Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
Semiconductor
D D
EL MOSFET DE POTENCIA
G G
S S
Canal N Canal P
Conducción debida Conducción
a electrones debida a huecos
Vgs 4 8 12 16 20 24
Id 0 0,4 1,6 3,6 6,4 10
Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulación
- Curvas de salida
ID
D ID [mA]
+ VGS = 4,5V
G VDS 4
+ S -
EL MOSFET DE POTENCIA
VGS = 4V
VGS
- 2 VGS = 3,5V
Referencias normalizadas VGS = 3V
VGS = 2,5V VDS [V]
0 2 4 6
VGS < VTH = 2V
- Curvas de entrada:
No tienen interés (puerta aislada del canal)
Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulación
• Zonas de trabajo
ID [mA]
ID
VGS = 4,5V
2,5K 4
VGS = 4V
D
+
2 VGS = 3,5V
G VDS
S - 10V VGS = 3V
+
EL MOSFET DE POTENCIA
S G D D
N+ N+
G
P-
S
+
Substrato
Ejercicios. MOSFET de deplexión igual a
JFET….junction field effect transistor
ejercicio
Vgsoff==Vpinch off
idss
Ejercicios. Mosfet Empobrecimiento
Vg
Solucion
Segundo se hace la malla de entrada del
MOSFET empobrecimiento
Vg
Vg= Vgs+Id*Rs
Ejercicio de Mosfet de
enriquecimiento
Solución:
Vgs 3 4 5 6
Id 0 0,44 1,76 4 mA
Clave la polarización del
MOSFET
Solución
Continuamos la solución
seguimos
RDS(on)=9,4m, ID=12A
RDS(on)=12m, ID=57A
RDS(on)=3.4m, ID=90A
Aplicaciones: Trimmer
Aplicaciones
Características fundamentales de los MOSFETs de potencia
la fuente) y el drenador.
• Se mide con la puerta cortocircuitada a la fuente. Se especifica a qué pequeña
circulación de corriente corresponde (por ejemplo, 0,25 mA)
1ª Máxima tensión drenador-fuente
30 V 150 V 600 V
Ejemplo de 45 V 200 V 800 V
clasificación 55 V 400 V 1000 V
60 V
80 V
2ª Máxima corriente de drenador
A 100ºC, ID=23·0,7=16,1A
3ª Resistencia en conducción