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ELECTRÓNICA ANALOGICA

CODIGO: AE3010

LABORATORIO N° 04
“TRANSISTOR FET”

1.- REYES GUEVARA JOSE LUIS

2.- SALAS MEDINA ALEXANDER


Alumnos:
3.- PACHO ALVAREZ JONATHAN

4.- VELASQUEZ MOROCCO JOSE


Grupo : A PROF : ULISES Nota:
Semestre : III GORDILLO
Fecha de entrega : 07 10 18 Hora: 11:17
I. SEGURIDAD

Tener cuidado con el tipo y niveles de


voltaje que suministran a las tarjetas

Antes de utilizar el multímetro, asegurarse


que esta en el rango y magnitud eléctrica
adecuada.

Tener cuidado en la conexión y en la


desconexión de los equipos utilizados

II. OBJETIVOS
 Realizar la implementación de circuitos de polarización de transistores FET
 Analizar la respuesta de polarización de transistores FET.
 Implementación de Circuitos Amplificadores.

III. MATERIAL Y EQUIPO


 Resistencias
 Transistor FET
 Fuente de Corriente Continua
 Módulos Lucas Nulle

IV. PROCEDIMIENTO

1. ACTIVIDADES PREVIAS

Inventario:
Dispositivo (Codigo) Cantidad
JFET-N 1

Mediciones:

Componente: Valor
MULTIMETRO VOLTAJE, CORRIENTE, DIODO,
TRANSITOR. (V) , (I),ETC
RESISTENCIAS 10k Ω,1k Ω,100k Ω,470Ω,680K Ω.
PATCH PANEL VOLTAJE , CORRIENTE .
TRANSISTOR ( DIODOS) 0.7
MALETA LUCAS NULLE RESISTENCIAS , DIODOS , ETC
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TRANSISTOR FET Semestre:
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2. MEDICIÓN DE TRANSISTOR:
CODIGO JFET-N
Componente: Valor
GS 1.552 KΩ
GD 1.689 KΩ
DS 0.140 KΩ
Tipo JFET-N

3. RECONOCIMIENTO DE VALORES DE IDSS Y VP

Implemente el
circuito como
muestra la figura
utilizando el FET
Considere:
JFET = 2N3819
VDD=15V
R6 = 100 ohm.
R7 = 1 K ohm.

IMPORTANTE:
Asegúrese que las
polaridades son las
correctas antes de
encender las
fuentes de voltaje.
Ajuste el valor de
VGG de manera que - - -
VG
VGS sea de 0 a -7 V. 0V -1V -2 V -3V -4V 5 6 7
S
Para cada voltaje V V V
de VGS mida la 0.0092 0.0055 0.00275 0.00072 1µ 0 0 0
ID
corriente en el 4A 5A 0A 5A A A A A
drenador (ID)
Deténgase cuando
ID = 0mA.
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TRANSISTOR FET Semestre:
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En la rejilla trace la
curva característica CURVA CARACTERÍSTICA DE TRANSFERENCIA

ID (mA)
10 9.2
de transferencia ID =
9
f (VGS) de su JFET. 8
7 5.5
6
5
4 2.8
3
2 0.7
1 0.0001 0 0 0
0
0 -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7
Series1 9.2 5.5 2.8 0.7 0.0001 0 0 0

VGs
3.4. Interprete la
curva graficada.
- ¿Cuál es el valor de la tensión de estrangulamiento (Vp)?
- ¿Cuál es el el valor de la tensión de estrangulamiento de vp debe ser menor a cero,
valor de la claramente en la gráfica viéndolo desde el punto de vgs, esta debe ser
tensión de un valor reducido. Vgs = vp < 0
estrangulamien - ¿Cuál es la corriente máxima de drenaje (IDSS)?
to (Vp)? la corriente máxima de drenaje es encontrada cuando al efectuar un
- ¿Cuál es la análisis respecto a vgs. comprobamos esto con la tabla anterior donde vp
corriente =0
máxima de
drenaje (IDSS)?

4. POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR POR RESISTENCIA FIJA:

La polarización de un
transistor determina
el punto de trabajo
en el que se
encuentra. Arme el
circuito.

Determine
teóricamente el
punto de trabajo del
transistor. Considere:

RD=470
RG=1K
VDD= 15V
VG=-2V
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Complete la
siguiente tabla: MEDIDAS VGS VDS VRD
VDS-
ID IDSS VP
SAT
13.919 1.081 0.0092
TEÓRICA -2 V 2V 2.3mA -4 V
V V A
13.77 1.275 0.0092
PRACTICA -1.71V 2.29V 2.71mA -4V
V V A
.
Realice el análisis
matemático del
Circuito de Polarización
por resistencia fija:

Grafique la recta de
carga y ubique el
punto de operación.
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5. POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR POR DIVISOR DE TENSION:

La polarización de
un transistor
determina el punto
de trabajo en el que
se encuentra. Arme
el circuito.

R1=680kΩ
R2=47kΩ
RD=100Ω
RS=470Ω

Sino tiene el valor


exacto cambie por
uno cercano.

Considere:
Los valores de IDSS y
VP del circuito
anterior.

Complete la MEDIDAS VGS VDS VRD


VDS-
ID IDSS VP
siguiente tabla. SAT
-1.18 12.39 0.457 2.82 0.00457 0.0092
TEÓRICA -4
V V| V V A A
-3.68 10.67 0.765 0.32 0.00765 0.0092
PRACTICA -4
V V V V A A
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TRANSISTOR FET Semestre:
Grupo :

Realice el análisis
matemático del
Circuito de
Polarización por
Divisor de Tensión:

Grafique la recta de
carga y ubique el
punto de operación.
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Ubique el punto de
operación

Responda a las siguientes preguntas:

a) ¿Qué representa el Valor 𝐼𝐷𝑆𝑆 ?


se le conoce como la corriente de drenaje fuente de una saturación. esta puede llegar a crecer
hasta el límite de vsd, para eso se dice que el jfet se ha saturado.
b) ¿Qué representa el valor 𝑉𝑝 ?
cuando esta vgs sobrepasa un valor determinado, las zonas de exclusión se extienden hasta tal
punto que el paso de electrones id entre fuente y drenador queda completamente cortado. a ese
valor de vgs se le denomina vp.
c) ¿Qué denota la función característica de un Transistor FET? Explique.
es un transistor que usa el campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la conductividad
de un canal que transporta un solo tipo de portador de carga, por lo que también suele ser
conocido como transistor unipolar. es un semiconductor que posee tres terminales, denominados
puerta (gate), drenaje (drain) y fuente (source). la puerta es el terminal equivalente a la base del
transistor bjt (bipolar junction transistor), de cuyo funcionamiento se diferencia, ya que, en el fet,
el voltaje aplicado entre la puerta y la fuente controla la corriente que circula en el drenaje. se
dividen en dos tipos los de canal-n y los de canal-p, dependiendo del tipo de material del cual se
compone el canal del dispositivo.
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I. OBSERVACIONES
 SE OBSERVÓ QUE LOS TRANSISTORES FET SE COMPORTAN COMO RESISTENCIAS
CONTROLADOS POR TENSIÓN PARA VALORES PEQUEÑOS DE TENSIÓN.

 SE OBSERVO QUE LOS TRANSISTORES FET GENERAN UN NIVEL DE RUIDO MENOR QUE LOS
BJT.

 SE OBSERVÓ QUE LOS TRANSISTORES FET SON MÁS ESTABLES CON LA TEMPERATURA QUE
LOS BJT.

 SE OBSERVO QUE LA ALTA IMPEDANCIA DE ENTRADA DE LOS FET LES PERMITE RETENER
CARGA EL TIEMPO SUFICIENTE PARA PERMITIR SU UTILIZACIÓN COMO ELEMENTOS DE
ALMACENAMIENTO.

 SE OBSERVO QUE LOS TRANSISTORES FET PRESENTAN UNA RESPUESTA EN FRECUENCIA


POBRE DEBIDO A LA ALTA CAPACIDAD DE ENTRADA.
II. CONCLUSIONES.
 SE CONCLUYE QUE LOS TRANSISTORES FET ES UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE
CONTROLA UN FLUJO DE CORRIENTE POR UN CANAL SEMICONDUCTOR, APLICANDO UN
CAMPO ELÉCTRICO PERPENDICULAR A LA TRAYECTORIA DE LA CORRIENTE.

 SE CONCLUYE QUE DEBEMOS TRABAJAR EN MÓDULOS QUE ESTÉN EN BUEN ESTADO PARA
NO TENER MEDIDAS ERRÓNEAS Y CON LAS RESISTENCIAS RESPECTIVAS.

 SE CONCLUYE SIEMPRE DEBEMOS ANALIZAR EL DATASHEET DEL TRANSISTOR PARA


ANALIZAR SUS GANANCIAS Y PARÁMETROS CON LOS QUE TRABAJA.

 SE CONCLUYE DEBEMOS SER CUIDADOSOS AL VERIFICAR LOS TERMINALES DEL TRANSISTOR


POR MEDIO DEL MEDIDOR DE CONTINUIDAD, YA QUE SI ERRAMOS ALGUNA PARTE VAMOS
A OBTENER DATOS COMPLETAMENTE ERRÓNEOS DEL CIRCUITO Y EN LA COMPARACIÓN
CON EL SIMULADOR NO HABRÁ NINGÚN TIPO DE COINCIDENCIA.

 SE CONCLUYE PARA ÉSTA PRÁCTICA, EL MÉTODO MÁS FACTIBLE PARA DETERMINAR LAS
CORRIENTES ES USANDO LA LEY DE OHM, YA QUE SI CONECTÁRAMOS EL MULTÍMETRO EN
SERIE CON EL CIRCUITO CORREMOS EL RIESGO DE DESCONECTAR UN ELEMENTO Y OBTENER
UN DATO ERRÓNEO.
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ANEXO:
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