente de entrada (IB). Las características de entrada son una gráfica de la
corriente de entrada (IB) contra el voltaje de entrada (VBE) para un intervalo de valores
del voltaje de salida (VCE).
En la región activa de un amplificador en emisor común, la unión base-emisor se
polariza en directa en tanto que la unión colector-base está en inversa.
La región de corte para la configuración en emisor común no está tan bien definida
como para la configuración en base común. Para propósitos de amplificación lineal
(distorsión mínima), IC = ICEO define el corte para la configuración en emisor común.
En el modo de cd los niveles de IC e IB están relacionados por una cantidad llamada
beta (factor de amplificación de corriente en directa en emisor común) , magnitud
relativa de una corriente con respecto a la otra, y esta definida por la siguiente
ecuación:
2.2.3 Colector común
La configuración en colector común se utiliza sobre todo para igualar impedancias,
puesto que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, lo
contrario de las configuraciones descritas anteriormente.

Las características de salida de la configuración en colector común son las mismas de

la configuración en emisor común. Para la configuración en colector común las
características de salida son una gráfica de IE contra VCE con un rango de valores de
IB. La corriente de entrada es, la misma tanto con las características en emisor común
como en colector común. Por último, ocurre un cambio casi imperceptible en la escala
vertical de IC de las características en emisor común si IC se reemplaza con IE para las
características en colector común (puesto que alfa tiende a 1). Para el circuito de
entrada de la configuración en colector común bastan las características básicas en
emisor común para obtener la información requerida.
2.3 Análisis del BJT como amplificador
Una de las aplicaciones mas comunes del BJT es su uso como amplificador de
corriente alterna. Dicha aplicacion consiste en un sistema capaz de amplificar la senal
de entrada en un factor de ganancia determinado, que ser· la relacion de salida sobre
la entrada. En terminos de senales del voltaje, se habla de ganancia de voltaje Av = Vo/
Vi. Para que este sistema funcione, el BJT debe estar polarizado en zona activa. Esto
significa que simultaneamente conviven elementos de corriente continua (cc) y
corriente alterna (ca). E.
2.3.1 Modelo equivalente hibrido
2.4 Amplificador en modo diferencial
El circuito del amplificador diferencial es una conexión de muy grande aceptación y uso en unidades de
circuitos integrados.
El circuito cuenta con dos entradas y dos salidas distintas, y los emisores están conectados entre sí. Si
bien la mayoría de los circuitos de amplificador utilizan dos fuentes de voltaje distintas, el circuito
también puede operar con una sola fuente.

Hay varias combinaciones posibles de señal de entrada:

*Si se aplica una señal de entrada a cualquiera de las dos entradas con la otra conectada a tierra, la
operación se conoce como “sencilla”.

* Si se aplican dos señales de entrada de polaridad opuesta, la operación se conoce como “doble”.

*Si la misma señal de entrada se aplica a ambas entradas, la operación se denomina “modo común”

2.5 Análisis del BJT como conmutador

Existen transistores conocidos como transistores de conmutación por la velocidad con
que cambian de un nivel de voltaje a otro.
Los lapsos de tiempo ts, td y tr se dan contra la corriente de colector. Su impacto en la
velocidad de respuesta a la salida del colector está definido por la respuesta de la
corriente.

El tiempo total requerido para que el transistor cambie del estado “apagado” al de
“encendido” se designa como t encendido y se define como: t encendido=tr+td, con td el
tiempo de retardo entre el estado cambiante de la entrada y el inicio de una respuesta a
la salida.
El elemento de tiempo tr es el tiempo de levantamiento de 10% a 90% del valor inicial.
El tiempo total requerido que el transistor cambie del estado “encendido” al estado
“apagado” se conoce como tapagado y se define como: tapagado=ts+tf, donde ts es el
tiempo de almacenamiento y tf es l tiempo de descenso de 90% a 10% del valor inicial.

2.6 Transistor de efecto de campo, FET

El transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que el transistor
JFET es un dispositivo controlado por voltaje.

Así como hay transistores bipolares npn y pnp, también existen transistores de efecto
de campo de canal n y de canal p. El FET es un dispositivo unipolar que depende no
sólo tanto de la conducción de electrones (canal n) como de la condición de huecos
(canal p). Las cargas presentes establecen un campo eléctrico, el cual controla la ruta
de conducción del circuito de salida sin que requiera un contacto directo entre las
cantidades de control y las controladas.
*Uno de las características más importantes del FET es su alta impedancia de entrada.
Los FET son más estables a la temperatura que los BJT, y en general son más
pequeños que los BJT, lo que los hace particularmente útiles en chips de circuitos
integrados (CI).
2.6.1 Configuración fija y estabilizada