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Ingeniería de Mecatrónica
D D
EL MOSFET DE POTENCIA
G G
S S
Canal N Canal P
Conducción debida Conducción
a electrones debida a huecos
- Curvas de salida
ID
D ID [mA]
+ VGS = 4,5V
G VDS 4
+ S -
EL MOSFET DE POTENCIA
VGS = 4V
VGS
- 2 VGS = 3,5V
Referencias normalizadas VGS = 3V
VGS = 2,5V VDS [V]
0 2 4 6
VGS < VTH = 2V
- Curvas de entrada:
No tienen interés (puerta aislada del canal)
Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulación
• Zonas de trabajo
ID [mA]
ID
VGS = 4,5V
2,5K 4
VGS = 4V
D
+
2 VGS = 3,5V
G VDS
S - 10V VGS = 3V
+
EL MOSFET DE POTENCIA
S G D D
N+ N+
G
P-
S
+
Substrato
Estructura de los MOSFETs de Potencia
n+ n+ n+ p
p n-
n-
n+ S
n+ G
Drenador
Drenador Estructura en
trinchera D
Estructura planar
(D MOS) (V MOS)
Encapsulados de MOSFETs de Potencia
RDS(on)=9,4m, ID=12A
RDS(on)=12m, ID=57A
RDS(on)=3.4m, ID=90A
Características fundamentales de los MOSFETs de potencia
la fuente) y el drenador.
• Se mide con la puerta cortocircuitada a la fuente. Se especifica a qué pequeña
circulación de corriente corresponde (por ejemplo, 0,25 mA)
1ª Máxima tensión drenador-fuente
30 V 150 V 600 V
Ejemplo de 45 V 200 V 800 V
clasificación 55 V 400 V 1000 V
60 V
80 V
2ª Máxima corriente de drenador
A 100ºC, ID=23·0,7=16,1A
3ª Resistencia en conducción
MOSFET de 1984
EL MOSFET DE POTENCIA
D
Cdg D
Cdg
Coss
G Cds
S G Cds
Ciss Cgs S
Cgs
5ª Velocidad de conmutación
• Ejemplo de información de los fabricantes
EL MOSFET DE POTENCIA
• En la carga de C:
- Energía perdida en R = 0,5CV12
V1 R - Energía almacenada en C = 0,5CV12
EL MOSFET DE POTENCIA
C
• En la descarga de C:
- Energía perdida en R = 0,5CV12
IL
Cdg
Cds V2
V1 R
Cgs
5ª Velocidad de conmutación
• Situación de partida:
- Transistor sin conducir (en bloqueo) y diodo en conducción
- Por tanto: vDG = V2, vDS = V2 y vGS = 0
iDT = 0 y iD = IL
- En esa situación, el
interruptor pasa de “B” a “A”
IL
EL MOSFET DE POTENCIA
iD
vDG
+ iDT
Cdg + +
- +
- V2
A - vDS
V1 R + Cds -
B
vGS Cgs
-
5ª Velocidad de conmutación
• iDT = 0 hasta que vGS = VGS(TO)
vGS • vDS = V2 hasta que iDT = IL
BA
VGS(TO)
Pendiente determinada
vDS por R, Cgs y por Cdg(V2)
EL MOSFET DE POTENCIA
IL
iDT IL iD
vDG
+ iDT
Cdg + +
- +
A - - vDS V2
V1 R + + Cds -
B
vGS -
Cgs
-
5ª Velocidad de conmutación
• La corriente que da V1 a través de R se
vGS emplea fundamentalmente en descargar
BA Cdg prácticamente no circula
vDS
EL MOSFET DE POTENCIA
IL
iDT IL
vDG
+ iDT
Cdg + +
- +
A - - vDS V2
V1 R + + Cds -
B
vGS -
Cgs
-
5ª Velocidad de conmutación
• Cgs y Cdg se continúan
vGS V1
BA
Constante de tiempo determinada
VGS(TO) por R, Cgs y por Cdg(V1)
vDS
EL MOSFET DE POTENCIA
IL
iDT IL
vDG
+ iDT
Cdg -
+
- +
A vDS V2
V1 R + + Cds -
B
vGS -
Cgs
-
5ª Velocidad de conmutación
vGS V1
BA
VM
VGS(TO) • Valoración de pérdidas entre t0 y t2:
entre t1 y t2
iDT iDT
IL
iDT
Cdg + + +
t 0 t1 t 2 t3
- -
PVI vDS V2
+ + Cgs Cds -
vGS -
-
5ª Velocidad de conmutación
• Valoración de pérdidas entre t2 y t3:
vGS V1 - Hay que descargar Cds hasta 0 e
BA
VM invertir la carga de Cdg desde V2-VM
VGS(TO)
hasta -VM
vDS - Hay convivencia tensión corriente
entre t2 y t3
iCdg+iCds+IL
EL MOSFET DE POTENCIA
IRF 540
VDS VGS
90%
10%
EL MOSFET DE POTENCIA
td on tr td off tf iDT
RD
td on : retraso de encendido
D
+
tr : tiempo de subida RG vDS
G
td off : retraso de apagado + + S -
tf : tiempo de bajada vGS
-
5ª Velocidad de conmutación
IRF 540
EL MOSFET DE POTENCIA
iDT
RD
td on : retraso de encendido
D
+
tr : tiempo de subida RG vDS
G
td off : retraso de apagado + + S -
tf : tiempo de bajada vGS
-
Pérdidas en un MOSFET de potencia
vGS
iDT
Pérdidas en
conducción Woff
Pérdidas en un MOSFET de potencia
vGS V1 R
Circuito teórico
iV1 Qdg
EL MOSFET DE POTENCIA
Qgs
iV1
t0 t2 t3 V1
Qg
RB
PV1 = V1QgfS
Circuito real
El diodo parásito de los MOSFETs de potencia
IRF 540
EL MOSFET DE POTENCIA
G
S
El diodo parásito de los MOSFETs de potencia