REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA EDUCACIÓN

UNIVERSITARIA
INSTITUTO UNIVERSITARIO SAN FRANCISCO
COORDINACIÓN DE EDUCACIÓN
CARRERA: LECTRONICA
ASIGNATURA: ELECTRONICA I

TRANSISTOR A BAJAS FRECUENCIAS

Autor:
MOISES ANDARA
C.I. 25.407.499
Tutor Académico:
RICHARD SALAZAR

San Francisco, octubre del 2022

 Índice.

1. Modelo del transistor a bajas frecuencias.

2. El cuadripolo y el modelo híbrido.
3. Modelo híbrido de un transistor.
4. Comparación entre las diferentes configuraciones.
5. Ganancia de corriente y de tensión.
6. Impedancia de entrada y salida.
7. Teorema de Miller y su dual.
1. Modelo de transistor a bajas frecuencias.
La frecuencia de la señal aplicada puede tener un efecto pronunciado en la
respuesta de una red de una sola o de múltiples etapas. El análisis realizado
hasta ahora ha sido en el espectro de frecuencias medias. A bajas
frecuencias, veremos que los capacitores de acoplamiento y de puenteo ya
no pueden ser reemplazados por la aproximación de cortocircuito debido al
incremento de la reactancia de estos elementos. Los parámetros
dependientes de la frecuencia de los circuitos equivalentes de señal pequeña
y los elementos capacitivos parásitos (o de interferencia) asociados con el
dispositivo activo de la red, limitarán la respuesta de alta frecuencia del
sistema. Un incremento del número de etapas de un sistema en cascada
también limitará las respuestas tanto de alta como de baja frecuencia.

En la figura 1.1 aparecen las magnitudes de las curvas de respuesta de

ganancia de un sistema de amplificador acoplado por transformador, de
acoplamiento directo y acoplado por RC. Observe que la escala horizontal es
una escala logarítmica para permitir que una gráfica se extienda desde las
regiones de baja frecuencia hasta las de alta frecuencia. Para cada gráfica
se ha definido una región de baja frecuencia, de alta frecuencia y una de
media frecuencia. Además, también se han indicado las razones principales
de la reducción de la ganancia a bajas y altas frecuencias dentro del
paréntesis.

Para cada sistema de la figura 9.7, hay una banda de frecuencias en la cual
la magnitud de la ganancia es o igual o relativamente parecida al valor de
banda media. Para poner en orden los límites de frecuencia de ganancia
relativamente alta, se eligió 0.7074vmedia como la ganancia a los niveles de
corte. A las frecuencias correspondientes f1 y f2 se les suele llamar
frecuencias de esquina, de corte, de banda, de ruptura o de media potencia.
Se escogió el multiplicador 0.707 porque a este nivel la potencia de salida es
la mitad de la salida de potencia de banda media, es decir, a frecuencias
medias,
|V 02| |A Vmedia V i|2
P0= =
R0 R0

Y a las frecuencias de media potencia,

2 2
|0.707 AVmedia V i| | AVmedia V i|
P0 HPF = =0.5
R0 R0

Los BJT y FET son modelados usando redes de dos puertas a través de
parámetros h o Y respectivamente. Para cada el BJT en base común,
colector común o emisor común y el FET en Fuente, Gate o Drenador
común, existe un conjunto distinto de parámetros h o Y. Un solo grupo de
parámetros puede servir para analizar las distintas conexiones del transistor.
Estos modelos se usan a pequeña señal y baja frecuencia. Así se determina
la ganancia de volta je, corriente, y las resistencias de entrada y salida de la
configuración amplificadora.

1.1. Transistor como red de dos puertas.

Desde el punto de vista de los terminales el transistor se modela como
una red de dos puertas o cuadripolo.

Estas redes se describen por un conjunto de parámetros, los cuales

dependen del tipo de variable independiente que se use, dichos
parámetros se indican en la Tabla.

a. Parámetros h.
 Se definen los parámetros h para satisfacer el sistema de
ecuaciones (1) y (2).

Despejándolos parámetros.

Así, la red modelada en base a los parámetros h será la indicada en la

Fig.

b. Parámetros Y.
Se definen los parámetros Y de acuerdo a (4) y (5).

Donde
 Resultando la red de la Fig.

c. Análisis en ca.
Los modelos propuestos describen el comportamiento de los
transistores en la zona lineal, a pequeña señal además de sus
características dinámicas, así el análisis básico de amplificadores
requerirá de dichos modelos.
El análisis de amplificadores consiste en la determinación de la
relación de las variables de entrada y salida, comúnmente llamada
ganancia, la que puede ser de voltaje (Av) o corriente (Ai). Sin
embargo, son importantes las características de entrada y salida
tales como la impedancias de entrada y salida (Rin y Rout),
parámetros que permitirán evaluar el efecto de la conexión entre
distintas etapas.
Como el análisis es en ca, se deben anular las fuentes de cc, y
dejar solo las componentes de señal. Los capacitores se
reemplazan por cortocircuitos y finalmente se reemplaza el
dispositivo activo por el modelo correspondiente. Finalmente, a
través de las leyes de Kircchoff, se determinan los parámetros
señalados.

1.2. Configuraciones amplificadoras en los transistores.

Las relaciones de entrada-salida de los sistemas electrónicos son
cuatro: Ganancia de voltaje Av, Ganancia de corriente Ai ,
Transconductancia GT y Transresistencia RT : La Tabla II, indica las
variables y sus unidades.
Debido a que el BJT es un dispositivo controlado por corriente, resulta
conveniente usar los parámetros h, que permite describir con más
detalle sus cualidades dinámicas. El FET es un dispositivo controlado
por tensión que puede ser descrito usando los parámetros Y.

a. Modelo del BJT en Emisor Común.

Sea el transistor en configuración de emisor común de la Fig. 4a.
Esta configuración establece que las señales serán medidas
usando como referencia dicho terminal. Expresando los
parámetros h de la red de la Fig. 4b, de acuerdo a las variables de
la red, se tiene.

Donde (7) equivale a la resistencia dinámica de la juntura de

emisor (corresponde a la pendiente de la curva
26[mV ]
i b /v BE). Este par·metro puede ser calculado como hie = ;
i bQ
valido solamente para T o ambiente. Por lo general su valor es de
algunos [ K Ω].

Corresponde a la transmisión inversa, por lo general de bajo valor

(no medible), puede ser considerada 0.

Donde (9) es la ganancia de corriente a pequeña señal y es el

equivalente dinámico de.
 La ecuación (10) es la pendiente de la curva característica de
salida, también llamada resistencia de salida del transistor ( r o ). Por
1
lo general, → ∞ . Finalmente, el modelo queda como se indica
hoe
en la Fig. 5

2. El cuadripolo y el modelo hibrido.

- Resistencia de entrada.
Con la salida en cortocircuito ¿).

- Amplificación inversa de tensión.

Con la entrada en circuito abierto (adimensional).

- Ganancia de corriente.
Con la salida en cortocircuito (adimensional).
- Conductancia de salida.
Con la entrada en circuito abierto (Ω−1).
 En el caso particular del transistor a los subíndices de los parámetros
h se les añadirá una letra (e b o c) indicativo del tipo de configuración.

3. Modelo hibrido de un transistor.

Suponiendo variaciones pequeñas en el entorno del pto Q
(parámetros ctes)

Para la configuración de EC:

Desarrollando en series de Taylor en torno al pto Q y despreciando

términos de orden superior
- Emisor común.

- Base común.

- Colector común.
4. Comparación entre las diferentes configuraciones.

Con independencia de la configuración en la que se encuentre el

transistor en la que se encuentre el transistor, SIEMPRE utilizaremos el
modelo de parámetros en emisor común.

- Emisor común.

- Emisor común con R E.

- Base común.
- Colector común.
5. Ganancia de corriente y de tensión.
Cuando un amplificador realiza la función de elevar la señal que ha sido
aplicada a su entrada, se dice que ha producido una determinada
ganancia. Se puede decir que la ganancia de un amplificador es la
relación que existe entre el valor de la señal obtenida a la salida y el de la
entrada.
- Ganancia de corriente: se obtiene midiendo el valor de la
intensidad de salida y el de entrada, efectuando su cociente.
I
Ai= salida
I entrada

- Ganancia de tensión: que se obtiene midiendo el valor de la

tensión de entrada y el de salida y realizando su cociente.
V salida
A v=
V entrada

6. Impedancia de entrada y salida.

- Impedancia de entrada: es la impedancia que ofrece un

amplificador a la entrada, y se calcula aplicando la ley de Ohm entre
sus extremos:

V salida
Z e=
I entrada

- Impedancia de salida: es la impedancia que ofrece el amplificador

a su salida:

V salida
Z s=
I entrada

7. Teorema de miller y su dual.

El teorema de Miller se refiere al proceso de creación de circuitos
equivalentes . Afirma que un elemento de impedancia flotante,
alimentado por dos fuentes de tensión conectadas en serie, puede
dividirse en dos elementos puestos a tierra con las impedancias
correspondientes.
También hay un teorema de Miller dual con respecto a la impedancia
suministrada por dos fuentes de corriente conectadas en paralelo. Las
dos versiones se basan en las dos leyes de circuito de Kirchhoff.
 En un circuito lineal donde exista una impedancia Z conectada entre
dos nodos, cada una con voltajes V 1 y V 2, se puede reemplazar dicha
impedancia por dos elementos conectadas entre sus correspondientes
nodos y tierra, cada una con sus respectivas impedancias:
Z /(1−K ) y KZ /(K−1¿) ¿ donde k =V 2 ∕ V 1

Demostración:

- Teorema dual de miller.

En un circuito lineal donde exista una impedancia z conectada
entres un nodo y tierra, donde dos corrientes I1 e I2 convergen en el
mismo nodo, se puede reemplazar dicha impedancia por dos
elementos conectados entre sus correspondientes nodos y tierra,
cada una con sus respectivas impedancias:

( 1+α ) Z y ( 1+α ) Z /α Donde ( 1+α ) Z /α =I 2 / I 1

Ejemplos:

Ejercicio 1.