Universidad Nacional Autónoma de

México

Facultad de Ingeniería

División de Ingeniería Eléctrica

Semestre 2023-1

Laboratorio: Dispositivos Electrónicos

Práctica No. 9

Nombre de la práctica: El transistor de efecto de campo

metal-óxido-semiconductor (MOSFET). Circuitos de polarización.

Nombre del profesor: Ing. J. Héctor Murillo Quintero

Grupo: 07

Fecha de realización de la práctica: 24 de noviembre de 2022

Fecha de entrega: 1 diciembre de 2022.

Integrantes:

● Robles Jiménez Marco Antonio

● Ruiz Aguilar Cristian Jair

Objetivo

Analizar, diseñar, e implementar distintas configuraciones de polarización de un

MOSFET.

Introducción

El transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo de tres terminales que se

utiliza en varias aplicaciones que coinciden, en gran medida, con las del transistor
BJT. Aun cuando existen diferencias importantes entre los dos tipos de dispositivos,
también hay muchas semejanzas. Las diferencias principales entre los dos tipos de
transistor radican en el hecho de que: El transistor BJT es un dispositivo controlado
por corriente, como se ilustra en la figura, en tanto que el transistor JFET es un
dispositivo controlado por voltaje. Así como hay transistores bipolares npn y pnp,
también existen transistores de efecto de campo de canal n y de canal p. Sin
embargo, es importante tener en cuenta que el transistor BJT es un dispositivo
bipolar; el prefijo “bi” indica que el nivel de conducción es una función de dos
portadores de carga, electrones y huecos. El FET es un dispositivo unipolar que
depende no sólo tanto de la conducción de electrones (canal n) como de la
condición de huecos (canal p). Para el FET las cargas presentes establecen un
campo eléctrico, el cual controla la ruta de conducción del circuito de salida sin que
requiera un contacto directo entre las cantidades de control y las controladas.

Uno de las características más importantes del FET es su alta impedancia de

entrada. Las ganancias de voltaje de ca típicas para amplificadores de BJT son
mucho mayores que para los FET.

Los FET son más estables a la temperatura que los BJT, y en general son más
pequeños que los BJT, lo que los hace particularmente útiles en chips de circuitos
integrados (CI).

El transistor de efecto de campo se emplea en conmutación formando parte de los

circuitos integrados, gracias a que ocupa una minúscula superficie de silicio y a la
insignificante potencia que consume en conmutación. Estos factores combinados
permiten integrar hasta miles de estos transistores en una sola pastilla sin grandes
limitaciones de disipación de calor, a lo que se suma la relativa sencillez del proceso

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de fabricación de los circuitos integrados con estos dispositivos. Igualmente las
resistencias de estos circuitos se realizan mediante transistores de efecto de campo
convenientemente polarizados, ganándose así todavía más espacio.

El E-MOSFET está disponible en versiones de

baja potencia y alta potencia. Opera solo en modo
de mejora (primer cuadrante). La construcción de
la versión de baja potencia es similar a la del
DE-MOSFET pero con una distinción importante.

En el E-MOSFET, el material P se extiende hacia arriba a través del canal y hasta la

capa aislante de la puerta. Esto tiene el efecto de evitar el flujo de corriente con
voltajes negativos de fuente de compuerta aplicados. En consecuencia, a veces se
hace referencia a los E-MOSFET como dispositivos normalmente apagados. De
hecho, el E-MOSFET no conducirá si VGS es cero, o incluso para pequeños valores
positivos de VGS. Los materiales P y N crean funcionalmente colinas de energía o
barreras que impiden el flujo de corriente a través del canal. Esto se puede
comparar con un BJT NPN que tiene un terminal de base abierta: ninguna corriente
de colector fluiría (a menos que la tensión colector-emisor excediera el límite de
ruptura).

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Trabajo de laboratorio

● Actividad 1:

Diagrama Circuito

Recta de carga

Utilizando una resistencia RD = 1MΩ, se obtuvieron los siguientes voltajes de salida:

VGS ID Vout

0 [V] 0 [A] 605 [mV]

4.5 [V] 20.9 [mA] 566 [mV]

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 ● Actividad 2:

Diagrama Circuito

Con los valores propuestos, se pudo observar que el punto de operación del
transistor se encuentra en Q( 3.04V, 17[mA] ).

De acuerdo a las curvas características del transistor MOSFET, éste se encontraría

en la región de triodo.

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 ● Actividad 3:

Diagrama Circuito

Para que el circuito funcione de forma apropiada, se observó que las siguientes
resistencias cumplían con las siguientes condiciones:

● 𝑉𝐺 = 2. 3V

● 𝑉𝐷𝐷 = 12V

● 𝑅1 = 1𝑀Ω

● 𝐼𝐷 = 81. 1𝑚𝐴

● 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐺𝑆

Resistencias:

➢ 𝑅2 = 57𝑘Ω

➢ 𝑅3 = 140Ω

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Conclusiones

Robles Jimenez Marco Antonio: Durante la presente práctica se llevó a cabo el

diseño e implementación de ciertos circuitos de polarización de los Transistores de
Efecto de Campo. Se determinaron voltajes de salida para diversas entradas de VGS.
Asimismo se determinó un punto de polarización “Q” para algunos otros circuitos
polarizados. Por lo anterior puedo mencionar que los objetivos de la práctica se
cumplieron de manera correcta.

Ruiz Aguilar Cristian Jair: los objetivos de la práctica se cumplieron. El transistor

MOSFET es conveniente para ciertos tipos de circuitos, ya que su principal función
es la de controlar la corriente a través del voltaje. Es importante conocer su
naturaleza y los valores umbrales a los que trabaja, pues a partir de ellos es que se
pueden aprovechar sus características. Las zonas de operación pueden dar entrada
a usar de mejor manera un MOSFET.

Referencias

Neimen, Donald. Microelectronics circuit analysis 4 design. Mc Graw Hill (2010).