Unidad 3 - El Transistor Efecto de Campo MOSFET

EL TRANSISTOR MOSFET
EL 246 Dispositivos y Circuitos Analógicos Msc. Ing. Franco Renato Campana Valderrama
2
3.- EL TRANSISTOR MOSFET:
- Dispositivo de 4 terminales.
MOSFET N MOSFET P
Drenador
Surtidor
Puerta
Puerta
Sustrato
Sustrato
Con B=S Drenador
Surtidor
ID ID
Corriente
de puerta
IG=0 A
1
3
Curvas caracteristicas de los MOSFET (Tipo N):
MOS
VDS VGS>VTH VDS
VGS VGS
MOS
On
VGS>VTH
MOS
Off
VGS<VTH
VGS VDS
Tensión umbral VTH: Parámetro dependiente del proceso de fab.
4
Para un VGS mayor que VTH (dato) y aumentando VDS
VDS
VGS
Tres modos de operación: Corte, triodo y saturación.

2
5
VGS y VDS variando
La forma de polarizar el
MOS N ó P se hace en
forma similar al BJT:
• Discreta
• Integrada
Región del Corte y triodo: aplicaciones digitales.

Región de lasaturación: Amplificación de p. señales.
3.1.- Ecuaciones características del MOSFET N en la región

del triodo y la saturación:
Triodo W  1 2 
VDS < VGS −VTH
I D = kn  (VGS − VTH )VDS − VDS 
L 2 
ID = 1 k n W (VGS − VTH )2
Saturación
VDS ≥ VGS −VTH 2 L
L: Longitud del canal.
W: Ancho del canal.
kn: Transconductancia de proceso.
k n = µ nCOX µn: Movilidad de los electrones en el
Dato canal.
Cox: Capacidad del óxido bajo la puerta.
3
3.2.- Ecuaciones características del MOSFET P en la región
del triodo y la saturación:
Triodo
W  1 2
VSD < VSG − VTH ID = kp
L (VSG − VTH )VSD − 2 VSD 
Saturación 1 W
I D = k p (VSG − VTH )2
VSD ≥ VSG − VTH 2 L
L: Longitud del canal.
W: Ancho del canal.
k p = µ p COX kp: Transconductancia de proceso.
µp: Movilidad de los huecos en el
Dato canal.
Cox: Capacidad del óxido bajo la puerta.
Tipos de análisis: • Análisis en DC: Polarizar.

• Análisis en AC: Amplificación.
• C1,2: Acoplo.
• C3: Desacoplo.
Análisis en DC:
Se calcula:
• VGS (ver si está en ON)
 Capacitor: Ckto. abto. • VDS (ver si está sat.).
 Vin: corto ckto. • ID.
Pto. de operación
o Pto “Q”.
4
9
Análisis en AC (pequeña señal):
 Capacitor: Corto ckto.

 VDC: corto ckto.
 IDC: ckto abierto.
Está en función de
Se calculan: • Ganancia de tensión AV. los parámetros en
pequeña señal (PPS)
Modelo en
pequeña Transconductancia
señal del MOS
( híbrido) en = 2 ⁄
saturación
10
Modelo en pequeña señal del MOSFET ( híbrido) más completo

en la región de saturación:
r0=|VA|/ID=1/(|λ|ID)
VA= Voltaje de Early

λ= Factor de la modulación del canal.
1
MOSFET N (P) sin Voltaje de Early
2
1
1 MOSFET N (P) con Voltaje de Early
2 !
5
11
Dependiendo en que terminal

se coloque la señal de entrada
Y donde se tome
la señal de salida
Se tendrán tres configuraciones:
Surtidor Drenador Puerta

común: común: común:
12
3.3.- Reflexión de impedancias (AC):
Del Surtidor hacia la Puerta:
De la Puerta hacia el Surtidor:
6
13
3.4.- Pasos para la obtención de la Máxima Amplitud
sin Distorsión (Máxima Excursión Simétrica, MASD):
1.- En el análisis DC: ID, VD, VG, VGS
2.- En el análisis AC:
• Hallar la AV = VO/Vsignal → VO = |AV|Vsignal.
• Dibujar la parte G-S del modelo π-h.
Ckto 1
G-S
14
Ckto 2
Ckto 3
7
15
Ckto 1 "#$%& '( "&$
Ckto 2 "#$%& '( 1+ ) "&$
) )
Ckto 3 "#$%& '( 1+ ) "&$
)
3.- Por condición de pequeña señal "#&$ ≤ 0.2 −
Si tomamos el valor máximo permitido "#&$ '- 0.2 −
Con "#&$ '- se obtiene "#$%& '( '-
16
Ckto 1 "#$%& '( '- 0.2 −
Ckto 2 "#$%& '( '- 0.2 − 1+ )
) +)
Ckto 3 "#$%& '( '- 0.2 − 1+ )
)
4.- Del paso 2: VO=|AV|Vsignal y del resultado obtenido en el paso 3, con

"#$%& '( '- se obtiene "#. '-
"#. '- / "#$%& '( '-
8
17
5.- Se dibuja la onda resultante Distorsión
por corte
Distorsión por
triodo Vamos a los
6.- Si se presentan distorsiones: ejemplos !
Por triodo "#.0 '- Este método para hallar el MASD

NO toma en cuenta las variaciones
Por corte "#.0 '- de tension de pequeña señal en VG
0
Y se regresa al paso 4 para hallar el nuevo "#$%& '( '- a partir de:
0
"#.0 '- / "#$%& '( '-
0
"#$%& '( '- "#.0 '- / /
18
3.5.- Referencias:
1.-Behzad Razavi. Fundamentals of Microelectronics. 2nd

Ed. John Wiley and Sons. 2013.
2.- Jaeger, R., Blalock, T. Microelectronics Circuits Design.
5th ed. Mc Grawn-Hill.
3.- Sedra, A., Smith, K. Microelectronics Circuits. 6th ed.
Oxford University Press. 2010.

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EL TRANSISTOR MOSFET

Tres modos de operación: Corte, triodo y saturación.

VGS y VDS variando

Región del Corte y triodo: aplicaciones digitales.

3.1.- Ecuaciones características del MOSFET N en la región

Tipos de análisis: • Análisis en DC: Polarizar.

Análisis en AC (pequeña señal):

 Capacitor: Corto ckto.

Modelo en pequeña señal del MOSFET ( híbrido) más completo

VA= Voltaje de Early

Dependiendo en que terminal

Se tendrán tres configuraciones:

Surtidor Drenador Puerta

De la Puerta hacia el Surtidor:

Ckto 1 "#$%& '( "&$

Ckto 2 "#$%& '( 1+ ) "&$

3.- Por condición de pequeña señal "#&$ ≤ 0.2 −

Si tomamos el valor máximo permitido "#&$ '- 0.2 −

Con "#&$ '- se obtiene "#$%& '( '-

Ckto 1 "#$%& '( '- 0.2 −

Ckto 2 "#$%& '( '- 0.2 − 1+ )

4.- Del paso 2: VO=|AV|Vsignal y del resultado obtenido en el paso 3, con

"#. '- / "#$%& '( '-

Por triodo "#.0 '- Este método para hallar el MASD

1.-Behzad Razavi. Fundamentals of Microelectronics. 2nd

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