Tema 4 - MOS-IGBT-Convertidores - DC - DC - Sin - Aislamiento PDF

GTE
Electrónica de Potencia
Tema 4. MOS, IGBT y convertidores DC/DC

sin aislamiento
Sevilla, Febrero 2023
ÍNDICE
GTE
• Introducción (MOSFET e IGBT)
• Principios básicos de modulación
• Convertidores dc/dc sin aislamiento: Clasificación
• Análisis detallado del convertidor dc/dc elevador
• Modo de Conducción Continua
• Modo de Conducción Discontinua
• Operación de otras topologías
• Convertidor dc/dc reductor
• Convertidor dc/dc reductor-elevador
• Convertidor cúk
• Comparativa
Tema 4. MOS, IGBT y convertidores DC/DC sin aislamiento 2

INTRODUCCIÓN
GTE
Electrónica de potencia para conversión de la energía eléctrica
•Baja Potencia:
MOSFETS
• Media-Alta Potencia:
Diodos
DC/AC IGBTs
(Inversores) • Muy Alta Potencia:
Corriente Continua: IGCTs-GTOs
DC/DC p. ej. Baterías, paneles
(Choppers) fotovoltaicos, SMES…
Baja Potencia: MOSFETS

Media-Alta Potencia: Corriente Alterna: AC/AC
Diodos
p. ej. Red Eléctrica, (Matriciales)

IGBTs
Maquinas Eléctricas,
Muy Alta Potencia: AC/DC Aerogeneradores…
IGCTs-GTOs (Rectificadores)
Diodos (no controlados)

o
SCRs (controlados)
Fuentes Convertidores Dispositivos

MOSFET
GTE
Transistor de Efecto de Campo (Mosfet) de Señal
Contacto
Puerta metálico
Fuente (G)
Drenador
(S) (D)
SiO2 SiO2
SiO2
n+ Canal inducido n n+
Sustrato p
Sustrato Transistor planar de Señal MOSFET de

(B)
Enriquecimiento, Canal n

MOSFET
GTE
Transistor MOS Ohmica VGS- VT >VDS Ruptura Zonas de funcionamiento del

Canal N de
Enriquecimiento transistor MOS:
iD Saturación VGS- VT <VDS
1-Zona de corte, VGS<VT , iD@0 ; el
iD D
transistor se considera un interruptor
VGS
abierto.
G VDS
2-Zona de saturación, VGS- VT <VDS,
VGS S iD@constante (independiente de VDS):
CorteVGS<VT VBV k æW ö
× ç ÷ × (VGS - VT )
VDS 2
a) Símbolo b) Curva Característica VBD iD =
2 èLø
el límite de esta zona con la siguiente, se obtiene al sustituir VGS- VT =VDS , en la fórmula
k æW ö
× ç ÷ × (VDS ) , (=parábola)
2
anterior, es decir: i D =
2 èLø

MOSFET
GTE
Contacto
Puerta metálico Transistor planar de Señal MOSFET de
Fuente (G)
(S)
Drenador
(D)
Enriquecimiento, Canal n
SiO2 SiO2
SiO2
n+ Canal inducido n n+
Sustrato p
Sustrato
(B)

MOSFET
GTE
Transistor MOS Ohmica VGS- VT >VDS Ruptura Zonas de funcionamiento del

Canal N de transistor MOS:
Enriquecimiento
iD Saturación VGS- VT <VDS
3-Zona óhmica, VGS- VT >VDS,
iD D
æ W ö æç ö
2
VDS
iD = k × ç ÷ × ç (VGS - VT ) × VDS -
VGS
÷÷
G VDS èLø è 2 ø
S en esta zona el transistor se considera

VGS
un interruptor cerrado, con una
CorteVGS<VT VBV VDS resistencia (para valores muy pequeños
a) Símbolo b) Curva Característica VBD de VDS):
1
RDS (ON ) =
æW ö
k × ç ÷(VGS - VT )
èLø
W/L 4-Zona de ruptura, VDS > VBD.

MOSFET
GTE
Mosfet de Potencia: Transistor VMOS (Siliconix-1976)
G
S S
n+ e- - n+
e
p p
Canal
Primeros transistores MOS de potencia:

+
n Transistor en V. Derivó rápidamente a U-
MOS.

MOSFET
GTE
Mosfet de Potencia: Transistor DMOS
Sección de una
Fuente Puerta
celdilla elemental
SiO2
óxido de puerta
n+ n+ n+ n+ 1019 cm-3
p canal 1016 cm-3

(sustrato) p
- L 1014…
n 15
10 cm
-3
n+ iD iD
1019 cm-3
(oblea)
Drenador Sección de un Transistor DMOS de

Enriquecimiento Canal n

MOSFET
GTE
Mosfet de Potencia: Transistor DMOS
Sección de una Fuente Puerta

celdilla elemental
SiO2
óxido de puerta
n+ +
n n+ n+ 1019 cm-3
p canal 1016 cm-3

(sustrato) p
- L 1014…
n 15
10 cm
-3
n+ iD iD
1019 cm-3
(oblea)
Drenador
Sección de un Transistor DMOS de

Enriquecimiento Canal n

MOSFET
GTE
Mosfet de Potencia: Transistor Trenched-MOS
SiO2
S G S G
n+ n+ n+ n+
Transistores MOS de potencia
p p p modernos: “Transistores con
Trinchera”
Mas celdillas por mm2

Canal →menor RDS(on)
n-epitaxial
(a igualdad de area)
n+-oblea

MOSFET
GTE
Evolución del Transistor MOS
Evolución en el tiempo de las generaciones de transistores MOS a partir de

DMOS hasta los transistores con trinchera.

MOSFET
GTE
Ejemplos de Transistores MOS
120V 30A
120V 200A

MOSFET
GTE
Ejemplos de Transistores MOS
40V 2Amp, 2x2mm
Ejemplos de aplicaciones:
Cargadores de moviles
Fuentes de alimentacion
Accionamientos robots
150V 600Amp, 110x90x35mm
Motores de drones
Puente 3Ø (6 Transistores)
Vehiculos electricos
…

MOSFET GTE
Mosfet de potencia: DIODO EN ANTIPARALELO
G
S
n+
E
CDB
n-
C
D D
C C
CDB
B
G
G
B
E E
S S
Transistor Bipolar asociado al Transistor MOS

Limites del MOS GTE
Transistor D-MOS
Fuente Puerta
En un Transistor MOS para conseguir tensiones (BVDSS)
elevadas, RD tendrá un valor elevado al ser ND necesariamente
SiO2
bajo y el espesor WD grande.
óxido de puerta
La caída en conducción será: iD×RON Donde RON será la suma de
n+ n+ 1019 cm-3
las resistividades de las zonas atravesadas por la corriente de
canal 1016 cm-3
(sustrato)
p drenador (incluyendo la de canal).
L
ND=
WD
n-
1014÷15
cm-3
iD iD
RD
iD iD
1/RON
(oblea) n+ 1019 cm-3
Drenador
RON = RDS ( canal ) + RD

VDS VDS
1 a) MOS de alta tensión b) MOS de baja tensión
RON = + RD
æW ö
k × ç ÷(VGS - VT ) Si la BVDSS del dispositivo es mayor que 200 o 300 Voltios La
èLø resistencia de la capa n- (RD) es mucho mayor que la del canal.

Limites del MOS GTE
Transistor D-MOS
Comparación de curvas características de dos MOSFETS de 50Amp
a) MOSFET de 40V ( FDD8447L) 8,5mW b) MOSFET de 600V (STW56N60DM2) 52mW

IGBTs: TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN GTE
Sección de una celdilla elemental
Fuente Puerta •Aparece en década de los 80

•Entrada como MOS, Salida
SiO2 como BJT
•Velocidad intermedia (MOS-
óxido de puerta
+ +
BJT)
n n n+ n+
•Tensiones y corrientes mucho
Transistor n-MOS
p canal
p mayores que MOS (1700V-
(sustrato)
400Amp)
L
•Geometría y dopados análogos
n- Región de
WD arrastre del a MOS (con una capa n- mas
RD
Drenador ancha y menos dopada)
•Soporta tensiones inversas (no
Sólo en PT-IGBT
iD iD
n+
diodo en antiparalelo). No el PT
Capa de almacenamiento
•Tiristor parásito no deseado
p+ Oblea Capa de inyección
•Existen versiones canal n y
canal p
Drenador
Transistor IGBT
GTE
TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN.
TRANSISTOR EN TRINCHERA (TRENCHED)
S SiO2 G
G S
n+ n+ n+ n+
p p p
Canal
n-epitaxial
n+-epitaxial
p+-sustrato
Microfotografía de una sección de la
puerta de un transistor IGBT tipo
Transistores IGBT de potencia modernos: Trenched
“Transistores en Trinchera”

igbt GTE
ID Avalancha
Saturación VGS
Representación Simbólica del Transistor

VRRM, Muy IGBT.
bajo si es un
PT-IGBT
a) Como BJT, b) Como MOSFET
Corte
C D
Corte VDS iC iD
VDSon, Menor si BVDSS
Avalancha es un PT-IGBT
VCE VDS
G
Curva Característica Estática de un Transistor G
IGBT de Canal n
VGE E VGS S
a) b)

FUNCIONAMIENTO DEL IGBT GTE
El comportamiento cortado es análogo al MOS cortado. En conducción será:
G
n+ n+
p
Rdispersión
Rarrastre n-
n+
p+
D
Sección Vertical de un IGBT. Caminos de Circulación de la Corriente en Estado de Conducción

G
n + n+
Rarrastre
Rarrastre D
p
J1
n- Varrastre
J1 +
ID Rcanal
n G
p+
D S
Sección Vertical de un IGBT. Transistores Circuito Equivalente aproximado
MOSFET y BJT Internos a la Estructura del IGBT del IGBT.

Comparación VDS(on) MOS-IGBT para la misma BVDSS
Rarrastre D
VDS(on)=VJ1+ IDRcanal +IDRarrastre
J1
Varrastre Vj1=0.7÷1Volt.
ID Rcanal IC»0.1· ID Rcanal =Rcanal (MOS)
G Rarrastre (IGBT) << Rarrastre (MOS)
Debido a la inyección de huecos desde p+
Esta resistencia es menor aún si es PT-IGBT, ya que para
S soportar la misma tensión puede ser casi la mitad de ancha.
Circuito Equivalente (además en los PT-IGBT la tensión VJ1 es menor al estar más
dopadas las capas que forman la unión)
aproximado del IGBT.
•La caída total es menor en el IGBT para tensiones a partir
de 600V. (1.6V para 1.200 Voltios)
•En el mercado existen IGBTs de 600, 1.200, 1.700, 2.200,
3.300, 6.500 y 8.000 Voltios

G
n + n+
p Circuito Equivalente del IGBT

Rdispersión que Contempla el Tiristor
n- Parásito
D
+ J1
n
p+ J2
G
J3
D Resistencia
Sección Vertical de un IGBT. Mostrando de dispersión
los Transistores MOSFET y BJT Internos del sustrato
a la Estructura del IGBT S

Ejemplos de IGBTs Comerciales G E T
Módulo
Semipuente
1200V, 400Amp

Módulo con 7 IGBT’s

encapsulados.1200V, 75Amp
105x45x18mm

IGBTs Diodos

Oblea antes del corte con 137 IGBTs

Detalle encapsulado y conexiones GTE


600V 5Amp

Convertidores construidos con IGBTs GTE

ÍNDICE
GTE
ü Introducción (MOSFET e IGBT)
• Principios básicos de modulación
• Comparativa

Principios básicos de modulación
GTE
Circuito básico: Tecnologías semiconductor
D S
Esquema basado en Mosfet
D S
Esquema genérico G
Esquema basado en IGBT

GTE
Circuito básico: Estados posibles
Estado On: Sg = 1
Esquema genérico
Estado Off: Sg = 0

GTE
Concepto básico de ciclo de trabajo
2
Sg
1
g
S
0
-1
Ton: Tiempo de encendido. 0 1.2 2 4 6 8 10
Periodo de tiempo en el que el Time (ms)
interruptor permanece cerrado 200
vs
v , v [V]
100 vo
o
En el ejemplo:
0
s
Ton = 1.2 ms
<latexit sha1_base64="QEHxsldL0AM3XnxVJJaR0hY3PI8=">AAAB/XicbVDLTgJBEJzFF+IL9aaXQWLiabNLjHIxIfHiERNeCUvI7NDAhNlHZnqNZEP0Z/Rk1Js/4Q/4Nw7IQcE6VXdVJ13lx1JodJwvK7Oyura+kd3MbW3v7O7l9w8aOkoUhzqPZKRaPtMgRQh1FCihFStggS+h6Y+up3rzDpQWUVjDcQydgA1C0RecoVl180e1bhqFE+oVrrwCde2Sh3CPKQ30pJsvOrYzA10m7pwUyRzVbv7T60U8CSBELpnWbdeJsZMyhYJLmOS8REPM+IgNoG1oyALQnXSWYUJP+5GiOAQ6m397UxZoPQ584wkYDvWiNl3+p7UT7Jc7qQjjBCHkxmK0fiIpRnRaBe0JBRzl2BDGlTBfUj5kinE0heVMfHcx7DJplGz3wnZuz4uV8ryILDkmJ+SMuOSSVMgNqZI64eSRPJM38m49WE/Wi/X6Y81Y85tD8gfWxzeQ/pPo</latexit>
-100
0 1.2 2 4 6 8 10
Time (ms)

GTE
2
Sg
1
g
S
0
-1
Toff: Tiempo de apagado. 0 1.2 2 4 6 8 10
Periodo de tiempo en el que el Time (ms)
interruptor permanece abierto 200
vs
v , v [V]
100 vo
o
En el ejemplo:
0
s
Tof f = 0.8 ms
<latexit sha1_base64="rEpk//EL5uTzJWDq1kKIBQcXB0Y=">AAAB/nicbVDLSgNBEJz1GeNr1WMuE4PgKeyKaC5CwIvHCHlBNoTZSW8yZPbBTK8YloD+jJ5EvfkR/oB/4yTmoIl1qu6qhq7yEyk0Os6XtbK6tr6xmdvKb+/s7u3bB4dNHaeKQ4PHMlZtn2mQIoIGCpTQThSw0JfQ8kfXU711B0qLOKrjOIFuyAaRCARnaFY9u1DvZXEQTKhXvPKK1ClXPIR7zGioJz275JSdGegyceekROao9exPrx/zNIQIuWRad1wnwW7GFAouYZL3Ug0J4yM2gI6hEQtBd7NZiAk9CWJFcQh0Nv/2ZizUehz6xhMyHOpFbbr8T+ukGFS6mYiSFCHixmK0IJUUYzrtgvaFAo5ybAjjSpgvKR8yxTiaxvImvrsYdpk0z8ruRdm5PS9VK/MicqRAjskpccklqZIbUiMNwskjeSZv5N16sJ6sF+v1x7pizW+OyB9YH99T35RV</latexit>
-100
0 1.2 2 4 6 8 10
Time (ms)

GTE
2
Sg
1
g
S
0
-1
Ts: Periodo de conmutación. 0 1.2 2 4 6 8 10
Periodo de tiempo en el que se Time (ms)
repite el ciclo cerrado-abierto 200
vs
Ts = Ton + Tof f
<latexit sha1_base64="Ybre3ndvnVrtb2ATyGghnY9Ppx8=">AAAB/XicbZBNS8MwHMbT+TbnW9WbXjKHIAijFdFdhIEXjxP2BmsZaZZuYWlSklQYpeiX0ZOoN7+EX8BvYzp70OlzyS//5wnk+Qcxo0o7zqdVWlpeWV0rr1c2Nre2d+zdva4SicSkgwUTsh8gRRjlpKOpZqQfS4KigJFeML3O/d4dkYoK3tazmPgRGnMaUoy0GQ3tg/YwVRn0qldeFRoWPDvNjzDMhnbNqTtzwb/gFlADhVpD+8MbCZxEhGvMkFID14m1nyKpKWYkq3iJIjHCUzQmA4McRUT56bxDBo9DIaGeEDi//8ymKFJqFgUmEyE9UYtePvzPGyQ6bPgp5XGiCccmYrwwYVALmK8CjqgkWLOZAYQlNb+EeIIkwtosrGLqu4tl/0L3rO5e1J3b81qzUSyiDA7BETgBLrgETXADWqADMHgAT+AVvFn31qP1bL18R0tW8WYf/JL1/gVby5Rt</latexit>
v , v [V]
100 vo
o
En el ejemplo:
0
s
Ts = 2 ms
<latexit sha1_base64="LwnJ4ZaKxn7ifAt38uvtAtGfu70=">AAAB+nicbVDLTgJBEJz1ifha9eDByyAx8UR2iVEuJiRePGLCK2EJmR0amDD7yEyvkaz7M3oy6s3P8Af8GwfkoGCdqruqk67yYyk0Os6XtbK6tr6xmdvKb+/s7u3bB4dNHSWKQ4NHMlJtn2mQIoQGCpTQjhWwwJfQ8sc3U711D0qLKKzjJIZuwIahGAjO0Kx69nG9l+qMeoVrr0DLHsIDpjTQWc8uOiVnBrpM3DkpkjlqPfvT60c8CSBELpnWHdeJsZsyhYJLyPJeoiFmfMyG0DE0ZAHobjoLkNGzQaQojoDO5t/elAVaTwLfeAKGI72oTZf/aZ0EB5VuKsI4QQi5sRhtkEiKEZ32QPtCAUc5MYRxJcyXlI+YYhxNW3kT310Mu0ya5ZJ7WXLuLorVyryIHDkhp+ScuOSKVMktqZEG4SQjz+SNvFuP1pP1Yr3+WFes+c0R+QPr4xvfspMB</latexit>
-100
0 1.2 2 4 6 8 10
Time (ms)

GTE
200
vs
v , v , v [V]
100 vo
o
vo
o
0
s
-100
Cálculo del valor medio 0 1.2 2 4 6 8 10
Time (ms)
<latexit sha1_base64="J6cBNxBrVFkM6SYXEtM7DC77xcU=">AAAC1HicdVLNbhMxEPZu+SnhL8CRi0OEVIQU7aKqVEhIlbhwLFKTVIrDyuv1Jla99sqejRQZn1DhxpPxAjwGb4CzLIW0ZXz5ZuabzzNj57UUFpLkRxTv3Lh56/bund7de/cfPOw/ejyxujGMj5mW2pzm1HIpFB+DAMlPa8NplUs+zc/ebfLTFTdWaHUC65rPK7pQohSMQghl/Z8kp8atfOa0x2TwlgwwKQ1lLvXuJHPWezIgQkHmEv/xb+TirDaFAUhewh4QIxZLeEEGBfxPqyVuKWq1LXkhbH0BL1uvpXfU67pIyJviz+VbU3Q1XUmrmfWHyShpDV8FaQeGqLPjrP+dFJo1FVfAJLV2liY1zB01IJjkvkcay2vKzuiCzwJUtOJ27tqn8fh5qQ2GJcet/y/X0cradZUHTkVhaS/nNsHrcrMGysO5E6pugCsWKCFXNhKDxpsXxoUwnIFcB0CZEaFLzJY0bAPCP+iF8dPLw14Fk1ej9GCUfNgfHh12i9hFT9EztIdS9BodoffoGI0Ri6aRj75EX+NJ/Cn+HJ//psZRV/MEbVn87RfkzODY</latexit>
Z Z Z !
Ts Ton Ts
1 1 Ton
v̄o = vo (t)dt = vs dt + 0 dt = vs
Ts 0 Ts 0 Ton Ts
Definición del ciclo de Ton

<latexit sha1_base64="c/aA7/kztXlAw48M4y2hJEAo6d8=">AAAB/nicbVDLSgMxFM34rPU16rKb1CK4KjMi2o1Q0IXLCn1BZyiZNNOGZpIhyQhlGNCf0ZWoOz/CH/BvzNRZaOvZ3HPvOYGcE8SMKu04X9bK6tr6xmZpq7y9s7u3bx8cdpVIJCYdLJiQ/QApwignHU01I/1YEhQFjPSC6XWu9+6JVFTwtp7FxI/QmNOQYqTNaWhXbrzqlVeFXigRTtvDVPAsy6fKsqFdc+rOHHCZuAWpgQKtof3pjQROIsI1ZkipgevE2k+R1BQzkpW9RJEY4Skak4GhHEVE+ek8RAZPQiGhnhA43397UxQpNYsC44mQnqhFLT/+pw0SHTb8lPI40YRjYzFamDCoBcy7gCMqCdZsZgjCkppfQjxBpghtGiub+O5i2GXSPau7F3Xn7rzWbBRFlEAFHINT4IJL0AS3oAU6AINH8AzewLv1YD1ZL9brj3XFKt4cgT+wPr4B/riVcg==</latexit>
trabajo D: D= v̄o = Dvs

<latexit sha1_base64="NG4z5ctbEfGBxOP5IE6lsOXqcA4=">AAAB+nicbVDLSsNAFJ3UV62vqAsXbqYWwVVJRLQboaALlxXsA5oQJtObdujkwcykUGJ+Rlei7vwMf8C/cVqz0NazOveec+Ge4yecSWVZX0ZpZXVtfaO8Wdna3tndM/cPOjJOBYU2jXksej6RwFkEbcUUh14igIQ+h64/vpnp3QkIyeLoQU0TcEMyjFjAKFF65ZlHjk9ENsm9LM6d6rVTxbcTL5O5Z9asujUHXiZ2QWqoQMszP51BTNMQIkU5kbJvW4lyMyIUoxzyipNKSAgdkyH0NY1ICNLN5gFyfBrEAqsR4Pn825uRUMpp6GtPSNRILmqz5X9aP1VBw81YlKQKIqotWgtSjlWMZz3gARNAFZ9qQqhg+ktMR0QQqnRbFR3fXgy7TDrndfuybt1f1JqNoogyOkYn6AzZ6Ao10R1qoTaiKEfP6A29G4/Gk/FivP5YS0Zxc4j+wPj4Bg0Pk8E=</latexit>
Ratio entre Ton y Ts Ts

D = 0.6 v̄o = 60 V
<latexit sha1_base64="AT4Jbo3WzTJRn7qpIZM/siN0cVU=">AAAB/XicbVDLSgNBEJyNrxhfq970MhgET2FXJOYiBLx4jGAekA1hdtJJhsw+mOkNhmXRn9GTqDd/wh/wb5zEHDSxTtVd1dBVfiyFRsf5snIrq2vrG/nNwtb2zu6evX/Q0FGiONR5JCPV8pkGKUKoo0AJrVgBC3wJTX90PdWbY1BaROEdTmLoBGwQir7gDM2qax95PlPpOOumUUavaNnxqIdwj2kj69pFp+TMQJeJOydFMketa396vYgnAYTIJdO67ToxdlKmUHAJWcFLNMSMj9gA2oaGLADdSWcZMnrajxTFIdDZ/NubskDrSeAbT8BwqBe16fI/rZ1gv9JJRRgnCCE3FqP1E0kxotMqaE8o4CgnhjCuhPmS8iFTjKMprGDiu4thl0njvOSWS87tRbFamReRJ8fkhJwRl1ySKrkhNVInnDySZ/JG3q0H68l6sV5/rDlrfnNI/sD6+Ab+cJTS</latexit>
En el ejemplo:
<latexit sha1_base64="f5iHUGT2HtrfxhU5YjauX1xVRAw=">AAAB6HicbZDLSsNAFIZP6q3WW9Wlm8EiuAqJSNuNUNCFywr2Am0ok+lJO3ZyYWYilNB30JWoO5/HF/BtnNYstPVffXP+f+D8x08EV9pxvqzC2vrG5lZxu7Szu7d/UD48aqs4lQxbLBax7PpUoeARtjTXAruJRBr6Ajv+5Hrudx5RKh5H93qaoBfSUcQDzqg2o84NuSKOXR2UK47tLERWwc2hArmag/JnfxizNMRIM0GV6rlOor2MSs2ZwFmpnypMKJvQEfYMRjRE5WWLdWfkLIgl0WMki/fvbEZDpaahbzIh1WO17M2H/3m9VAd1L+NRkmqMmIkYL0gF0TGZtyZDLpFpMTVAmeRmS8LGVFKmzW1Kpr67XHYV2he2W7Wdu8tKo54foggncArn4EINGnALTWgBgwk8wxu8Ww/Wk/Vivf5EC1b+5xj+yPr4BgU8i6U=</latexit>

GTE
2
Sg
1
g
S
0
-1
Generación de disparos (PWM) 0 1.2 2 4 6 8 10
Time (ms)
Por semejanza de triángulos:
vc Ton
<latexit sha1_base64="aapGan56GpZgEZWbFqZ1+eGgSMI=">AAACHHicbZBLSwMxFIUzPmt9jbp0M7UIrsqMiNaFUNCFywp9QacMmTTThmYeJHcKJcxf0T+jK187wX9j2s5CW88mJ/c7gdzjJ5xJsO1vY2V1bX1js7BV3N7Z3ds3Dw5bMk4FoU0S81h0fCwpZxFtAgNOO4mgOPQ5bfuj2ylvj6mQLI4aMEloL8SDiAWMYNAjz7x2A4GJGnuKZJlyhxjUOPOUhCxzSzduaY4bnoojzfUpc3DnmWW7Ys9kLRsnN2WUq+6Zb24/JmlIIyAcS9l17AR6CgtghNOs6KaSJpiM8IB2tY1wSGVPzVbMrNMgFhYMqTW7/84qHEo5CX2dCTEM5SKbDv9j3RSCak+xKEmBRkRHNAtSbkFsTZuy+kxQAnyiDSaC6V9aZIh1HaD7LOr1ncVll03rvOJcVuyHi3KtmhdRQMfoBJ0hB12hGrpHddREBD2hF/SBPo1H49l4Nd7n0RUjf3OE/sj4+gES1aMS</latexit>
= =D
v̂st Ts
0
+–
0 1.2 2 4 6 8 10
– Time (ms)
Portadora (Carrier)
Señal de control

GTE
Generación de disparos (PWM) 0 1.2 2 4 6 8 10

Time (ms)
Por semejanza de triángulos: 200
vs
vs, vo, vo [V]
vc Ton
<latexit sha1_base64="aapGan56GpZgEZWbFqZ1+eGgSMI=">AAACHHicbZBLSwMxFIUzPmt9jbp0M7UIrsqMiNaFUNCFywp9QacMmTTThmYeJHcKJcxf0T+jK187wX9j2s5CW88mJ/c7gdzjJ5xJsO1vY2V1bX1js7BV3N7Z3ds3Dw5bMk4FoU0S81h0fCwpZxFtAgNOO4mgOPQ5bfuj2ylvj6mQLI4aMEloL8SDiAWMYNAjz7x2A4GJGnuKZJlyhxjUOPOUhCxzSzduaY4bnoojzfUpc3DnmWW7Ys9kLRsnN2WUq+6Zb24/JmlIIyAcS9l17AR6CgtghNOs6KaSJpiM8IB2tY1wSGVPzVbMrNMgFhYMqTW7/84qHEo5CX2dCTEM5SKbDv9j3RSCak+xKEmBRkRHNAtSbkFsTZuy+kxQAnyiDSaC6V9aZIh1HaD7LOr1ncVll03rvOJcVuyHi3KtmhdRQMfoBJ0hB12hGrpHddREBD2hF/SBPo1H49l4Nd7n0RUjf3OE/sj4+gES1aMS</latexit>
100 vo
= =D vo
v̂st Ts
0
D 2 [0 1]
<latexit sha1_base64="RW96KMwxID8c2a4QjHA6xQk4wYA=">AAAB73icbZDLTsJAFIZP8YZ4Q126GSQmrkhrjLIk0YVLTOSS0EqmwylMmF6cmZqQhufQlVF3vosv4Ns4YBcK/qtvzv9Pcv7jJ4IrbdtfVmFldW19o7hZ2tre2d0r7x+0VZxKhi0Wi1h2fapQ8AhbmmuB3UQiDX2BHX98NfM7jygVj6M7PUnQC+kw4gFnVJvR/bVbcXnkVnq2SxyvX67aNXsusgxODlXI1eyXP91BzNIQI80EVarn2In2Mio1ZwKnJTdVmFA2pkPsGYxoiMrL5ltPyUkQS6JHSObv39mMhkpNQt9kQqpHatGbDf/zeqkO6l7GoyTVGDETMV6QCqJjMitPBlwi02JigDLJzZaEjaikTJsTlUx9Z7HsMrTPas5Fzbk9rzbq+SGKcATHcAoOXEIDbqAJLWAg4Rne4N16sJ6sF+v1J1qw8j+H8EfWxzcjq46d</latexit>
-100
0 1.2 2 4 6 8 10
vc
<latexit sha1_base64="Swhg5WAjM1dj6TV4Nw71d6GuuTg=">AAACInicbZBLS8NAFIUnPmt9RV26SS2Cq5KIaDdiQRcuK9gHNCFMppN26OTBzE2hhPwb/TPqRtSF4I9xmgbU1rv67j1nYM7xYs4kmOantrS8srq2Xtoob25t7+zqe/ttGSWC0BaJeCS6HpaUs5C2gAGn3VhQHHicdrzR9VTvjKmQLArvYRJTJ8CDkPmMYFAnV78au2mU2ZVLu3KjUM7Q9gUmqdpJlqX2EEM6zpQIWfbjGeWyq1fNmpmPsQhWAVVUTNPVX+x+RJKAhkA4lrJnmTE4KRbACKdZ2U4kjTEZ4QHtKQxxQKWT5kEz49iPhAFDauT7b2+KAykngac8AYahnNemx/+0XgJ+3UlZGCdAQ6IsSvMTbkBkTPsy+kxQAnyiABPB1C8NMsSqHlCtllV8az7sIrRPa9Z5zbo7qzbqRREldIiO0Amy0AVqoFvURC1E0CN6Ru/oQ3vQnrRX7W1mXdKKNwfoz2hf30WzpU8=</latexit>
Time (ms)
vo = Dvs = vs = kvc
v̂st
GTE
Elementos de convertidores DC/DC sin aislamiento
200
vo
100
v [V]
o
0
-100
0 1.2 2 4 6 8 10
Time (ms)
60
vo,k [V]
40
20
0
0 500 1000 1500 2000
Frequency (Hz)

GTE
200
vo
100
v [V]
o
0
-100
0 1.2 2 4 6 8 10
Time (ms) de alta frecuencia
Contenido
que debe ser eliminado
60
vo,k [V]
40
20
0
0 500 1000 1500 2000
Frequency (Hz)

GTE
200
vo
100
v [V]
o
0
-100
0 1.2 2 4 6 8 10
Necesidad de elementos Time (ms) de alta frecuencia
Contenido
pasivos para filtros paso bajo
que debe ser eliminado
60
L
vo,k [V]
40
C 20
0
0 500 1000 1500 2000
Frequency (Hz)

GTE
200
vo
100
vo [V]
0
-100
0 1.2 2 4 6 8 10
Necesidad de elementos Time
La (ms) del filtro elimina los
presencia
armónicos no deseados
60
L
vo,k [V]
40
C 20
0
0 500 1000 1500 2000
Frequency (Hz)

GTE
200
vo
100
vo [V]
0
-100
0 1.2 2 4 6 8 10
Necesidad de elementos Time (ms)
pasivos para filtros paso bajo 200
v1
L
100
v1 [V]
C 0
-100
0 1.2 2 4 6 8 10
Time (ms)

GTE
200
vo
100
vo [V]
0
-100
0 1.2 2 4 6 8 10
v1
L
100
v1 [V]
0
C Durante las conmutaciones se
produce picos de tensión
-100
0 1.2 2 4 6 8 10
Time (ms)

GTE
200
vo
100
vo [V]
0
-100
0 1.2 2 4 6 8 10
v1
L
100
v1 [V]
0
C Durante las conmutaciones se
produce picos de tensión
-100
0 1.2 2 4 6 8 10
Time (ms)
Necesidad de diodos de libre
circulación

GTE
200
vo
100
vo [V]
0
-100
0 1.2 2 4 6 8 10
pasivos para filtros paso bajo 200 La presencia del diodo elimina los picos
de tensión durante las conmutaciones v1
L
100
v1 [V]
C 0
-100
0 1.2 2 4 6 8 10
Time (ms)
circulación

GTE
200
vo
100
vo [V]
0
-100
0 1.2 2 4 6 8 10
60
L
vo,k [V]
40
C 20
0
0 500 1000 1500 2000
Frequency (Hz)
circulación

GTE
200
vo
100
vo [V]
0
-100
0 1.2 2 4 6 8 10
La presencia del filtro y el diodo
proporciona un comportamiento casi ideal
60
L
vo,k [V]
40
C 20
0
0 500 1000 1500 2000
Frequency (Hz)
circulación

ÍNDICE
GTE
ü Introducción
ü Principios básicos de modulación
• Comparativa

Clasificación
GTE
Topologías de convertidores DC/DC sin aislamiento
is +
vT -
iL L io is;iL L -
vd + io
+ v - +
+ L iC + vL - + iC +
vs vd C vo R vs vT C vo R
- - - -
DC/DC Reductor DC/DC Elevador
is +
vT - +
vd -
io is;iL L1 1
C1 iL L22
io
+ v - +
+
iL - L + 1 vC-
1 -
- v +
L 2 -
vs vL L C vo R vs vT vd C vo R
2
- iC + - + iC +
2
DC/DC Reductor-Elevador DC/DC Cuk

ÍNDICE
GTE
ü Introducción
ü Convertidores dc/dc sin aislamiento: Clasificación
• Comparativa

Análisis DC/DC elevador
GTE
Circuito DC/DC elevador: Modos de funcionamiento
is;iL L -
vd + io
+
vL - + iC +
vs vT C vo R
- -
Modo de Conducción Continua (MCC) Modo de Conducción Discontinua (MCD)
iL > 0 ∀t ∈ {0, Ts } iL |t=t1 = 0, t1 ∈ {0, Ts }

vg vg
t t
vL vs vL vs
t t
vs-vo
I2 vs-vo
iL=is IL iL=is
I2 IL
I1 t I1 t
Ton Ts Ton T1 Ts
GTE
is;iL L -
vd + io
+
vL - + iC +
vs vT C vo R
- -
Límite entre MCC y MCD
iL |t=Ts = 0
vg
t
vL vs
t
vs-vo
iL=is
ILB Ip
t
Ton Ts
GTE
is;iL L -
vd + io
+
vL - + iC +
vs vT C vo R
- -
vg vg vg
t t t
vL vs vL vs vL vs
t t t
vs-vo
I2 vs-vo vs-vo
iL=is IL iL=is iL=is
ILB Ip I2 IL
I1 t t I1 t
Ton Ts Ton Ts Ton T1 Ts
¿MCC o MCD?

GTE
is;iL L -
vd + io
+
vL - + iC +
vs vT C vo R
- -
vg vg vg
t t t
vL vs vL vs vL vs
t t t
vs-vo
I2 vs-vo vs-vo
iL=is IL iL=is iL=is
ILB Ip I2 IL
I1 t t I1 t
Ton Ts Ton Ts Ton T1 Ts
Si el circuito está en MCC entonces IL>ILB

GTE
Circuito DC/DC elevador: Modo de Conducción Continua (MCC)
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL
t
vs vT C vo R
- -
t
iL=is
Se asume funcionamiento en
régimen permanente t
Ton Ts

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
iL=is
is;iL L vd + io Ton Ts
-
+
vL - + diL
iC + vL = vs = L
vs vT C vo R dt
- -
0 ≤ t ≤ Ton

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2
iL=is
régimen permanente I1 t
-
+
vL - + diL
iC + vL = vs = L
vs vT C vo R dt
- -
diL vs
=
dt L
0 ≤ t ≤ Ton
iL es creciente con pendiente cte

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2
iL=is
-
+
vL - + iC +
vs vT C vo R
- -
Ton < t ≤ Ts

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is
-
+
vL - + diL
iC + vL = vs − vo = L
vs vT C vo R dt
- -
Ton < t ≤ Ts

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is
-
+
vL - + diL
vs vT C vo R dt
- -
diL vs − vo
=
dt L
Ton < t ≤ Ts
iL es decreciente con pendiente cte

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is
Ton Ts
Relación entre vs y vo

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is
¡Áreas iguales! Ton Ts
! Ts ! Ton ! Ts
dψL
vL = → 0 = ∆ψL = vL dt = vs dt + (vs −vo ) dt
dt 0 0 Ton

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is
¡Áreas iguales! Ton Ts
! Ts ! Ton ! Ts
dψL
dt 0 0 Ton
vo Ts
0 = vs Ton + (vs −vo ) (Ts −Ton ) → =
vs Ts − Ton

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is
Ton Ts
vo Ts 1
= =
vs Ts − Ton 1 − TTon
s
Ton vo 1
D= → =
Ts vs 1−D
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is
Ton Ts
Valor medio de iL

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is IL
Ton Ts
Valor medio de iL
! Ts
1
IL = iL dt
Ts 0

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is IL
Ton Ts
Valor medio de iL
! Ts
1 Área encerrada en la curva
IL = iL dt
Ts 0

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is IL
ÁIL T Ts
on
Valor medio de iL
! Ts
IL = iL dt ! " ! "
Ts 0 1 1 1
IL = Ts I1 + Ts ∆IL = I1 + ∆IL
Ts 2 2
∆IL = (I2 −I1 )
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is IL
ÁIL T Ts
on
Rizado de iL
! Ton
diL vs vs vs
vL = L → ∆IL = dt = Ton = DTs
dt 0 L L L
! Ts
diL vs −vo vs −vo vs −vo
vL = L → ∆IL = dt = (Ts −Ton ) = (1−D)Ts
dt Ton L L L
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is IL
ÁIL T Ts
on
Relación entre IL e Io
! Ts !
Se asume que los elementos
1 v s Ts
Pin = vs is dt = iL dt = vs IL
son ideales y no hay pérdidas Ts 0 Ts 0
! Ts ! Ts
Pin = Pout 1 vo
Pout = vo io dt = i0 dt = vo Io
Ts 0 Ts 0

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is IL
ÁIL T Ts
on
Se asume que los elementos v s IL = v o Io

son ideales y no hay pérdidas
vo IL 1
Pin = Pout = =
vs Io 1−D

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is IL
ÁIL T Ts
on
Rizado de v0
El rizado de la tensión de salida depende de la

evolución de la corriente en el condensador

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL
t
vs vT C vo R
- -
t
iL=is
Rizado de v0
iC
t
Ton Ts

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL
t
vs vT C vo R
- -
t
iL=is
Rizado de v0
iC
vd + t
is;iL L - io
+
vL - + iC + Ton Ts
vs vT C vo R
- -
0 ≤ t ≤ Ton
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2
iL=is
Rizado de v0
iC
vd + t
is;iL L - io
+ - -Io
vL + iC + Ton Ts
vs vT C vo R
- - iC = −io
0 ≤ t ≤ Ton
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2
iL=is
Rizado de v0
iC
vd + t
is;iL L - io
+ - -Io
vL + iC + Ton Ts
vs vT C vo R
- - iC = −io
0 ≤ t ≤ Ton
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2
iL=is
Rizado de v0
iC
vd + t
is;iL L - io
+ - -Io
vL + iC + Ton Ts
vs vT C vo R
- -
Ton < t ≤ Ts
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2
iL=is
Rizado de v0
iC
vd + t
is;iL L - io
+ - iC = iL −io -Io
vL + iC + Ton Ts
vs vT C vo R
- - Caso 1:
Ton < t ≤ Ts iC > 0 ∀t ∈ [Ton , Ts ]

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is
I2-Io
Rizado de v0
iC I1-Io
vd + t
is;iL L - io
vL + iC + Ton Ts
vs vT C vo R
- - Caso 1:
Ton < t ≤ Ts iC > 0 ∀t ∈ [Ton , Ts ]

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is
I2-Io
Rizado de v0
iC I1-Io
t
-Io
Ton Ts
Caso 1:
iC > 0 ∀t ∈ [Ton , Ts ]
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is
I2-Io
Rizado de v0
iC I1-Io
! Ts t
dQC
iC = → 0 = ∆QC = iC dt -Io
dt 0 Ton Ts
Caso 1:
¡Áreas iguales! iC > 0 ∀t ∈ [Ton , Ts ]

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is
I2-Io
Rizado de v0
iC I1-Io
! Ts t
dQC
iC = → 0 = ∆QC = iC dt -Io ¡Áreas iguales!
dt 0 Ton Ts
dvo dQC dvo Caso 1:
iC = C → =C
dt dt dt iC > 0 ∀t ∈ [Ton , Ts ]
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is
I2-Io
Rizado de v0
iC I1-Io
t
dQC dvo ¡Áreas iguales!
=C → dQC = Cdvo -Io
dt dt Ton Ts
! Ts ! Ts
Caso 1:
dQC = C dvo → ∆QC = C∆vo = 0
0 0 iC > 0 ∀t ∈ [Ton , Ts ]
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is
I2-Io ∆QC > 0
Rizado de v0
iC I1-Io
t
∆QC = C∆vo ∆QC < 0 -Io
Ton Ts
Si ∆QC > 0 → ∆vo > 0
Caso 1:
Si ∆QC < 0 → ∆vo < 0
iC > 0 ∀t ∈ [Ton , Ts ]
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is
I2-Io ∆vo > 0
Rizado de v0
iC I1-Io
t
∆QC = C∆vo ∆vo < 0 -Io
Ton Ts
Si ∆QC > 0 → ∆vo > 0
Caso 1:
Si ∆QC < 0 → ∆vo < 0
iC > 0 ∀t ∈ [Ton , Ts ]
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is
I2-Io ∆QC > 0
Rizado de v0
iC I1-Io
t
∆QC = C∆vo ∆QC < 0 -Io
∆QC Io Ton Io DTs Ton Ts
∆vo = = =
C C C Caso 1:
∆vo
Rizadopu = iC > 0 ∀t ∈ [Ton , Ts ]
vo
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2
iL=is
Rizado de v0
iC
vd + t
is;iL L - io
+ - -Io
vL + iC + Ton Ts
vs vT C vo R
- -
Ton < t ≤ Ts
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2
iL=is
Rizado de v0
iC
vd + t
is;iL L - io
vL + iC + Ton Ts
vs vT C vo R
- - Caso 2:
Ton < t ≤ Ts iC < 0 ∀t ∈ [T1 , Ts ]

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is
Rizado de v0
iC I1-Io
I2-Io
vd + t
is;iL L - io
vL + iC + Ton T1Ts
vs vT C vo R
- - Caso 2:
Ton < t ≤ Ts iC < 0 ∀t ∈ [T1 , Ts ]

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is
Rizado de v0
iC I1-Io
! Ts I2-Io
t
dQC
iC = → 0 = ∆QC = iC dt -Io
dt 0 Ton T1Ts
Caso 2:
¡Áreas iguales! iC < 0 ∀t ∈ [T1 , Ts ]

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is
Rizado de v0
iC I1-Io
! Ts I2-Io
t
dQC
iC = → 0 = ∆QC = iC dt -Io ¡Áreas iguales!
dt 0 Ton T1Ts
dvo dQC dvo Caso 2:
iC = C → =C
dt dt dt iC < 0 ∀t ∈ [T1 , Ts ]
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is
Rizado de v0
iC I1-Io
I2-Io
t
dQC dvo ¡Áreas iguales!
=C → dQC = Cdvo -Io
dt dt Ton T1Ts
! Ts ! Ts
Caso 2:
0 0 iC < 0 ∀t ∈ [T1 , Ts ]
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is
∆QC > 0
Rizado de v0
iC I1-Io
I2-Io
t
∆QC = C∆vo ∆QC < 0 ¡Áreas iguales!
-Io
Ton T1Ts
Si ∆QC > 0 → ∆vo > 0
Caso 2:
Si ∆QC < 0 → ∆vo < 0
iC < 0 ∀t ∈ [T1 , Ts ]
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is
∆vo > 0
Rizado de v0
iC I1-Io
I2-Io
t
∆QC = C∆vo ∆vo < 0 ¡Áreas iguales!
-Io
Ton T1Ts
Si ∆QC > 0 → ∆vo > 0
Caso 2:
Si ∆QC < 0 → ∆vo < 0
iC < 0 ∀t ∈ [T1 , Ts ]
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
I2 vs-vo
iL=is
∆QC > 0
Rizado de v0
iC I1-Io
I2-Io
t
∆QC = C∆vo ∆QC < 0 ¡Áreas iguales!
-Io
Ton T1Ts
Caso 2:
Ts
(T1 −Ton ) = ∆1Ts→∆vo = ∆1 (I2 −Io ) iC < 0 ∀t ∈ [T1 , Ts ]
2C
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
¡Mismo ángulo!
I2 vs-vo
iL=is
Rizado de v0
iC I1-Io
I2-Io
t
-Io
Ton T1Ts
Caso 2:
iC < 0 ∀t ∈ [T1 , Ts ]
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
¡Mismo ángulo!
I2 vs-vo
iL=is
Rizado de v0
iC I1-Io
I2-Io
t
-Io
Ton T1Ts
Caso 2:
iC < 0 ∀t ∈ [T1 , Ts ]
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
¡Mismo ángulo!
I2 vs-vo
iL=is
Rizado de v0
iC I1-Io
I2-Io
t
-Io
Ton T1Ts
∆vo Caso 2:
Rizadopu =
vo iC < 0 ∀t ∈ [T1 , Ts ]
GTE
is;iL L -
vd + io
+
vL - + iC +
vs vT C vo R
- -
régimen permanente
Selección dispositivos
• Tensión máxima soportada

• Corriente máxima que circula

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vT
vo
vd
vd + t
is;iL L - io
+
vL - + iC + Ton Ts
vs vT C vo R
- - • Tensión máxima soportada
0 ≤ t ≤ Ton
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
vo
vT
vo
vd
vd + t
is;iL L - io
+
vL - + iC + Ton Ts
vs vT C vo R
Ton < t ≤ Ts
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
vo
vT
vo
vd
t
Ton Ts

GTE
is;iL L -
vd + io
+
vL - + iC +
vs vT C vo R
- -
régimen permanente


GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC +
t
vs vT C vo R I2
iL=is
- - I1 t
I2
iT
id
I1 t
is;iL L -
vd + io
+
vL - + iC + Ton Ts
vs vT C vo R
- - • Corriente máxima que circula
0 ≤ t ≤ Ton
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC +
t
vs vT C vo R I2
iL=is
- - I1 t
I2
iT
I2
id
I1 t
is;iL L -
vd + io
+
vL - + iC + Ton Ts
vs vT C vo R
Ton < t ≤ Ts
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC +
t
vs vT C vo R I2
iL=is
- - I1 t
I2
iT
I2
id
I1 t
Ton Ts

ÍNDICE
GTE
ü Introducción
ü Modo de Conducción Continua
• Comparativa

GTE
Circuito DC/DC elevador: Modo de Conducción Discontinua (MCD)
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL
t
vs vT vo vs
C R
- - t
vs-vo
Se asume funcionamiento en iL=is
I2 IL
Tont1 Ts
Modo de Conducción Discontinua (MCD)
iL |t=t1 = 0, t1 ∈ {0, Ts }

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL
t
vs vT vo vs
C R
- - t
vs-vo
Se asume funcionamiento en iL=is
I2 IL
Tont1 Ts
Modo de Conducción Discontinua (MCD)
iL |t=t1 = 0, t1 ∈ {0, Ts }
Inicialmente la corriente en la bobina es nula

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL
t
vs vT C vo R
- -
t
iL=is
Ton Ts

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
iL=is
-
+
vL - + diL
iC + vL = vs = L
vs vT C vo R dt
- -
0 ≤ t ≤ Ton

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
iL=is
Se asume funcionamiento en I2
-
+
vL - + diL
iC + vL = vs = L
vs vT C vo R dt
- -
diL vs
=
dt L
0 ≤ t ≤ Ton iL parte de valor nulo y es creciente
con pendiente cte

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
iL=is
-
+
vL - + iC +
vs vT C vo R
- -
Ton < t ≤ Ts

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
-
+
vL - + diL
vs vT C vo R dt
- -
Ton < t ≤ Ts

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
is;iL L vd + io Ton T1 Ts
-
+
vL - + diL
vs vT C vo R dt
- -
diL vs − vo
=
dt L
Ton < t ≤ Ts

GTE
is;iL L -
vd + io vg Si iL continuara decreciendo la
+
vL - + iC + vL vs
corriente entraríat por el cátodo
del diodo
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
-
+
vL - + diL
vs vT C vo R dt
- -
diL vs − vo
=
dt L
Ton < t ≤ Ts

GTE
is;iL L -
vd + io vg Cuando iL llega a cero el diodo
+
vL - + iC + vL vs
se corta. El intervalo
t de
funcionamiento llega hasta T1
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
-
+
vL - + diL
vs vT C vo R dt
- -
diL vs − vo
=
dt L
Ton < t ≤ T1

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
-
+
vL - + iC + vL = 0
vs vT C vo R
- -
T1 < t ≤ Ts

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
-
+
vL - + iC + vL = 0
vs vT C vo R
- -
diL
=0
dt
T1 < t ≤ Ts
iL es nula durante todo el intervalo

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
Ton T1 Ts

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
¡Áreas iguales! Ton T1 Ts
! Ts ! Ton ! T1
dψL
dt 0 0 Ton

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
¡Áreas iguales! Ton T1 Ts
! Ts ! Ton ! T1
dψL
dt 0 0 Ton
vo T1
0 = vs Ton + (vs −vo ) (T1 −Ton ) → =
vs T1 − Ton

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
Ton T1 Ts
vo T1
=
vs T1 − Ton
vo D + ∆1
Ton = DTs ; (T1 − Ton ) = ∆1 Ts → =
vs ∆1
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
Ton T1 Ts
Valor medio de iL

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
Se asume funcionamiento en I2 IL
Ton T1 Ts
Valor medio de iL
! Ts
1
IL = iL dt
Ts 0

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
Ton T1 Ts
Valor medio de iL
! Ts
IL = iL dt
Ts 0

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
ÁIL Ton T1 Ts
Valor medio de iL
! Ts
IL = iL dt
Ts 0 1 1 1
IL = T1 ∆IL = (D + ∆1 ) ∆IL
Ts 2 2
T1 = (D + ∆1 ) Ts
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
ÁIL Ton T1 Ts
Rizado de iL
! Ton
diL vs vs vs
vL = L → ∆IL = dt = Ton = DTs
dt 0 L L L
! T1
diL vs −vo vs −vo vs −vo
vL = L → ∆IL = dt = (T1 −Ton ) = ∆1 Ts
dt Ton L L L
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
ÁIL Ton T1 Ts
! Ts !
Se asume que los elementos
1 v s Ts
Pin = vs is dt = iL dt = vs IL
son ideales y no hay pérdidas Ts 0 Ts 0
! Ts ! Ts
Pin = Pout 1 vo
Pout = vo io dt = i0 dt = vo Io
Ts 0 Ts 0

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
ÁIL Ton T1 Ts
Se asume que los elementos v s IL = v o Io

son ideales y no hay pérdidas
vo IL D + ∆1
Pin = Pout = =
vs Io ∆1

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
ÁIL Ton T1 Ts
Rizado de v0
El rizado de la tensión de salida depende de la

evolución de la corriente en el condensador

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL
t
vs vT C vo R
- -
t
iL=is
Rizado de v0
iC
t
Ton Ts

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL
t
vs vT C vo R
- -
t
iL=is
Rizado de v0
iC
vd + t
is;iL L - io
+
vL - + iC + Ton Ts
vs vT C vo R
- -
0 ≤ t ≤ Ton
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
iL=is
Rizado de v0
iC
vd + t
is;iL L - io
-Io
+ -
vL + iC + Ton Ts
vs vT C vo R
- - iC = −io
0 ≤ t ≤ Ton
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
iL=is
Rizado de v0
iC
vd + t
is;iL L - io
-Io
+ -
vL + iC + Ton Ts
vs vT C vo R
- - iC = −io
0 ≤ t ≤ Ton
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
Rizado de v0
iC
I2-Io -Io
vd + t
is;iL L - io
-Io
+ -
vL + iC + Ton T3 T1 Ts
vs vT C vo R
- -
Ton < t ≤ T1
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
Rizado de v0
iC
I2-Io -Io
vd + t
is;iL L - io
vs vT C vo R
- -
Ton < t ≤ T1
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
Rizado de v0
iC
I2-Io -Io
vd + t
is;iL L - io
vs vT C vo R
- -
Ton < t ≤ T1
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
Rizado de v0
iC
I2-Io -Io
vd + t
is;iL L - io
-Io -Io
+ -
vs vT C vo R
- -
T1 < t ≤ Ts
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
Rizado de v0
iC
I2-Io -Io
vd + t
is;iL L - io
-Io -Io
+ -
vs vT C vo R
- - iC = −io
T1 < t ≤ Ts
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
Rizado de v0
iC
I2-Io -Io
vd + t
is;iL L - io
-Io -Io
+ -
vs vT C vo R
- - iC = −io
T1 < t ≤ Ts
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
Rizado de v0
iC
I2-Io -Io
t
-Io -Io
Ton T3 T1 Ts

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
Rizado de v0
iC
I2-Io -Io
! Ts t
dQC -Io -Io
iC = → 0 = ∆QC = iC dt
dt 0 Ton T3 T1 Ts
¡Áreas iguales!

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
Rizado de v0
iC
I2-Io -Io
! Ts t
dQC -Io -Io
iC = → 0 = ∆QC = iC dt ¡Áreas iguales!
dt 0 Ton T3 T1 Ts
dvo dQC dvo
iC = C → =C
dt dt dt

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
Rizado de v0
iC
I2-Io -Io
t
dQC dvo -Io -Io ¡Áreas iguales!
=C → dQC = Cdvo
dt dt Ton T3 T1 Ts
! Ts ! Ts
0 0

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
∆QC > 0
Rizado de v0
iC
I2-Io -Io
t
∆QC = C∆vo ∆QC < 0 -Io -Io
Ton T3 T1 Ts
Si ∆QC > 0 → ∆vo > 0
Si ∆QC < 0 → ∆vo < 0

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
∆vo > 0
Rizado de v0
iC
I2-Io -Io
t
∆QC = C∆vo ∆vo < 0 -Io -Io
Ton T3 T1 Ts
Si ∆QC > 0 → ∆vo > 0
Si ∆QC < 0 → ∆vo < 0

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
iL=is
∆QC > 0
Rizado de v0
iC
I2-Io -Io
t
∆QC = C∆vo ∆QC < 0 -Io -Io
1
(T −T )(I −I ) Ton T3 T1 Ts
∆QC 3 on 2 o
∆vo = = 2
C C
∆3 Ts (I2 −Io )
(T3 −Ton ) = ∆3 Ts → ∆vo =
2C
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo ¡Mismo ángulo!
iL=is
Rizado de v0
iC
I2-Io -Io
t
I2 I2 − Io -Io -Io
tg θ = = Ton T3 T1 Ts
T1 − Ton T3 − Ton
∆IL I2 − Io
tg θ = =
∆1 Ts ∆3 Ts

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
iL=is
Rizado de v0
iC
I2-Io -Io
t
(I2 − Io ) ∆1 -Io -Io
∆3 =
∆IL Ton T3 T1 Ts
2
Ts (I2 − Io )
∆vo = ∆1
2C ∆IL

GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
iL=is
Rizado de v0
iC
I2-Io -Io
t
2
Ts (I2 − Io ) -Io -Io
∆vo = ∆1 Ton T3 T1 Ts
2C ∆IL
∆vo
Rizadopu =
vo

GTE
is;iL L -
vd + io
+
vL - + iC +
vs vT C vo R
- -
régimen permanente


GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vT
vd vo
vd + t
is;iL L - io
+
vL - + iC + Ton T1 Ts
vs vT C vo R
0 ≤ t ≤ Ton
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
vT vo
vd vo
vd + t
is;iL L - io
+
vs vT C vo R
Ton < t ≤ T1
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
vT vo
Se asume funcionamiento en vs
vd vo
Selección dispositivos vo-vs
vd + t
is;iL L - io
+
vs vT C vo R
T1 < t ≤ Ts
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC + vL vs
t
vs vT C vo R
- -
t
vs-vo
vT vo
Se asume funcionamiento en vs
vd vo
Selección dispositivos vo-vs
t
Ton T1 Ts

GTE
is;iL L -
vd + io
+
vL - + iC +
vs vT C vo R
- -
régimen permanente


GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC +
t
vs vT C vo R iL=is
- - I2
I1 t
iT
id
I1 t
is;iL L -
vd + io
+
vs vT C vo R
0 ≤ t ≤ Ton
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC +
t
vs vT C vo R iL=is
- - I2
I1 t
iT
id
I2
I1 t
is;iL L -
vd + io
+
vs vT C vo R
Ton < t ≤ T1
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC +
t
vs vT C vo R iL=is
- - I2
I1 t
iT
id
I2
I1 t
is;iL L -
vd + io
+
vs vT C vo R
T1 < t ≤ Ts
GTE
is;iL L -
vd + io vg
+
vL - + iC +
t
vs vT C vo R iL=is
- - I2
I1 t
iT
id
I2
I1 t
Ton T1 Ts

ÍNDICE
GTE
ü Introducción
ü Análisis detallado del convertidor dc/dc elevador
ü Modo de Conducción Discontinua
• Relación entrada-salida en MCC para otras topologías
• Comparativa

GTE
Relación entrada-salida en MCC para otras
topologías
Circuito DC/DC reductor: Modo de Conducción Continua (MCC)
is +
vT -
iL L io
+ v -
+ L iC +
vs vd C vo R
- -
Ton vo
D= → =D
Se asume funcionamiento en Ts vs
régimen permanente

GTE
topologías
Circuito DC/DC reductor-elevador: Modo de Conducción Continua (MCC)
is +
vT - +
vd -
io
+
iL -
vs vL L C vo R
- iC +
régimen permanente

GTE
topologías
Circuito DC/DC cuk: Modo de Conducción Continua (MCC)
is;iL L1
1
C1 iL L2 2
io
+ v - +
L +1 vC- 1 -
- v +
L 2 -
vs vT vd C vo R
2
- + iC +
2
régimen permanente

ÍNDICE
GTE
ü Introducción
ü Clasificación
ü Análisis detallado del convertidor dc/dc elevador
ü Modo de Conducción Discontinua
ü Relación entrada-salida en MCC para otras topologías
ü Convertidor dc/dc reductor
ü Convertidor dc/dc reductor-elevador
ü Convertidor cúk
• Comparativa

Comparativa
GTE
id iL id
io id iL
L io
L L
iC vL iC
Vo Vd Vd vL Vo
Vd C R Vo iL C R
C R
iC io
Id Id Id
IC IC
IC
0 0
0
Convertidor Reductor-
Convertidor Reductor:
Convertidor Elevador: Elevador: Vo=VdD/(1-D); Id=
Vo=DVd; Io=IL=Id/D
Vo=Vd/(1-D); Id=IL=Io/(1-D) IoD/(1-D); IL=Io/(1-D)
C1
Id iL1 iL2
L1
L2
id vL1 vL2
Convertidor de Cùk:
C2
IC
Vd
R Vo Vo=VdD/(1-D);
0
iC
io
Id= IL1=IoD/(1-D); IL2=Io

CONVERTIDOR Bidireccional GTE
I1 iL I1 iL
I2 I2
S1 L L
D1
D2 V2 S2 V2
V1 V1
Convertidor Reductor: V2<V1 Convertidor Elevador: V2<V1

I1 iL
S1 I2
L
Ojo, si se cierran a
D1 D2 S2 V2 la vez los dos
V1
interruptores se
produce un
cortocircuito
Convertidor Reductor-Elevador (Bidireccional):

V2<V1

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