ISSN: 1692-7257 - Volumen X – Número XX - 20XX

Revista Colombiana de
Tecnologías de Avanzada

DETERMINACIÓN DEL VOLTAJE VTH, CURVA CARACTERÍSTICA Y

CONSTANTE K DE UN MOSFET DE POTENCIA

Autor1 Stiven Daniel Dávila Piragauta - 1057597196

Autor2 Eduard Rodríguez - 1118561409
Autor3 Jorge Luis Ariza Botia – 1098778130
Autor 4 Adriana Carolina Gonzales

ELECTRÓNICA II
Profesor: Ms.C. Carlos Arturo Vides Herrera

Fecha de entrega: 28 de Julio de 2019

Resumen: en esta práctica (montaje 1) se quiere determinar a partir de mediciones de

voltaje (vgs=vgg) siendo este un valor variable, el voltaje VGSth de un transistor
MOSFET de potencia cuya referencia es IRF630. El VGSth o voltaje umbral o de
ruptura se puede decir que se conoce cuando el valor de Id (corriente de drenador)
alcanza los 250 micro Amperios, indicando que cuando VGS<VGSth la corriente es
nula.
El montaje 2 se desea hallar la curva característica del MOSFET IRF630 junto con la
constante K, para esto se toman valores mayores a VGSth o voltaje umbral en intervalos
pequeños de medida, para de esta forma apreciar cada cambio realizado por el transistor.
Al realizar la gráfica y mediante la ecuación que proporcione se distingue tanto la curva
como dicha constante que es la que acompaña el valor de x².

Palabras clave: Corriente, electrónica, funcionamiento, potencia, transistor, voltaje.

Abstract: In this practice (assembly 1) it is wanted to determine from voltage

measurements (vgs = vgg) being this a variable value, the voltage VGSth of a power
MOSFET transistor whose reference is IRF630. The VGSth or threshold or breaking
voltage can be said to be known when the value of Id (drain current) reaches 250 micro
Amps, indicating that when VGS <VGSth the current is zero.
Assembly 2 is desired to find the characteristic curve of the MOSFET IRF630 together
with the constant K, for this, values greater than VGSth or threshold voltage are taken in
small measurement intervals, in order to appreciate each change made by the transistor.
When making the graph and using the equation you provide, you can distinguish both the
curve and the constant that is the one that accompanies the value of x².

Keywords: Current, electronics, operation, power, transistor, voltage.

1. INTRODUCCIÓN sean óxidos, el dispositivo es conocido como un

El MOSFET: Un transistor de efecto de campo
metal-óxido-semiconductor (MOSFET) se basa en
controlar la concentración de portadores de carga
mediante un condensador MOS existente entre los
electrodos del sustrato y la compuerta. La
compuerta está localizada encima del sustrato y
aislada de todas las demás regiones del dispositivo
por una capa de dieléctrico, que en el caso del
MOSFET es un óxido, como el dióxido de silicio.
Si se utilizan otros materiales dieléctricos que no
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transistor de efecto de campo metal-aislante-
semiconductor (MISFET). Comparado con el
condensador MOS, el MOSFET incluye dos
terminales adicionales (surtidor y drenador), cada
uno conectado a regiones altamente dopadas que
están separadas por la región del sustrato. Estas
regiones pueden ser de tipo P o N, pero deben ser
ambas del mismo tipo, y del tipo opuesto al del
sustrato. El surtidor y el drenador (de forma
distinta al sustrato) están fuertemente dopadas y en
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la notación se indica con un signo '+' después del Tabla 1. Valores de Vth para 3 voltajes de
tipo de dopado. compuerta diferentes
PARA 10.2V 15.3 V 20.2 V
2. MATERIALES Vgs (V) 2.56 2.58 2.6
• 1 transistor MOSFET IRF 630. ID (µA) 1 1 1
• 1 resistencia de 10k Ω. VDS (V) 9.9 14.8 20.3
• 1 resistencia de potencia de 10 Ω a 30W. Vgsth (V) 3 3 3
• Caimanes. ID (µA) 250 250 250
• Cable de puentear. VDS (V) 10.06 15 20.2
• Protoboar.
• Voltímetro.
3.2. Montaje 2
• Amperímetro.
• Fuente de alimentación variable.
Para esta segunda practica se hallan los valores de
la curva característica del MOSFET los cuales
3. PROCEDIEMINTO Y ANALISIS DE
están comprendidos por VGD e ID, esto para
RESULTADOS
voltajes de 10V y 20V en VDD tal y como se
aprecia en la figura1.

Arrojando los siguientes valores:

3.2.1. Para 10V

Tabla 2. Valores Vgs vs ID para VDD = 10V.

VGS (v) ID(A)
3 2,49E-04
3,1 6,78E-04
3,2 1,23E-03
3,3 4,73E-03
3,4 1,00E-01
3,7 0,12
3,8 0,15
3,9 0,2
figura 1. estructura o circuito de un MOSFET, 4 0,28
tomada de: 4,1 0,35
www.diarioelectronicohoy.com/blog/el-transistor- 4,2 0,41
mosfet
4,3 0,51
Para los montajes uno y dos se utiliza un MOSFET 4,4 0,63
IRF630 cuya estructura es similar a la de la 4,5 0,66
figura1, en el caso del montaje 1 el valor de RD es 4,6 0,66
igual a 10K, VDD=10V y Vin=Vgs= 0V-10V.
4,7 0,66
3.1. Montaje 1 4,8 0,67
4,9 0,67
(en el cual se busca hallar vth), se consiguieron los
siguientes resultados: 5 0,68

2
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4. CONCLUSIÓN

El montaje físico del circuito funcionó

adecuadamente, las mediciones tomadas
concuerdan perfectamente con el comportamiento
del mosfet y los valores encontrados en la hoja de
datos del IRF630, se determinó el valor de VTH y
se entendió que este no varía, ni depende del
voltaje en el drenador, variando este último en 3
valores diferentes de 10, 15 y 20 voltios
respectivamente, y para los 3 casos el valor de
VTH fue constante aproximado a 3V.
Figura 1. K y Curva característica para VDD =
También se determinaron los valores en los que el
10V.
MOSFET aumentó drásticamente su temperatura,
esto lo observamos en anexos donde podemos
3.2.2. Para 20 v encontrar una tabla con las zonas de trabajo y este
valor.
Tabla 3. Vgs vs ID para VDD = 20V.
VGS(v) ID(A) 5. REFERENCIAS
2,96 2,41E-04 Garcia V. (2015). EPA electrónica practica
3,1 1,27E-03 aplicada. Transistor MOSFET.
3,2 3,60E-03 https://www.diarioelectronicohoy.com/blog/el-
transistor-mosfet.
3,6 6,00E-02 (consultado: 26 de julio de 2019)
3,7 1,00E-01
3,8 1,70E-01
3,9 2,30E-01
4 3,10E-01
4,1 4,40E-01
4,2 5,40E-01
4,21 7,60E-01

Figura 2. K y Curva característica para VDD =

20V.

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ANEXOS

Tabla 3. Zonas de trabajo del IRF630 según los valores medidos.

VGS (v) VDS ID(A) VGS - VTH ZONA DE TRABAJO
ZONA DE
3 9.9 2,49E-04
0 SATURACION
ZONA DE
3,1 9.9 6,78E-04
0,1 SATURACION
ZONA DE
3,2 9.9 1,23E-03
0,2 SATURACION
ZONA DE
3,3 9.8 4,73E-03
0,3 SATURACION
ZONA DE
3,4 8.8 1,00E-01
0,4 SATURACION
ZONA DE
3,7 8.3 0,12
0,7 SATURACION
ZONA DE
3,8 8.8 0,15
0,8 SATURACION
ZONA DE
3,9 7.07 0,2
0,9 SATURACION
ZONA DE
4 6.75 0,28
1 SATURACION
ZONA DE
4,1 6 0,35
1,1 SATURACION
ZONA DE
4,2 5.33 0,41
1,2 SATURACION
ZONA DE
4,3 4.42 0,51
1,3 SATURACION
4,4 3.7 0,63 1,4 ZONA LINEAL
4,5 2.61 0,66 1,5 ZONA LINEAL
4,6 2.61 0,66 1,6 ZONA LINEAL
4,7 2.37 0,66 1,7 ZONA LINEAL
4,8 2.54 0,67 1,8 ZONA LINEAL
4,9 2.51 0,67 1,9 ZONA LINEAL
5 2.31 0,68 2 ZONA LINEAL

En 4.2 voltios el MOSTFET aumentó su temperatura considerablemente.

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Figura 2. Montaje físico del circuito.

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