Transistor de efecto de campo

FET
 Símbolos

FET canal-n FET canal-p

 Características Generales
Son dispositivos de estado sólido
Tienen tres terminales denominados:
Drenador
Puerta
Fuente o surtidor

Es el campo eléctrico el que controla el flujo de

Cargas, por ello son dispositivos gobernados
por tensión
La corriente de puerta es prácticamente nula
en funcionamiento Normal
 Características
1. Su operación depende del flujo de portadores mayoritarios
solamente.
2. Es más sencillo de fabricar y ocupa menos espacio en forma
integrada.
3. Exhibe una gran resistencia de entrada, típicamente de
muchos megaOhms.
4. Es menos ruidosa que el transistor bipolar.
5. No exhibe voltaje offset a corriente de drenaje cero, y por
tanto lo hace un excelente recortador de señales.
Según en que región de polarización se
encuentren, funcionan como:
Resistencias controladas por tensión
Amplificadores de corriente ó tensión
Fuentes de corriente
Interruptores lógicos y de potencia

Utilizan un solo tipo de portadores de carga,

(Por eso se llaman también unipolares):
Electrones si son de canal N
Huecos si son de canal P
 Clasificaciones de los
Transistores FET
Canal N
JFET
Canal P
FET

MOSFET Decremental Canal N

Incremental Canal P
MOSFET: Trans. de efecto de campo de metal-oxido-semiconductor
 Analogía entre Transistores Bipolar y
transistores FET

Colector Drenador
Emisor Surtidor
Base Compuerta
 Construcción
El FET consiste de una región de tipo n la cual tiene es su parte media dos
regiones de tipo p. Una terminal de la región n se llama Fuente (Sourse) y la
opuesta Drenaje (Drain). Las regiones tipo p están conectadas. La terminar de
las regiones p se llama Compuerta (Gate).
Drenaje (D)

Contactos óhmicos

Canal-n

p n p
Compuerta (G)

Región de
agotamiento

Fuente (S)
 VGS = 0 y VDS > 0

D +
Región de
ID
agotamiento
VDS

G
VDD
p n p

S IS -
Potencial dentro de FET
 Nivel de saturación
Voltaje de estrechamiento VP (pinch-off)
Para VDS>VP en FET tiene características de
fuente de corriente con ID = IDSS.
 VGS < 0

El nivel de VGS que da como

resultado ID = 0 mA se
encuentra definido por VGS
= VP siendo VP un valor
negativo para los
dispositivos de canal-n y un
voltaje positivo para los
FET de canal-p.
Polarización para VGS = -1 voltios
Características de FET de canal-n
 Resistor controlado por voltaje
La pendiente de las curvas en la región óhmica es función del
voltaje VGS, por tanto es un resistor controlado por voltaje.

ro
rd 
1 - VGS / VP 
2

Donde ro es la resistencia con VGS = 0.

 Dispositivos de canal-p

Los voltajes de las fuentes

se invierten para el FET de
canal-p.
Las corrientes se definen
sentido contrario.
 Características del FET canal-p
La corriente en la región de ruptura está limitada solo por el
circuito externo.
Resumen
Características de transferencia
La relación entre ID y VGS está definida por la ecuación de
Shockley.

2
 VGS 
I D  I DSS 1 - 
 VP 

Las características de transferencia definidas por esta ecuación no

se ven afectadas por la red en la cual se utiliza el dispositivo.
Característica de Transferencia universal de un JFET

ID = 0 cuando VGS = VGS (corte)

ID = IDSS/4 cuando VGS = 0,5VGS (corte)
ID = IDSS/2 cuando VGS = 0,3VGS (corte)
ID = IDSS cuando VGS = 0
Dada la familia de curvas de característica de drenaje, construya la característica de
transferencia del JFET de canal n,
La gráfica muestra que existe una relación parabólica entre ID y VGS.

En resumen cuando VGS = 0 V, ID = ID =I DSS y cuando VGS = Vp , ID = 0 ma

 Aplicaciones de la ecuación de
Shockley
2
 VGS 
I D  I DSS 1 - 
 VP 

Para las curvas anteriores podemos obtener:

I D  I DSS |VGS 0V

Con VGS = VP
ID = 0
Con VGS = -1 V
 -1 
2 2
 1
I D  I DSS 1 -   8mA1 -   4.5mA
 -4  4
La relación inversa de la ecuación de Shockley se obtiene con
facilidad

 ID 
VGS  VP 1 - 

 I Dss 

Para ID = 4.5 mA, IDSS = 8 mA y VP = -4 V, se obtiene

 4.5 
VGS  -41 -   -1V
 8 
 Método manual rápido
Tomando VGS = VP/2 se obtiene un valor para ID = IDSS/4
Con ID = IDSS / 2 se obtiene un valor para VGS = VP ( 0.293)
Más los puntos VGS = 0, ID = IDSS, y VGS = VP , ID = 0.
 Ejemplos
1. Trazar la curva definida por IDSS = 12 mA y VP = -6V
2. Trazar la curva para un FET de canal-p definida por IDSS = 4
mA y VP = 3V
Hojas de especificación
Valores máximos
Área de operación
Comparación con el BJT
ID = IDSS(1 – VGS/VP)2 IC = bIB
ID = IS IE = IC
IG = 0 VBE = 0.7V
 Transconductancia de un JFET

g m0 corresponde al valor medido

Con VGS = 0 voltios g m0 = 2IDSS/| VGS(corte) |
POLARIZACION DEL JFET

AUTOPOLARIZACION

Análisis en CC
Determinación Gráfica
La solución gráfica, resulta de la
intercepción de la característica de
Transferencia con la recta de
polarización, cuya pendiente es -1/Rs
Configuración de Autopolarización:

Método
Gráfico: 1. Trazar Curva de
Transferencia
2. Localizar dos puntos:
Para ID= 0A y
para ID = IDSS/2

VGS=-IDRS
Autopolarización

Calcular:
- VGSQ
- IDQ
- VDS
- VD
- VG
- VS
 Polarización del FET
 POLARIZACIÓN FIJA

a) Amplificador en conf. SC b)Análisis en CC

con polarización fija
La solución gráfica, resulta de la
intercepción de la característica de
Transferencia con la recta de
polarización (Recta vertical VGSQ = - VGG
 MOSFET de tipo decremental

No existe conexión
eléctrica entre la
compuerta y el canal de
MOSFET.
Se debe a la capa
aislante SiO2 explica la
alta impedancia de
entrada.
 Operación básica

Aplicando 0V entre
compuerta y fuente, se
obtiene una corriente IDSS
entre drenaje y fuente.
Características de transferencia
Reducción de portadores libre sen el canal debido al potencial
negativo en la terminal de la compuerta.

Si aplicamos un potencial positivo en la compuerta, se atraerán

nuevos portadores desde el sustrato lo cual incrementará la
corriente (región incremental).
Ejemplo
 MOSFET de tipo decremental de
canal-p
Las corrientes y voltajes se invierten respecto al de cana-n.
Símbolos
Hojas de datos
 MOSFET de tipo incremental
El MOSFET de tipo incremental se diferencia del decremental en
que no tiene canal entre la fuente y el drenaje, solo tiene sustrato.
 Funcionamiento
Al aplicar un voltaje positivo entre compuerta y drenaje se
inducirá carga negativa en la región cercana a la capa de óxido,
produciendo un canal de portadores n. El voltaje necesario para
producir este canal se llama voltaje umbral VT (threshold)
 Voltaje de saturación
Si se mantiene VGS constante y se aumenta VDS se llegará a tener
un estrechamiento en el canal inducido.

El voltaje de saturación está

dado por:
VDSsat = VGS – VT
Curvas características
 Característica corriente voltaje
Laq característica corriente voltaje en un MOSFET de tipo
incremental esta dada por:
ID = k(VGS – VT)2
El valor de k depende del fabricante y puede calcularse de:
k = IDencendido / (VGSencendido – VT)2
Donde los valores de encendido son dados para un punto particular
de las curvas del MOSFET.
Para las curvas anteriores si IDencendido = 10 mA y VGSencendido = 8 V,
entonces
ID = 0.278(VGS – VT)2
Con VGS = 4V, se encuentra ID = 1.11 mA
Características de transferencia
Símbolos
Especificaciones