ELECTRÓNICA DE POTENCIA

Dispositivos de potencia
TRANSISTOR BJT
ESTRUCTURA Y CURVAS
CARACTERÍSTICAS
REGIONES DE OPERACIÓN
Circuito de conmutación de un BJT
Configuración Darlington
 dv di
LIMITACIONES POR dt
y dt
 MOSFET de potencia
Trabajan en forma similar a los dispositivos para pequeña
señal. Aplicando tensión entre la puerta G y la fuente S se
controla la formación y altura del canal conductor entre la
fuente S y el drenador D. Al aplicar una tensión VDS
adecuada se controla el flujo de carga que atraviesa el
dispositivo.
El transistor de efecto de campo metal-óxido-
semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-
semiconductor Field-effect transistor) es un
transistor utilizado en la conmutación y
amplificación de señales electrónicas. Los
Transistores MOSFET encuentran en la actualidad
una amplia aplicación en las puertas lógicas
utilizadas en electrónica digital y en memorias
semiconductoras, ya sea en circuitos analógicos o
digitales. La gran mayoría de los microprocesadores
comerciales están basados en transistores MOSFET.
 EL MOSFET COMO INVERSOR

Se denomina inversor, por que la tensión de salida,

es de nivel opuesto a la tensión de entrada. Lo único
que se requiere en los circuitos de conmutación, es
que las tensiones de entrada y de salida se puedan
reconocer fácilmente, ya sea en nivel alto o bajo.
 EL MOSFET COMO INVERSOR

Las tensiones bajas son transmitidas sin error por el

MOSFET tipo N, mientras que las altas lo son por el
tipo P. Esta configuración, se denomina puerta de
paso. Para su funcionamiento, las tensiones en las
puertas han de ser complementarias (cuando una es
alta la otra es baja, y viceversa); esto se indica
añadiendo un círculo a una de las puertas, o una
barra sobre una de las tensiones.
 MOSFET de Potencia

Los Mosfets de potencia son dispositivos

controlados por voltaje por lo que tienen una
impedancia de entrada muy alta.
Lost Mosfets
l d son de
lt dos
j tipos:
l ti
Mosfet de agotamiento.
Mosfet de enriquecimiento.
 Mosfet de agotamiento

Un mosfet tipo agotamiento de canal n se

f
forma b t t d
en un substrato de silicio
i dde titipo p,
son dos silicios n+ fuertemente dopados
para ten r conexiones de baja resistencia.
 Polarización

Si VGS se hace suficientemente negativo

IDS=0 esto cuando VGS=V Vp.
Curvas Características

Simbología
D

Canal N G
S

Canal P G
S
 Mosfet de Enriquecimiento

Un mosfet tipo enriquecimiento de canal n no

tiene
ti un canall físico.
fí i Si VGS es positivo
iti
mayor de VT se formará un canal virtual.
 Curvas características

Símbolos
D D

G G
S S

Canal n Canal P

No existe un valor IDSS para el MOSFET de enriquecimiento, ya que

la corriente de drenaje es cero hasta que el canal se ha formado.
IDSS es cero para VGS=0. Para valores de VGS > VT.

iD k(VGS T )2
V
 Características
Id
on

off

Vds

Alta velocidad de conmutación (de kHz a Mhz), los tiempos de

conmutación andan del orden de 30ns a 300ns.
No presenta fenómeno de segunda ruptura, por lo que el área
de trabajo seguro (SOA), mejora respecto al BJT.
El control on-off se realiza mediante la tensión aplicada entre
las terminales de compuerta y fuente (VGS), lo que reduce la
complejidad del circuito de disparo, así como la potencia.
Las tensiones máximas de bloqueo son relativamente bajas en
los Mosfets de alta tensión (<1000v) y las corrientes máximas
son moderadas (<500A).
 Características de Conmutación

Circuito de conmutación I D
D

ID

Cgd
Cds
RD
Cgs
+
+
_ V DD

V DS
+ +
VG VG _ S
S _

Cgd
G D

+
gm V GS
Modelo de conmutación VGS
_
Cgs Cds rds

S
 Aplicaciones Puente H

Un puente H es un tipo de circuito electrónico que permite a un

motor eléctrico de corriente directa cambiar de sentido al girar,
le permite ir en ambos sentidos, en el sentido horario y anti
horario.
VG
G3
Vg1 Vg2
G1

+ M3 M1

t
Vs VG Cambio de
G2 G4
Vg3Vg4
giro
- M4
M2
t
V
Ejemplo 1.7

Dos mosfet’s conectados en paralelo similares conducen una

corriente total de IT=20A. El voltaje de drenaje a fuente del
mosfet del mosfet M1, es VDs1=2.5v y el del mosfet M2 es de
VDs2=3v. Determinar la corriente de drenaje de cada mosfet
cuando: IT

– Rs1=0.3Ω y Rs2=0.2Ω
– Rs1= Rs2=0.5Ω
RD

ID1
ID2
+ +
VDS2 VDS1
- - G1 +
G2
M2 M1 VDD

Rs2 Rs1
 Tiristores de conmutación rápida.

Estos son usados principalmente en aplicaciones de conmutación de

alta velocidad con conmutación forzada. Tienen un tiempo corto de
desactivación (5 a 50 us), dependiendo del rango de voltaje. A este
tipo se le conoce también como de grado inversor.

Aplicaciones:

1. Se utilizan como rectificadores de

onda.
2. Convertidores de CA-CA.
3. Reguladores de Potencia mediante el
disparo en cierto Angulo de
conducción.
4. Convertidores de CD e inversores.
 Tiristor de triodo bidireccional (TRIAC)

El TRIAC es un dispositivo electrónico aproximadamente igual

a dos SCR, unidos en paralelo-inverso y sus compuertas
conectadas.
Este un dispositivo semiconductor de tres terminales que se
usa para controlar el flujo de corriente a una carga, conduce
en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversión de la
tensión o al disminuir la corriente por debajo del valor de
mantenimiento.
El TRIAC es un componente electrónico que se
utiliza para el control de la corriente,
básicamente puede hacer la función de interruptor
de un transistor, pero este componente lo hace en
corriente alterna a diferencia del transistor que lo
hace en corriente directa.
EL triac tiene una estructura con seis capas, aunque funciona siempre como un
tiristor de cuatro capas. El Triac actúa como dos rectificadores controlados de
silicio (SCR) en paralelo, la figura muestra dicha estructura y su circuito
equivalente.
Cuenta con tres terminales, dos ánodos y una puerta o gate. En los ánodos
se coloca la corriente alterna junto con el elemento que se quiere
controlar, ya sea un motor, una lampara, un horno, etc. Puede ser
cualquier cosa que funcione con corriente alterna, por ultimo una vez que
colocamos una corriente dentro de la terminal gate este se activa para
actuar como un interruptor cerrado, para desactivarlo basta con quitar la
corriente de todo el circuito. El funcionamiento del TRIAC es muy parecido
al de un transistor ya que para activar estos componentes se debe sobre
pasar la corriente umbral en la terminal gate.
 Partes de un TRIAC
Cueta con 3 terminales, las cuales son 2 ánodos y una Gate. El símbolo
del triac son dos diodos conectados como un puente rectificador uno a la
inversa del otro, solo que estos diodos son especiales ya que están
configurados por 2 materiales P y 4 materiales N.
 Aplicaciones
Si bien su funcionamiento es fácil de entender y sus aplicaciones radican para
encender o desactivar cualquier dispositivo que funcione con corriente alterna,
como por ejemplo: control de iluminación, atenuador de luces, control de
motores, etc.

Aunque también se puede utilizar para controlar la velocidad de un motor

activandolo y desactivandolo miles de veces para disminuir la su velocidad a
esto se le conoce como modulación por ancho de pulso o PWM en inglés (pulse
width modulation).

Las aplicaciones más comunes de los TRIACS son como circuitos atenuadores de
luz, controles de velocidad para motores eléctricos de corriente alterna,
controles de temperatura para dispositivos calefactores, cautines, relés de
estado sólido incluso para controlar el encendido de cargas por medio de
microcontroladores teniendo en cuenta las protecciones necesarias.
¿En que se diferencia un triac de un scr?

Principalmente en la conducción.

El SCR solo puede conducir en una sola dirección en corriente

alterna. Esto quiere decir que solo conduce en el semiciclo
positivo, para realizar esta acción el dispositivo debe activarse
desde el terminal de compuerta.

El TRIAC tiene la ventaja de conducir en ambos semiciclos

siempre y cuando esté activo o encendido por un circuito de
activación de compuerta.
 CURVA CARACTERISTICA VOLTAJE – CORRIENTE

La figura muestra la curva característica TRIAC, en ella se

observa el punto VBD (tensión de ruptura) que corresponde al
punto en cual el dispositivo pasa de una resistencia alta a una
resistencia baja y la corriente, esta crece con un pequeño
cambio en la tensión entre los ánodos.

RL IT

+
VT
+ -
Vs IG
-
CURVA CARACTERISTICA VOLTAJE – CORRIENTE
 FUCIONAMIETO
https://www.youtube.com/watch?v=tap2ITBywn4
 Tiristor de desactivación por compuerta (GTO)

Entre las mejoras más recientes que se le han hecho al tiristor

está el apagado por compuerta (GTO). Un tiristor GTO es un
SCR que puede apagarse por una pulsación suficientemente
grande en su compuerta de entrada, aun si la corriente iD
excede IH. Aunque los tiristores GTO se han venido usando
desde 1960, solamente se volvieron prácticos para las
aplicaciones de control de motores, al final de los años
setenta.
Ánodo

n+

n+

Cátodo
 PRINCIPIOS DE OPERACIÓN
Un GTO puede ser encendido con un voltaje de polarización
directo aplicado al ánodo y por un pulso de corriente positiva
en la terminal “gate”, como en el SCR, pero a diferencia de
este, también puede ser apagado por un pulso de corriente
negativa en la misma terminal. Ambos estados, son
controlados por la corriente de dicha terminal.
Gráficas de encendido
 Tiristor de apagado por MOS (MTO)

Fue desarrollado por Silicon Power

Company (SPCO). Es una combinación de
un GTO y un MOSFET, que juntos superan
C (SPCO)
las limitaciones de E
cap cida debi apagado
ió d
del GTO. El inconveniente principal de los
GTO es que requieren un circuito de
encendido con grandes pulsos de corriente,
para la compuerta de baja impedancia.
El MTO es una combinación de un GTO y un MOSFET, que
juntos mejoran las capacidades de apagado del GTO.
Características
Capacidad de corriente / Voltaje 4500v/500A
Frecuencia Maxima(Hz) 5kHz
Tiempo de conmutación 80-110µs
Resistencia de estado cerrado10.2mΩ
Aplicaciones: aplicaciones de gran potencia desde 1 hasta 20MVA
También tienen una mayor dv/dt y en forma parecida al GTO, tienen una
larga cola de corriente de apagado.
Aplicaciones
-Control de Motores.
-Trenes Eléctricos.
-Fuentes de suministro eléctrico.
Desventajas
-Tiene un corto rango de tiempo de conmutación
Ventajas
-Manejo de grandes potencias
Transistor Bipolar de Compuerta Aislada (IGBT).

Los IGBT´s (Isolated Gate Bipolar Transistor)

combinan las ventajas de los BJT s y de los
Mosfet´s. Un IGBT tiene una alta impedancia de
entrada, igual que un Mosfet y bajas pérdidas de
conducción en estado on, como los BJT.
 Circuito Equivalente
C

Rmod

PNP

E
NPN

RB
E

E
 Curvas características

El IGBT es más rápido que el BJT pero su velocidad de

conmutación es menor que la de los mosfet´s
 Caraterísticas de conmutación del
IGBT
La figura muestra las curvas de encendido
del IGBT para el circu o anterior, en donde tr
representa el tiempo de crecimiento y tf el
tiempo de decaimiento.
+ VCC

d l IGBT l i it t i L
d d t

R
G
G

E
+
Vy _ Vy
 Vg

on off

µs t

IC
on

Ic

VCE
t2 t1

IC
tdon t1 t3 t2 t3 t4
off µs t

VCC
VCE

VCEon
t

µs

VCE
tdoff
tr
VENTAJAS
° Bajo voltaje en estado encendido.
° Son mas estables.
° Otra ventaja deriva de su velocidad de transformación: son tan
rápidos, que la frecuencia de los impulsos que generan supera
con facilidad el margen de la audición humana. Por eso se
utilizan para conseguir compresores silenciosos de
acondicionadores o refrigeradores
DESVENTAJAS
° Menor capacidad de voltaje en estado apagado.
° Limitan la utilización en algunas aplicaciones.
 APLICACIONES

° Fuentes de Energía Eléctrica.

° Protección de los circuitos.
° Los IGBT son utilizados para activar y desactivar los píxeles (elementos
de imagen) en las pantallas de las computadoras.
° El control de los motores eléctricos es muy importante ya que las
fábricas dependen de máquinas, equipos o robots accionados por
motores. También los trenes y tranvías eléctricos necesitan estos
controles (los trenes de alta velocidad llevan hoy control por IGBT)
° Para variar la velocidad y la potencia de la mayoría de los motores de
corriente alterna (220v) modernos, se altera la frecuencia y la amplitud
de la onda senoidal aplicadas al motor. Esta onda puede crearse
mediante grupos de IGBT que emiten impulsos de duración y amplitud
controladas con precisión.
° También contienen IGBT las reactancias de las lámparas fluorescentes
ydedelaarco
ondacon
senoidal aplicadas
el fin de alpotencia
regular la motor Esta
queonda puede
generan crearse
estos tubos
cuando descargan a través de la resistencia eléctrica del gas y emiten
radiación electromagnética.
Rectificador Controlado de Silicio
Activado por Luz (LASCR)

Su nombre técnico LASCR, que significa "SCR Activado por

Luz". En este dispositivo la terminal gate se deja simplemente
como electrodo para control de sensibilidad.
Este dispositivo se activa mediante radiación directa sobre el
disco de silicio provocado con luz.
Estructura
Circuito de polarización
Circuitos de disparo de los tiristores

Aislamiento por fotoscr

Aislamiento por transformador de
pulso
Tiempos de retardo td y los tiempos de
almacenamiento ts

Vcc: Vs

IL

Ic:Ics

t
tr tf
la corriente de colector aumenta y la
tasa di es
dt

di IL ICS
dt tr tr
Durante el apagado, el voltaje de colector a emisor debe
aumentar en relación con la caída de la corriente de colector y
dv
la tasa dt es.-
dv Vs VCS
dt tf tf
Protección para mantener la tasa di
dt
y dv
dt
de
operación dentro de los límites admisible

IL

IL
Ls
R
+
L
Dm

Vs
RB
- Cs

+ Q1
VB
Rs Ds
-
Si el interruptor esta abierto, en condiciones especiales la
corriente de la carga IL circula a través del diodo volante Dm,
cuyo tiempo de recuperación inversa es despreciable.
Cuando se enciende Q1 la corriente de colector sube y la
corriente de diodo Dm cae, en esta condición el circuito
equivalente es mostrado
Ls Ls

+ Off

Vs
On

- Q1
En este circuito el dtdi de encendido es
di Vs
dt Ls
Sustituyendo la expresión de dtdi , tenemos

ICS Vs
tr Ls
Por lo tanto
Vs tr Vs tr
Ls
ICS IL
Durante el apagado el capacitor Cs se carga
por la corriente de carga, en este caso el
Voltaje
V lt j que aparece a ttravés
é del
d l ttransistor
i t y
dv
el dt es.-
dv IL
dt Cs
Usando el valor de dvdt previamente
determinado
d t i d V I
CS L

tf Cs
Despejando para Cs + Ls I
L

I Lt f Vs I
L

Cs
Vs - On
Una vez cargado el capacitor hasta Vs, el diodo volante se
activa, debido a la energía almacenada en Ls, quedando un
circuito RLC, el cual se hace críticamente amortiguado para
evitar oscilaciones
R 1
n
2L LC

Como en este caso n

R 1 2L 2 L2 L
R 2
2L LC LC LC C

Ls
Rs 2
Cs
 IL

Ls

I
+ L
Dm

Vs

Cs
-

Rs

El capacitor debe descargarse a través del transistor, lo que

aumenta la especificación de la corriente pico del transistor. Se
debe evitar la descarga por el transistor si se instala el resistor
Rs a través de Cs, en lugar de ponerlo a través de Ds.
En este caso, generalmente es adecuado un
ti
tiempo d
de d i l t a:
descarga equivalente
1
3Rs Cs Ts ics
fs

1
Rs s
3Cs fs

t
T
Ejemplo 1.6 Un transistor opera como un interruptor en
conmutación a una frecuencia de fs =10KHz, con un arreglo tal
y como se muestra en la figura 1.29, el voltaje de cd del
pulsador es de Vs=220v, la corriente en la carga de 100A, el
voltaje VCEsat se desprecia, los tiempos de conmutación son
td =0s, tr =3µs y tf=1.2µs. determinar los valores de:
Ls
Cs
Rs para la condición de amortiguamiento crítico.
crítico
Rs para que el tiempo de descarga se limite a la tercera parte
del periodo de conmutación.
 IL

IL
Ls
R
+
L
Dm

Vs
RB
- Cs

+ Q1
VB
Rs Ds
-
Circuito de aplicación de Transistores
y diodos (Inversor Monofásico de
medio Puente)

Cuando Q1=on durante

To/2 el voltaje en la carga
es Vs/2
Si Q2=on durante To/2
el voltaje en la carga
es -Vs/2
Análisis de Fourier
El voltaje rms se puede encontrar a partir de
T0
T
1T 2 2 2
V22 Vs
Vo v (t)dt dt
T 0 T0 0 4 2
El voltaje Instantáneo de Salida se puede expresar
en una serie de Fourier como
2Vs senn t
v0 (t)
n 1,3,5... n
n

Para n=1
2Vs
V1 0.45Vs
2
Tarea # 3 (parte 2)

Hacer el análisis de Fourier de la forma de Onda

inversor
mostrada en el inversor.

Determinar las primeras 11 armónicas si Vs=48 volts

Transistor de Inducción Estática (SIT)

El SIT es un dispositivo de alta potencia y

alta
lt ffrecuencia,
i un SIT es idé
idéntico
ti a un JFET
excepto por la construcción vertical y de
compuerta enterrada, tienen bajo ruido, baja
distorsión y capacidad de lata potencia en
audiofrecuencia.
Principios de funcionamiento
El SIT es un dispositivo normalmente activado y desactivado por un
voltaje negativo en la compuerta, puede llegara a manejar voltajes del
orden de 1200v y corrientes de
de hasta
hasta 300A. Entre sus
300A Entre sus principales
principales
características están:
Es idéntico a un JFET
Baja resistencia en serie de compuerta
Baja capacitancia compuerta fuente
Resistencia térmica pequeña
Bajo ruido
Baja distorsión
Alta capacidad de potencia en audio frecuencia
Tiempos de activación y desactivación muy pequeños (típicamente de
0.25 microsegundos)
Ventajas
La especificación de corriente puede llegar hasta los
300A. a los 1200 V. (tiempos de conmutación 0.25
µs )
La velocidad de conmutación es de hasta 100 KHz.
Es muy adecuado para aplicaciones de alta potencia
y alta frecuencia.
Desventajas
La caída de voltaje en estado activo es alta,
(típicamente de 90v para un dispositivo de 180 A y
de 18V para uno de 18 A). Por esa caída se limita su
aplicación en conversiones de potencia en general.