Está en la página 1de 4

1

Transistores de Potencia
Oswaldo Noles
Universidad Politécnica Salesiana
jnoles@est.ups.edu.ec

Resumen—En la Electrónica de Potencia hay dispositivos


electrónicos semiconductores utilizados para entregar una señal
de salida en respuesta a una señal de entrada, así como en la elec-
trónica común este dispositivo es denominado transistor pero con
capacidad de Manejo de Altas Potencias, pero dependiendo de la
necesidad hay vario tipos y dependiendo de las características
propias obtienen su nombre como pueden ser : BJT, MOSFET,
IGBT, GaN. Figura 1. Transistor Tipo Meseta [2]

Index Terms—Semiconductores, Transistor, Altas Potencias.

I. MARCO TEÓRICO
Un transistor puede considerarse formado por dos dio- dos
semiconductores con una zona común. En un transistor existen,
por consiguiente, tres terminales. La zona común se denomina
base y las dos zonas exteriores en contacto con la base son el
emisor y el colector. Para que el transistor funcione Figura 2. Zonas de Funcionamiento transistor BJT
correctamente, la unión correspondiente al diodo emisor-base
debe polarizarse en sentido directo, mientras que la unión 2) Características Generales del BJT: Característica de
correspondiente al colector-base ha de estar polarizada en salida (IC frente a VCE ) del transistor NPN de potencia, para
sentido inverso. [1]
distintas corrientes de base, IB5 > IB4 > ...IB1 y Esquema
El funcionamiento y utilización de los transistores de poten- del BJT de tipo NPN. [2]
cia es idéntico al de los transistores normales, teniendo como
características especiales las altas tensiones e intensidades que
tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar. B. Transistor MOSFET de Potencia
Existen tres tipos de transistores de potencia: Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor
• BJT, (MOS) son dispositivos de efecto de campo que utilizan un
• MOSFET, campo eléctrico para crear una canal de conducción. Son
• IGBT, dispositivos más importantes que los JFET ya que la mayor
• GaN parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la
tecnología MOS.
A. Transistor BJT de Potencia (Bipolar) Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N
El interés actual del Transistor Bipolar de Potencia (BJT) es o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su vez, estos
muy limitado, ya que existen dispositivos de potencia con transistores pueden ser de acumulación (enhancement) o
características muy superiores. Le dedicamos un tema porque deplexion (deplexion); en la actualidad los segundos están
es necesario conocer sus limitaciones para poder comprender el prácticamente en desuso y aquí únicamente serán descritos los
funcionamiento y limitaciones de otros dispositivos de gran MOS de acumulación también conocidos como de enriqueci-
importancia en la actualidad. miento. [3]
La puerta, está separado del substrato por un dieléctrico
1) CONSTITUCIÓN DEL BJT: La anchura de la base y su (Si02) formando una estructura similar a las placas de un
dopado serán lo menores posibles para conseguir una ganancia condensador. Al aplicar una tensión positiva en la puerta se
lo mayor posible (baja recombinación de los electrones que induce cargas negativas (capa de inversión) en la superficie del
atraviesan la base). Para conseguir BV elevada, se necesita una substrato y se crea un camino de conducción entre los
anchura de base grande y un dopado pequeño. terminales drenador y fuente.
El problema surge cuando el dopado es pequeño, pues para La tensión mínima para crear ese capa de inversión se
alojar la zona de deplexión la base debe ser muy ancha, bajando denomina tensión umbral o tensión de threshold (VT) y es un
la ganancia. Es por tanto necesario encontrar unos valores parámetro característico del transistor. Si la V ttS < V T , la
intermedios de compromiso. Este compromiso implica que los corriente de drenador-fuente es nula; valores típicos de esta
BJT de potencia tienen una ganancia típica de corriente entre 5 tensión son 0.5 V a 3 V.
y 10. (muy baja). [2]
2

Figura 6. Modo Funcionamiento

Figura 3. Transistor de Señal MOSFET de Enriquecimiento, Canal n.[3]

Figura 7. TRANSISTOR IGBT


Figura 4. Transistor MOS Canal N de Enriquecimiento

1) Características Transistor de Efecto de Campo de Señal: las zonas atravesadas por la corriente de drenador (incluyendo
Zonas de funcionamiento del transistor MOS: la de canal). Si la BVDSS del dispositivo es mayor que 200 o

300 Voltios La resistencia de la capan− (RD) es mucho mayor


• Zona de corte, VGS < V T, iD ÷ 0; el transistor se
considera un interruptor abierto. que la del canal.[4]
• Zona de saturación, VGS − V T < VDS , iD ∼ =constante 1) Tecnologías de Fabricación:
(independiente de VDS ): • Aparece en década de los 80

• Entrada como MOS, Salida como BJT •


iD = (VGS − VT )2 • Velocidad intermedia (MOS-BJT)
• Zona óhmica, VGS − V T > VDS , en esta zona el transistor • Tensiones y corrientes mucho mayores que MOS (1700V-
se considera un interruptor cerrado, con una resistencia 400Amp)
(para valores muy pequeños de VDS): • Geometría y dopados análogos a MOS (con una capa n-
VGS mas ancha y menos dopada)
i =i (1 − )2 • Soporta tensiones inversas (no diodo en antiparalelo). No
D Dss
VT el PT
• Zona de ruptura, VDS > VBD .
• Tiristor parásito no deseado
• Existen versiones canal n y canal p.
C. TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA (IGBT)
En un Transistor MOS para conseguir tensiones (BVDSS )
elevadas, RD tendrá un valor elevado al ser ND necesariamen- D. TRANSISTOR GaN
te bajo y el espesor WD grande. La caída en conducción será: Los requisitos básicos para semiconductores de potencia son
iD ∗ Ron Donde RON será la suma de las resistividades de eficiencia, confiabilidad, controlabilidad y la rentabilidad. La
capacidad de alta frecuencia agrega más valor en Tamaño y
respuesta transitoria en los reguladores, y fidelidad en los
amplificadores de clase D. Sin Eficiencia y fiabilidad, una
nueva estructura de dispositivos no tendría ninguna posibilidad
de viabilidad. Se han considerado muchas nuevas estructuras y
materiales; Algunos han sido éxitos económicos, otros han
visto limitada o nicho de aceptación. Recientes avances de EPC
en el procesamiento de Nitruro de Galio han producido
Dispositivos de modo de realce con alta conductividad e hiper
Figura 5. Representación simbólica del Transistor IGBT a) Como BJT , b)
Como MOSFET conmutación rápida, y Silicio-como estructura de costos y
mecanismo operativo fundamental. [5]
3

los transistores seguirá disminuyendo en el futuro cercano. Wi-


lliam J. Brinkman, líder del equipo de investigación en ciencias
materiales de Laboratorios Bell, estima que la revolución de los
transistores ha avanzado un poco más de la mitad . El final
llegará cuando las leyes de la física detengan forzosamente la
reducción del tamaño.
Figura 8. TRANSISTOR GaN.[5] Un poco de historia El primer transistor, construido por
William Shockley, John Bardeen y Walter H. Brattain en 1947,
trabajaba como un tubo de vacío que permitía amplificar
1) Estructura : La rentabilidad de un dispositivo comienza
pequeñas corrientes eléctricas de una manera muy simple. Los
con la Existente. EPC’s Proceso comienza con obleas de sili-
científicos hicieron primero un sánduche de materiales
cio. Utilizar las estructuras existentes Equipo de procesamiento
semiconductores y luego aplicaron una pequeña corriente, o
de silicio, una capa delgada De Nitruro de Aluminio (AlN)
flujo de electrones, en su región media (llamada base). La
sobre el Silicio Para aislar la estructura del dispositivo del
corriente alteraba las propiedades de conductividad del material
sustrato. La capa de aislamiento para dispositivos de 200 V y
y permitía que un número relativamente grande de electrones
300 V. Encima de esto, una capa gruesa de altamente resistiva
fluyera entre las capas externas del semiconductor (llamadas
Nitruro de galio se cultiva. Esta capa proporciona Una base
emisor y colector). Por un precio relativamente bajo, los
sobre la que construir el transistor GaN. Se aplica un material
transistores hacían su trabajo sin el calor, tamaño y desgaste
generador de electrones Al GaN. Esta capa crea una capa de
de energía de los tubos de vacío. Los tres físicos de Bell
GaN con Una abundancia de electrones justo debajo de él
ganaron el Premio Nobel por su descubrimiento en 1956.
que es Altamente conductor. El procesamiento Depleción bajo
Un siguiente paso se dio cuando los investigadores comen-
la compuerta. Para mejorar la Transistor, se aplica un voltaje
zaron a colocar muchos transistores en una sola pieza de
positivo a la puerta De la misma manera que girar un canal n,
material semiconductor (un chip), usualmente hecha de silicón.
MOSFET de la energía del modo del realce. Una sección
Jack Kilbi, de Texas Instruments, lo hizo en 1958 y Robery
transversal De esta estructura se muestra en la figura
Noyce, de Fairchild Semiconductor, desarrolló la idea en 1959,
1. Esto Estructura se repite muchas veces para formar un poder
con lo que se abrió el camino para la producción masiva. Para
dispositivo. El resultado final es fundamentalmente simple,
1960, las compañías competían por poner la mayor cantidad de
Elegante, rentable solución para la conmutación de energía.
transistores en dispositivos conocidos como circuitos inte-
Este dispositivo se comporta de forma similar a los MOSFET
grados, lo que cambió de manera rápida la apariencia de los
de silicio Con algunas excepciones que se explicarán En las
aparatos electrónicos, a medida que el pequeño chip se volvía
siguientes secciones.
más poderoso.
La ley de Moore En 1965, Gordon Moore, también de
E. Evolución Transistor Fairchild (que tres años más tarde se unió con Noyce para crear
Cuando se dio a conocer públicamente, en 1948, el transistor Intel Corporation), predijo que el número de transistores que
recibió poca atención. El New York Times publicó un artículo los diseñadores podrían empacar en un chip podría duplicarse
de cuatro párrafos en el que decía que el dispositivo de un poco cada 18 meses, un axioma conocido como la ley de Moore. A
más de un centímetro tiene muchas aplicaciones en radio, pesar de lo descabellada que pudiera sonar la idea, esta ley se
donde comúnmente se utiliza el tubo de vacío . Hoy, casi ha convertido en una verdad profética que se ha cumplido con
medio siglo más tarde, los transistores han reducido su tamaño precisión durante décadas. En medio de tanto encogimiento, los
de manera notoria y se encuentran por millones en los chips pasaron de tener cientos de transistores a millones, y en
microprocesadores (chips) de los computadores. También el horizonte se ven miles de millones, una meta que parece
pululan como cerebros electrónicos de juguetes, cámaras, relo- realizable a principios del próximo siglo. Hoy, por ejemplo, un
jes, máquinas de fax, teléfonos celulares, radios, instrumentos chip Pentium Pro de Intel, el corazón de algunos de los más
musicales, carros, aviones, televisores, cohetes, satélites y un avanzados computadores personales, tiene 5,5 millones de
sinnúmero de dispositivos. Ahora, los científicos del mundo se transistores. Intel espera llegar a mil millones de transistores en
están esforzando para crear transistores que funcionen gracias su procesador central para el año 2011.
al movimiento de un solo electrón, la partícula subatómica que Los chips de memoria, que son más fáciles de fabricar que
constituye el soporte de la materia y la unidad eléctrica las galletas de la suerte, esperan tener muchos miles de
fundamental. millones de transistores en aproximadamente una década, para
Los componentes del más pequeño de todos los transistores que así computadores del tamaño de un refrigerador se
tendrán más o menos una cinco millonésima parte del tamaño reduzcan hasta caber en un escritorio.
del primer transistor rudimentario presentado al público. Esto
significa que, en teoría, se necesitaría apilar más o menos un REFERENCES
billón de ellos para hacer un chip del tamaño de una uña. La [1] El Transistor en Circuitos de Potencia. Autor: Ing. Alberto C. Galiano -) [2]
hazaña de crear un transistor con un solo electrón se ha logrado Circuitos de Potencia de Estado Sólido. Manual para proyectistas / SP-52
/ RCA. Editorial Arbo.
recientemente en el laboratorio. Pero convertirlo en un [3] Trasistores de Efecto de Campo .
producto comercial podría llevar décadas. Sin embargo, los http://www.gte.us.es/~leopoldo/Store/tsp_4.pdf
científicos confían en que, de una u otra manera, el tamaño de
4

[4] Trasistores IGBT . http://www.gte.us.es/~leopoldo/Store/tsp_5.pdf


[5] Trasistores GaN: http://epc-co.com/epc/Portals/0/epc/documents/product-
training/appnote_ganfundamentals.pdf

También podría gustarte