DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

EXPERIENCIA N 6.
I.

TEMA: El transistor bipolar. Caractersticas bsicas. OBJETIVOS:

Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP. Comprobar las caractersticas de funcionamiento de un transistor bipolar PNP.

II.

III.

INTRODUCCCIN TEORICA.

Transistor BJT El transistor de unin bipolar (BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensin mucho mayor. Como probar un transistor Para probar transistores bipolares hay que analizar un circuito equivalente de ste, en el que se puede utilizar lo aprendido al probar diodos.

UNMSM

Pgina 1

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
Ver la figura.

Se ve que los circuitos equivalentes de los transistores bipolares NPN y PNP estn compuestos por diodos y se sigue la misma tcnica que probar diodos comunes. La prueba se realiza entre el terminal de la base (B) y el terminal E y C. Los mtodos a seguir en el transistor NPN y PNP son opuestos. Al igual que con el diodo, si uno de estos "diodos del equivalente del transistor" no funcionan como se espera hay que cambiar el transistor

Relacin de corrientes Considerando la ley de Kirchhoff: la suma de corrientes que entran en un nudo es igual a la suma de corrientes que salen por dicho nudo. Al aplicarse a un transistor PNP, la ley de Kirchhoff proporciona una importante relacin entre las tres corrientes del transistor: Ie = Ib + Ic Esta ecuacin indica que la corriente de emisor es igual a la suma de las corrientes de colector y base. Teniendo en cuenta que la corriente de base es mucho menor que la corriente de colector, es habitual hacer la siguiente aproximacin: la corriente de colector es casi igual a la corriente de emisor. Ie Ic

Y la corriente de base es mucho ms pequea que la corriente de colector Ib Alfa El alfa de continua se define como la corriente de colector dividida entre la corriente de emisor.
dc

Ic

UNMSM

Pgina 2

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
Como la corriente de emisor es casi igual a la corriente de colector, menor que 1. Por ejemplo, en un transistor de baja potencia, Incluso en un transistor de alta potencia Beta El beta de continua se define como la relacin entre corriente de colector y la corriente de base.
dc dc dc dc

es ligeramente

es mayor que 0.99.

es mayor que 0.95.

El beta de continua se conoce tambin como la ganancia de corriente porque una pequea corriente de base produce una corriente mucho mayor de colector. La ganancia de corriente es una gran ventaja del transistor y ha llevado a todo tipo de explicaciones. Para transistores de baja potencia (por debajo de 1W) la ganancia est entre 100 y 300. Los transistores de alta potencia (por encima de 1W) normalmente tienen ganancia entre 20 y 100

Regiones operativas del transistor Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente por la forma en que son polarizados:

Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia d e corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal.

Regin inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles.

UNMSM

Pgina 3

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
Debido a que la mayora de los BJT son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo activo.

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando: Corriente de colector = corriente de emisor = 0,(Ic = Ie = 0) En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando: Corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima,(Ic = Ie = Imx) En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces ms grande. (Ic = * Ib)

PNP El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.

UNMSM

Pgina 4

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.

Como las zonas dopadas son de tipo opuesto al de un NPN, es necesario invertir la forma de considerar su funcionamiento. Especficamente, tal cambio quiere decir que los huecos son los portadores mayoritarios en el emisor en vez de serlo los electrones libres. De manera breve, la explicacin de lo que sucede a nivel atmico en el transistor PNP es la siguiente: el emisor inyecta huecos en la base, la mayor parte de las cuales fluyen hacia el colector. Por esta razn la corriente de colector es casi igual a la corriente de emisor. El transistor de la figura tiene dos uniones: una entre el emisor-base y otra entre basecolector. Por tanto un transistor es similar dos diodos contrapuestos. El diodo inferior se denomina diodo emisor-base y el diodo superior se denomina diodo colector-base. UNMSM Pgina 5

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

CONFIGURACIN EMISOR COMN La configuracin de transistores que se encuentra con mayor frecuencia se muestra en la figura para los transistores pnp y npn. Se denomina configuracin de emisor comn porque el emisor es comn tanto a las terminales de entrada como a las de salida (en este caso, es tambin comn a las terminales de la base y del colector). De nuevo se necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir en forma completa el comportamiento de la configuracin de emisor comn: una para la entrada o circuito de la base y una para la salida o circuito del colector.

Ecuaciones bsicas: Ie = Ic + Ib Vcc = Vce + IcRL Vs = Vbe + IbRs Pc = Vce Ic CONFIGURACION BASE COMUN La terminologa relativa a base comn se desprende del hecho de que la base es comn a los lados de entrada y salida de la configuracin. Adems, la base es usualmente la terminal ms cercana o en un potencial de tierra. Las direcciones de corriente se referirn a la convencional (flujo de huecos) en vez de la correspondiente al flujo de electrones.

UNMSM

Pgina 6

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
Esta eleccin se fundamenta principalmente en el hecho de que enorme cantidad de literatura disponible en las instituciones educativas y empresariales hace uso del flujo convencional, de que las flechas en todos los smbolos electrnicos tienen una direccin definida por esta convencin. Recurdese que la flecha en el smbolo del diodo define la direccin de conduccin para la corriente convencional. Para el transistor:

CONFIGURACIN COLECTOR COMN La configuracin de colector comn se emplea fundamentalmente para propsitos de acoplamiento de impedancia ya que tiene una elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, que es lo opuesto a las configuraciones de base comn y de emisor comn.

UNMSM

Pgina 7

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
IV. MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO.
Un Multmetro digital (Marca FLUKE, Modelo 175, N de serie 79730217. Un Miliampermetro analgico de C.C (marca Yokohama, modelo 205103, N serie 85BA0031)sensibilidad Un Microamperimetro analgico de C.C (marca Yokohama, modelo 205101,N serie 85ba0022) sensibilidad 0.033 A Un Voltmetro analgico de C.C (marca Yokohama, modelo 201139,N serie 84AA2175) sensibilidad 1mA o (1000 /W) Un transistor. Un osciloscopio Tres cordones AC. Resistores Re =328, Rc=1.33k,R1=56.1k, R2=27.4K Condensadores Cb=0.1F, Cc=0.1F, Ce=3.3F Cables conectores Un potencimetro de 1M Dos placas de zcalo de 2 terminales.

Una fuente de C. C. Variable

Un Multmetro

UNMSM

Pgina 8

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
Un Miliampermetro Un Microampermetro.

Resistores de

Transistor PNP.

Potencimetro de 1M .

Cables conectores.

UNMSM

Pgina 9

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
V. PROCEDIMIENTO.
1. Verificar el estado operativo del transistor, usando el ohmmetro. Llenar la tabla1. TABLA N1 RESISTENCIA Base-Emisor Base-Colector Colector-Emisor Directa ( ) 152 149 545 Inversa ( ) 10K 6.1K 1.38K

2. Armar el siguiente circuito: a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib). Obtener el (P1=0 ). b) Medir los voltajes entre colector-emisor (Vce), entre base-emisor (Vbe) y entre emisor-tierra (Ve). c) Colocar los datos obtenidos en la tabla 2. d) Cambiar R1 a 68K , repetir los pasos (a) y (b). Anotar los datos obtenidos en la tabla 3 (Por ajuste de P1). e) Enumerar la resistencia de P1 a 100K , 250K , 500K y 1M . Observar lo que sucede con las corrientes Ic e Ib y con el voltaje Vce. Llenar la tabla 5. TABLA N2 R1=57K TEORICO MEDIDO Ic(mA)
7.02

Ib(uA)
77.99 90 85.7142

Vce(V)
0.36

Vbe(V)
0.2

Ve(V)
2.30

70

1.928V

0.145V

2.013V

TABLA N3 R1=68K TEORICO MEDIDO Ic(mA)

6.034

Ib(uA)
67.05 90 86.67

Vce(V)
1.99

Vbe(V)
0.2

Ve(V)
1.9792

5.2mA

60uA

3.22V

0.142V

1.733V

UNMSM

Pgina 10

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

TABLA N4

Tabla 5 (Q3) 3 (Q2)

Vi (mv.pp) 16 16

Vo(v.pp) 7.2 6.4

Av

Vo(sin Ce) 2 vpp 2.6 vpp

Av (sin Ce)

TABLA N5 P1 Ic(mA) Ib(uA) Vce(V) 100K 2.6 28 7.8 250K 1.4 13.5 9.68 500K 0.8 6.5 10.66 1M 0.6 2.5 11.24

VI.

DATOS OBTENIDOS.
TABLA N1 RESISTENCIA Base-Emisor Base-Colector Colector-Emisor Directa ( )
152 149 545

Inversa ( )
10K 6.1K 1.38K

TABLA N2 R1=57K TEORICO MEDIDO Ic(mA)

7.02 6

Ib(uA)
77.99 70 90 85.7142

Vce(V)
0.36 1.928

Vbe(V)
0.2 0.145

Ve(V)
2.30 2.013

TABLA N3 R1=68K TEORICO MEDIDO Ic(mA)

6.034 5.2

Ib(uA)
67.05 60 90 86.67

Vce(V)
1.99 3.22

Vbe(V)
0.2 0.142

Ve(V)
1.9792 1.77

UNMSM

Pgina 11

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
TABLA N4

Tabla 5 (Q3) 3 (Q2)

Vi (mv.pp) 16 16

Vo(v.pp) 7.2 6.4

Av

Vo(sin Ce) 2 vpp 2.6 vpp

Av (sin Ce)

TABLA N5 P1 Ic(mA) Ib(uA) Vce(V) 100K 2.6 28 7.8 250K 1.4 13.5 9.68 500K 0.8 6.5 10.66 1M 0.6 2.5 11.24

VII.

CUESTIONARIO FINAL.

1. Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificacin operativa del ohmmetro. El transistor se comport como 2 diodos unidos por el ctodo como se muestra a continuacin.

Resistencia Base Emisor Base Colector Colector Emisor

Directa Baja Baja Alta

Inversa Alta Alta Alta

UNMSM

Pgina 12

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
2. Representar la recta de carga en un grafico Ic vs. Vce del circuito del experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las tablas 2,3 y 5.

4. Qu sucedera con el punto de operacin si cambiamos R1 a 120K?

De la malla 1: 328 -(90+1) x 328 = -39.369 A =- 3.543mA = -3.590mA De la malla 2: 328 1.332K 12 = 0 22.30K 1.84V = 0 - 0.2V 22.30K - 1.84V = 0 ( )

; sabemos que: ; luego: +

= -6.103V = 328 = -1.177V Pgina 13

UNMSM

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
VALORES =120K) (R1 (mA) (A) (V) (V) (V)

-3.543mA TERICOS

-39.369A

90

-6.103 V

-0.2v

-1.177v

Graficamente: = = -12V Corriente vs voltaje cundo se cambia la R1=120k

1 0 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 -1 -2 corriente(mA) -3 Valores Y -4 -5 -6 -7 voltaje(v) -8 Linear (Valores Y) 0

= -7.229mA

UNMSM

Pgina 14

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
6. Exponer sus conclusiones acerca del experimento. Los valores prcticos tienen una ligera diferencia con los tericos Al realizar los clculos se usaron valores tericos de tablas y manuales. Esto influy en la diferencia entre los valores tericos y prcticos. Los valores de las resistencias son importantes en la ubicacin del punto de trabajo y la recta de carga La corriente Ic (mA) es pequea y la corriente Ib (uA) es aun ms pequea.

VIII.

CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES.

Los valores prcticos tienen una ligera diferencia con los tericos Al realizar los clculos se usaron valores tericos de tablas y manuales. Esto influy en la diferencia entre los valores tericos y prcticos. Los valores de las resistencias son importantes en la ubicacin del punto de trabajo y la recta de carga La corriente Ic (mA) es pequea y la corriente Ib (uA) es aun ms pequea.

IX.

BIBLIOGRAFIA:
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_ bipolar. http://www.unicrom.com/tut_como_probar_diodo_transistor. http://hosting.udlap.mx/profesores. Principios de Electrnica. Albert Malvino.

UNMSM

Pgina 15