 Resistencia de CA de drenaje a fuente, con la curva de las características del drenaje se

aprendió que por el encima del punto de estrangulamiento, la corriente en el drenaje

es relativamente constante dentro de un intervalo de voltaje de drenaje a fuente.

Las hojas de datos amenudeo se especifican en este parámetro en función de las

conductancias de salida, Gos o de la admitancia de salida, Yos, con Vgs=0V.

 Resistencia y capacitancia de entrada, lo que hace que la resistencia de entrada en la

compuerta sea muy alta.

Las hojas de datos de el transistor 2N5457 que aparece en la figura 8-15 incluyen Lgss
máxima de -1.0 n A con Vgs=-15 Va 25ºC. Lgss se incrementa con la temperatura de tal
suerte que la resistencia de entrada se reduce.

 Transconductancia en directa de un JEET, La transconductancia en directa es el cambio

de la corriente en el drenaje correspondiente a un cambio dado del voltaje entre
compuerta y fuente, con el voltaje entre drenaje y fuente constante.

Las hojas de datos normalmente da el valor de Gm medido con Vgs=0V (Gmo), (JFET)
2N5457 especifica una Gm0 mínima de 1000 umhos el mho es la misma unidad que el
siemens (s) con VDS =15V.

 Características de transferencia universal de un JFET, se aprendió que un intervalo de

valores de V GS desde 0 hasta V GS (CORTE) controla la cantidad de corriente en el
drenaje.
Las hojas de datos parcial JFET 2N 5459 indica que en general L DSS =9 m A Y V GS
(CORTE) =-8 V (máximo).
CUAD RO
 Comparación de voltaje de estrangulamiento y el voltaje de corte, como se ha visto
existe una diferencia entre los voltaje de estrangulamiento y de corte. El voltaje de
estrangulamiento V p es el valor de V DS al cual la corriente en el drenaje devuelve
constante igual a L DSS y siempre se mide con V GS =OV. no obstante, el estrangula
miento ocurre con valores de V DS menores que V P cuando V GS no es cero.

UNA HOJAS DE DATOS normalmente dará V GS (corete) o V P, más no ambos sin

embargo, cuando se conoce uno, se tienen el otro.

 Voltaje de corte, El valor de V GS que hace I D sea aproximadamente cero es el voltaje

de corte.
 Voltaje de estrangulamiento, con V GS =0, el valor de V DS al cual L D se vuelve
esencialmente constante, es el voltaje de estrangulamiento, V P . para un JFET dado, V
P tiene un valor fijo como se puede ver, un incremnto continuo de V DS por encima
del voltaje de estrangulamiento produce una corriente casi constante en el drenaje.

EL MOSFET, es otra categoría de transistor de efecto de campo, el MOSFET diferente

del JFET, no tiene una estructura de unión Pn, en cambio la compuerta del MOSFET
está aislada del canal mediante una capa de bióxido de silicio.
Caracteriticas y parámetros
Características de transferencia de un D-MOSFET, puede operar con voltaje positivo o
negativo en la compuerta. Esto se indica en las curvas de características de
transferencia generales.

Precauciones de manejo, todo los dispositivos MOS son propenso a sufrir daños a
consecuencias de descargas electrostática. Debido a que la compuerta de un MOSFET
esta aislada del canal, la resistencia de salida es extremadamente alta.