Transistores MOSFET

DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS
ELECTRÓNICOS

Laboratorio N°12

TRANSISTORES MOSFET
Curso: Dispositivos y Circuitos Electrónicos Sección:
Mesa
Lab. Nro.: 12
Nro.:
Transistores MOSFET
Tema: Fecha:

Observaciones:

Participantes

Nro. Apellidos Nombres

1 Montoya Mendoza Ender Thiago

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 Transistores MOSFET

“TRANSISTORES MOSFET”

Logros:

- Identificar los terminales de un MOSFET de Enriquecimiento y

Empobrecimiento.
- Probar el estado de un MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
- Implementar un circuito básico de polarización con MOSFET.
- Medir los valores DC en un circuito básico con MOSFET

Introducción:

Los Mosfet están compuestos de un diodo Mos y dos uniones P-N colocadas a los
lados del diodo MOS, es un dispositivo muy importante para circuitos integrados
avanzados tales como microprocesadores y memorias semiconductoras, la causa
de este desarrollo radica en su bajo consumo de potencia y un alto rendimiento de
trabajo , otro hecho importante es que el MOSFET se puede reducir fácilmente de
tamaño sin perder sus características y ocupa menos espacios que un transistor
bipolar para las mismas consideraciones.

En un MOSFET la compuerta está aislada del canal, también se le conoce como

IGFET y pueden ser de canal N o canal P. El MOSFET posee un electrodo de
compuerta de metal que está separado del material semiconductor por una capa de
material aislante formada por dióxido de silicio (SiO2) llamado también “sílice” o
“silica”
Cuando la polaridad de la polarización de Compuerta - Fuente requerida es tal que
produce un aumento en la corriente del canal se dice que el MOSFET funciona en
el modo de ENRIQUECIMIENTO y cuando produce una disminución en la corriente
se dice que funciona en el modo de EMPOBRECIMIENTO.

Algunos MOSFET pueden operar en ambos modos es decir de Empobrecimiento y

Enriquecimiento.

La impedancia de entrada es más alta y la capacitancia de entrada más baja en un

MOSFET que en un JFET.

Los MOSFET pueden requerir cierta forma de protección de compuerta para impedir
el daño debido a la carga estática.

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 Transistores MOSFET
En el JFET de canal N, la polarización inversa del diodo de compuerta impide la
corriente de compuerta. En el MOSFET, el óxido aislante impide la corriente de
compuerta (aunque no es raro tener una corriente del orden de los nA o pA). El
aislante es mucho más perfecto que el diodo y la impedancia de entrada del
MOSFET puede llegar hasta un millón de megaohmios. La estructura de compuerta
de MOSFET también tiene una ventaja de una capacitancia más baja de entrada.
La menor capacitancia mejora su funcionamiento a altas frecuencias.
VERIFICAR EL ESTADO DEL TRANSISTOR MOSFET USANDO EL
MULTÍMETRO DIGITAL.
El MOSFET tiene una capa delgada de
material aislante de dióxido de silicio
(SiO2) colocada al lado del semiconductor
y una capa de metal es colocada al lado
del gate, tal como vemos en la Fig 101.

En estas condiciones, se observa que

todos los terminales se encuentran
aislados, unos de otros, por lo tanto, al
usar el multímetro digital, sus lecturas
serán de alta resistencia, es decir
indicarán “OL”.
El multímetro digital debe estar en la condición “probar diodos”. Efectuamos
las siguientes mediciones.

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 Transistores MOSFET
Como se aprecia, y era de esperarse, las lecturas indican “OL”, es decir cuando se
desea probar un MOSFET, lo único aceptable es el reemplazo directo.

Observe que la lectura entre drenador y surtidor es, realmente, la indicación de la

verificación del diodo interno entre ambos terminales.

Una buena práctica es recordar que los MOSFET se pueden dañar con facilidad y
hay que manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de óxido es muy delgada,
se puede destruir con facilidad si hay alta tensión o hay electricidad estática
producida durante el manipuleo del transistor.
CURVA CARACTERÍSTICA DE TRANSFERENCIA DEL TRANSISTOR MOSFET

Teniendo como referencia y punto de partida la curva característica del MOSFET (ID
vs VDS) ( lado derecho), dibujamos al lado izquierdo un eje de coordenadas
cartesianos (ID vs VGS) .

Trazamos rectas paralelas en las diversas curvas de VGS y las prolongamos hasta
lograr la intersección con al abcisa de la coordenada (ID vs VGS).
Obtendremos una serie de puntos que al unirlos nos generará la curva característica
de transferencia que obedece a la ecuación de Shockley.

En la curva de transferencia se aprecia que, conforme se incrementa el voltaje

compuerta-surtidor (Vgs), también se va incrementando la corriente de drenador
(Id), en mA; por lo que se deduce que el MOSFET es un dispositivo controlado por
tensión.

Esta curva de transferencia nos permite obtener la tensión VGS (th) que es la
tensión aplicado entre gate y surtidor que determina el pase de bloqueo a
conducción del MOSFET.
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 Transistores MOSFET

En ella se puede visualizar la tensión de umbral VGS(th) que determina el paso de

bloqueo a conducción, en este caso observamos que es igual a 2 Voltios; significa
que, para que el MOSFET inicie la conducción, la tensión entre compuerta y surtidor
debe ser mayor que 2 Voltios. Con valores de VGS menores de 2 Voltios, el
transistor permanecerá en la condición de bloqueo o de corte.

El MOSFET se emplea en circuitos amplificadores, pero su aplicación más efectiva,

para los MOSFET de potencia, es en circuitos de conmutación, como el empleado
para el arranque y parada de un motor, el control de velocidad PWM de un motor
DC etc, debido a que su velocidad de conmutación es muy alta, siendo los tiempos
de conmutación del orden de los nanosegundos.
PASO DE CORTE A CONDUCCIÓN
A diferencia de los transistores BJT,
quienes, para iniciar la conducción, sólo
se requiere que el VBE sea mayor que
0,7 Voltios.
En los MOSFET es necesario acudir a la
curva de transferencia y verificar dicho
valor.
Por ejemplo, en la figura adjunta se
aprecia que, el MOSFET inicie la
conducción, se requiere que la tensión
VGS sea mayor que 6 Voltios.

ESPECIFICACIÓN TÉCNICA DEL TRANSISTOR MOSFET

Lo usual es indicar el código del dispositivo.; sin embargo, los parámetros

importantes son: Tipo de Canal (N o P), Corriente máxima que soporta el drenador,
la tensión drenador – surtidor y la resistencia RDS(on).

Por ejemplo:
Un transistor IRF840
Un transistor MOSFET de canal N, Corriente de drenador : 8 A, VDS : 500 V,
RDS(on) : 0,75 Ω

Preparación

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Para el desarrollo de esta experiencia de laboratorio, el alumno deberá revisar los
apuntes de clase el texto base, el manual de componentes electrónicos, asimismo
realizar sus diseños previos utilizando el software de diseño electrónico del curso.

Equipos y Materiales

01 Osciloscopio
01 Generador de Funciones.
01 Multímetro digital. 01
Fuente doble de DC 01
Protoboard.
01 Resistencia de 330 , ½
W 01 Resistencia de 1M ,
½ W. 01 Resistencia de
1k , ½ W.

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 Transistores MOSFET 01 MOSFET de Enriquecimiento de 01 Diodo 1N4002
canal N - IRF840 o IRF730 02 Led
01 CMOS 4011B
01 Motor DC 12V

I: RECONOCIMIENTO FÍSICO DE UN MOSFET

Símbolo:

1.1 Identifique el tipo de Mosfet y sus terminales en la figura 1-1

Drain Drain

Gate
Gate

Source
Source

Tipo:…… Tipo:…

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1.2 En la figura se muestra el encapsulado de un de Mosfet, las características principales.

a) Código: IRF730
b) Encapsulado: TO-220AB
c) Señalar sus terminales:
GDS

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Características técnicas: complete la tabla 1-2

Descripción
Y BVDSS BVGS ID VGS PD
aplicación
Dispositivo 400 V N.A 5.5 A ± 20 V 74 W
de potencia

Utilizando el multímetro digital, complete la tabla 1-3

1.3 Prueba de un Mosfet

Cable Rojo del Cable Negro del Valor

multimetro multimetro Medido
D S OL
S D 0.515 V
D G OL
G D OL
S G OL
G S OL

1.4 ¿Qué puede comentar de los resultados obtenidos en la medición?

- Como se observa en la figura superior entre el Source y Drain hay un diodo que nos
da un valor aproximado a 0.7 V en nuestra experiencia nos dio 0.515 V la cual se sabe
que el diodo dentro y que el MOSFET funciona perfectamente.
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II. Circuito con MOSFET

2.1 Implemente el circuito mostrado en la figura 2.1

Figura 2.1

2.2 Aplique a VDD un valor de 12 V y varíe la tensión de la fuente VGS desde 0

hasta 12 V. y anote el valor de la corriente ID para cada caso, complete la
tabla.

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VGS 0 2 4 6 8 10 12

ID 0 0 1.986 3.983 5.977 7.978 9.972

PRUEBAS:

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¿Comentar los resultados obtenidos?

-La curva que vemos es exponencial; ya que al inicio tiene una forma plana, pero lleva
a un valor de voltaje, llamado “valor umbral”, en el cual la curva empieza a tener un
comportamiento exponencial. Nuestro valor umbral es aproximadamente 2 V, a partir
de este valor la corriente empieza a aumentar.

2.3 Implemente el circuito mostrado en la figura 2.3, remplazando el motor por

un led y una resistencia de 330Ohms

Figura 2.3

2.4 Visualice en el osciloscopio las señales Vgs y Vds para distintos valores de
frecuencia (10Hz,100Hz,1Khz,10Khz,100kHz) y ciclo de trabajo de
(0%,25%,50%,75% y 100%),
2.5 Mida, para cada caso, la corriente que circula en la resistencia de 330Ohms.
2.6 Hacer tablas para poner los resultados.
Ejemplo:

10Hz
Ciclo de 0% 25% 50% 75% 100%
trabajo

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Corriente : 0 7.58 15.15 22.73 30.30

Ciclos de trabajo 0 al 100%:

100% 75%

50% 25%

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0%

¿Qué comentarios puede hacer de lo observado?

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-Cuando la frecuencia empieza a aumentar la velocidad del motor disminuye y

cuando el ciclo de trabajo aumenta, este hace que la velocidad del motor aumente
también.

2.7 ¿Por qué se conecta una compuerta NAND a la entrada del Mosfet?, se
podría realizar usando compuertas inversoras 4049? se podría realizar esta
conexión con compuertas 7404?

-Porque la compuerta 4049(NAND) aguanta hasta una tensión de 12 V y la

compuerta 7404(NOT) aguanta hasta 5 V.

2.8 Observaciones y Conclusiones

Observaciones:

-El MOSFET tiene dos modos de trabajo: Empobrecimiento y enriquecimiento.

-La capacitancia es muy baja en comparación del JFET.

-Son muy sensibles a la estática, por ello esto podría llegar a malograrse por esta razón.

-Presenta impedancias muy altas.

-El símbolo del enriquecimiento es una barra discontinua y empobrecimiento una barra
continua.

Conclusiones:

-El valor umbral es un valor de voltaje positivo al cual la corriente del drenador aumenta
exponencialmente.

-Los MOSFET presentan los mismos pines que el JFET.

-Entre la fuente y el drenador se encuentra un diodo.

-La curva de la corriente del drenador tiene una parte plana al principio y después del valor
umbral presenta un comportamiento exponencial.

-El empobrecimiento es cuando le llega voltaje negativo y el enriquecimiento es cuando le

llega un voltaje positivo para polarizar el MOSFET.

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Informe
Modelo de Informe

Carátula

Deberá contener lo siguiente:

1. Logo de la institución.
2. Nombre del curso
3. Nombre del laboratorio
4. Nombre de los integrantes.
5. Sección a la pertenecen.
6. Fecha de realización.
7. Fecha de presentación.
8. Nombre del profesor.

Fundamento teórico

Deberá ser conciso y redactado con lenguaje propio. Estará basado en las
lecturas recomendadas o cualquier otra información relacionada con el tema. No
debe de exceder de una página.

PRIMERA PARTE: Resultado del Laboratorio

El informe deberá constar de los siguientes puntos:

I. Resultados del procedimiento desarrollado en el laboratorio indicando

con claridad las mediciones tomadas y los gráficos de las señales de
acuerdo a las escalas tomadas. (No copiar toda la guía del laboratorio).
II. Explique sustentando con fundamentos teóricos los resultados obtenidos
en el laboratorio.

SEGUNDA PARTE: Observaciones y conclusiones

Observaciones: se deben resaltar los logros alcanzados y también las

dificultades o errores de carácter técnico que pudieran haber encontrado en el
desarrollo de las tareas, respaldados por los cálculos o gráficos pertinentes si
fuese el caso.
Conclusiones: esta parte contiene la síntesis de los resultados alcanzados a la
finalización del experimento.

Nota: Utilice el software que requiere su informe

Observaciones Generales

1. La presentación del informe se realiza en el CANVAS en la fecha indicada.

2. Se tomará en cuenta las reglas de ortografía en la redacción del informe.

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3. La evaluación se realizará de acuerdo a la rúbrica.

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