TRANSISTORES DE

UNIÓN BIPOLAR


Electrónica Analógica 

UNIDAD 3 - Transistores, análisis en DC y AC.

3.1 Zonas de trabajo, límites de operación, hojas especificaciones, pruebas

3.2 Punto de operación
3.3 Transistor BJT: Circuitos de polarización
3.4 Transistor BJT en Conmutación.
3.5 Transistor FET: Circuitos de polarización
3.6 Transistores MOSFET: operación, características, tipos y polarización.
3.7 Amplificadores de Señales con BJT
3.8 Amplificadores de Señales con FET
INTRODUCCIÓN



De 1904 a 1947, el tubo de vacío o bulbo
fue el dispositivo electrónico de mayor
interés y desarrollo. J.A. Fleming. Presentó
en 1904 el diodo de tubo de vacío y en
1906 , Lee de Forest agregó un tercer
elemento, llamado rejilla de control al diodo
de tubo de vacío y el resultado fue el
primer amplificador, el tríodo. En los años
siguientes la radio y la televisión dieron
impulso a la industria de los bulbos y la
producción pasó de 1 millón de bulbos en
1922 a cerca de 100 millones en 1937.


El 23 de diciembre de 1947, Walter H.
Brattain y John Bardeen demostraron la
acción amplificadora del primer transistor
en los laboratorios Bell. El transistor
original se muestra en la figura.
.

Comparado con el bulbo, el transistor tenía varias ventajas:
• Más pequeño y liviano
• No requería de un período de calentamiento
• Construcción más robusta
• Consume menos potencia
• Voltajes de operación más bajos


Construcción del transistor
El transistor es un dispositivo de tres capas, puede construirse como npn o
pnp. Ambos se muestran en la figura adjunta con la polarización adecuada.


Construcción del transistor


Los grosores de las capas externas son mucho mayores que las del
material tipo p o n intermedio, para los mostrados en la figura la relación
es 150:1. El dopado de la capa intermedia también es
considerablemente menor que el de las capas externas, por lo común
10:1 o menor. El nivel de dopado reduce la conductividad del material
al limitar el número de portadores libres.


Los terminales se identifican con letras mayúsculas:

E para el emisor, 

B para la base y 

C para el colector.


Operación del transistor


A continuación se describirá la operación básica para el transistor pnp.
La unión p-n de un transistor se polariza en inversa en tanto que la otra
se polariza en directa.


Operación del transistor


Cuando se aplica ambos potenciales de polarización a un transistor pnp,
se tiene los flujos de portadores mayoritarios y minoritarios de la figura.




















Aplicando la ley de corrientes de Kirchhoff se tiene:
IE = IC + I B
Operación del transistor


La corriente del colector tiene dos componentes:


IC = ICmayoritarios + IC0minoritarios


La corriente de portadores minoritarios se denomina corriente de
fuga con emisor abierto.


Para transistores de uso general, IC se mide en miliamperios e IC0
en microamperios o nanoamperios. IC0 es sensible a la
temperatura y hay que examinarla con cuidado cuando se
consideren aplicaciones de amplios intervalos de temperatura.
Mejoras en las técnicas de construcción han reducido
significativamente los niveles de IC0, al grado que su efecto a
menudo puede ser ignorado.

 Configuración en base común





PNP NPN
La terminología en base común se deriva del hecho de que la base es común
tanto para la entrada como para la salida de la configuración.
La flecha en el símbolo gráfico define la dirección de la corriente del emisor
(flujo convencional) a través del dispositivo.
Configuración en base común


El conjunto de

 salida relaciona una
corriente de entrada
(IC) con un voltaje
de salida (VCB)
para varios niveles
de corriente de
entrada (IE)

En la región activa
la unión
base-emisor se
polariza en directa,
en tanto que la
unión
colector-base se
polariza en
inversa.
 Configuración en base común
En el extremo inferior de la región activa la
corriente del emisor (IE) es cero y del
colector es la corriente de saturación en
inversa (IC0), esta corriente es tan pequeña
(microamperios) comparada con la escala
vertical de IC (miliamperios), que
prácticamente aparece sobre el eje
horizontal. Las condiciones que se dan
cuando IE=0 en la configuración de base
común se muestran en la figura adjunta.

La notación más común para IC0 que

aparece en las hojas de especificaciones
es ICB0, que se puede despreciar para
transistores de baja y mediana potencia.
Sin embargo debe ser tomada en cuenta
para unidades de alta potencia debido a su
sensibilidad a la temperatura que la haría
llegar a los miliamperios.


 Configuración en base común
Las curvas mostradas indican
que una primera aproximación
a la relación de IE e IC en la
región activa está dada por:
I E ≅ I C


● La región de corte es
aquella en la que la
corriente en el colector
es de 0 amperios y
además las uniones
base-emisor y 

colector – base se
polarizan en inversa. 



● En la región de
saturación las uniones
base-emisor y
colector-base se
polarizan en directa
Configuración en base común


● Para todos los análisis DC del curso se empleará el modelo
equivalente de la figura 3.10c , una vez que el transistor se
enciende, se supondrá que el voltaje base-emisor será: VBE= 0,7 V

EJEMPLO 1.


a. A partir de la curva mostrada (Fig 3.8), determine lC si IE = 3 mA y VCB= 10 V
b. Utilizando la misma figura 3.8 determine lC si IE = 3 mA y VCB= 2 V
c. Con las características de las figuras 3.7 y 3.8 determine VBE si lC = 4 mA y VCB=
20 V
d. Repita la parte c utilizando las características de las figuras 3.8 y 3.10 c
Configuración en Emisor común





Se llama
configuración en
emisor común
porque el emisor es
común o sirve de
referencia para las
terminales de
entrada y salida (en
este caso es
común para las
terminales base y
colector).
Configuración en Emisor común
Características de un transistor de silicio en la configuración en emisor común:
(a) características; (b) características de base.


Configuración en Emisor común
Las corrientes de emisor, colector y base se muestran en su dirección
convencional real. Aún cuando la configuración del transistor cambió,
las relaciones anteriores de corriente se mantienen. Es decir:
IE = I C + I B


I C = α I E



La característica de entrada es IB vs VBE y la de salida es IC vs VCE para
un intervalo de corrientes de entrada IB. Observe que la magnitud de IB
está en microamperios comparada con los miliamperios de IC. También
se puede observar que las curvas de IB no son tan horizontales como en
base común, lo que indica que el VCE influye en la magnitud de la
corriente de colector.
La región activa es el cuadrante superior en la parte de mayor
linealidad, la región de curvas de IB son casi rectas y equidistantes. En
la figura 3.14a la región está a la derecha de las líneas verticales en
VCEsat y arriba de la curva de IB igual a cero. La región a la izquierda de
VCEsat se llama región de saturación.

Configuración en Emisor común


En la región activa de un amplificador en emisor común, la unión base emisor
se polariza en directa en tanto que la unión colector-base está en inversa.


Estas eran las mismas condiciones en la región activa de base común. La región
activa en emisor común se emplea para amplificar voltaje, corriente o
potencia.

La región de corte no está bien definida, es decir que IC no es igual a
cero cuando IB es cero. La razón está en el manejo de la ecuación:



IC = α IE + ICB0



Al sustituir IE por IC+IB y despejar IC se llega a IC = 250 ICB0.

Si ICB0 fuera de 1 µA, IC sería de 0.25 mA, como se refleja en la curva
característica 3.14. De forma general, IC para IB= 0 µA estará dada por:




Configuración en Emisor común


Para propósitos de amplificación lineal (distorsión mínima), IC = ICE0
define el corte para la configuración en emisor común.


En otras palabras, hay que evitar la región debajo de IB = 0 µA, cuando se
requiere una señal de salida no distorsionada.


Cuando se emplea como interruptor en los circuitos lógicos de una
computadora, un transistor tendrá dos puntos de operación de interés, uno
en la región de corte y otro en la región de saturación. La condición de
corte idealmente deberá ser de IC = 0 mA para el voltaje VCE seleccionado.
Generalmente ICE0 es de baja magnitud en materiales de silicio, por lo que
para efectos de conmutación el corte se dará cuando IB = 0 µA ó IC = ICE0.
Para transistores de germanio el corte será cuando IC = ICB0



Para la configuración de emisor común se hará la misma aproximación que
en el caso de base común para la característica de entrada, con lo cual VBE
= 0.7 V y se tendrá la curva de la figura 3.16.


Configuración en Emisor común




EJEMPLO 2.
A partir de la curva mostrada (Fig 3.14), determine:
a. lC si IB = 30 µA y VCE= 10 V
b. lC si VBE = 0.7 V y VCE= 15 V
 
Beta (β)



En forma general se puede utilizar de manera indistinta los valores de βcd y
βca, debido a que siempre serán cercanos


Es posible desarrollar una relación entre α y β, sin necesidad de especificar
si son en directa o alterna, utilizando la ecuación IE = IC + IB









Y a partir de las restantes ecuaciones,
 se puede llegar a:


Polarización en emisor común

La polarización adecuada para la región activa se determina de forma
similar al procedimiento explicado en base común. Las fuentes DC se
colocan con una polaridad que soporte la dirección de las corrientes IB e
IC. Para el transistor pnp, las polaridades se invertirán.