Ing.

Flavio Narvaja Electrónica de Potencia Elementos semiconductores de Potencia

Transistor Mosfet de Potencia

El nombre de MOSFET, viene dado por las iniciales de os elementos que lo componen; una fina película metálica
(Metal - M); oxido de silicio (Óxido - O); región semiconductora (Semiconductor - S). Es un dispositivo unipolar, la
conducción sólo es debida a un tipo de portador. Las aplicaciones más típicas son la conmutación a altas frecuencias,
chopeado, sistemas inversores para controlar motores, amplificadores de audio entre otros.
De los dos tipos existentes de MOSFET (acumulación y deplexión), para aplicaciones de elevada potencia
únicamente se utilizan los MOSFET de acumulación, preferiblemente de canal N que conduce cuando VGS > 0.
Características Pro
Alta velocidad de conmutación, llegando a MHz.
No presentan el fenómeno de segunda ruptura por lo que el área de trabajo seguro
(SOA) mejora con respecto del BJT
El control se realiza mediante la tensión aplicada entre los terminales de puerta y surtidor (VGS), lo que reduce
considerablemente tanto la complejidad como la potencia de los circuitos de disparo.
Las tensiones máximas de bloqueo son relativamente bajas en los MOSFET de alta tensión (< 1000V) y las
corrientes máximas moderadas (< 500A).
Tienen coeficiente positivo respecto de la temperatura lo que permite poner varios MOSFET en paralelo.

Características Contra
Tienen el problema de ser muy sensibles a las descargas electrostáticas y requieren un embalaje especial.
Su protección es relativamente difícil.
Son más caros que sus equivalentes bipolares
Resistencia estática entre Drenador - Surtidor, es más grande, que la Colector - Emisor para altas tensiones lo que
provoca mayores perdidas de potencia cuando trabaja en conducción.

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Mosfet de acumulación Inducción de canal (Mosfet acumulación)

G
S
D +++ +++

N N N n N
Metal
UGS
Oxido (aislante)
P Semiconductor P - e
- - -
e e e

SUSTRATO

Mosfet de acumulación Mosfet de deplexión

UDS

ID UGS G S
D

N n N
N N
Campo eléctrico
debido a UDS Difusión hecha durante
P Campo eléctrico P el proceso de fabricación
debido a UGS

Mosfet de acumulación Mosfet de deplexión

En la figura se observa claramente una estructura npn, que constituye el denominado BJT parásito del MOSFET, en
el cual la base está conectada al sustrato. El principal inconveniente de la presencia del BJT parásito es que podría
entrar en conducción si la tensión de base y emisor alcanza valores significativos (> 0,10V). Para evitarlo, se realiza
un cortocircuito entre el sustrato y el surtidor (es decir, entre base y emisor) de manera que se evita el riesgo de
conducción del NJT parásito. Pero parecería un diodo parásito entre drenador y surtidor.

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La principal diferencia entre los Transistores Bipolares (BJT) y los Mosfet consiste en que estos últimos son
controlados por tensión aplicada en la puerta (G) y requieren solo una pequeña corriente de entrada, mientras que los
transistores Bipolares (BJT), son controlados por corriente aplicada a la base.

Curva característica.

Zonas de funcionamiento del transistor MOS:

Zona de corte,VGS<VT ,iD≅0 ;el transistor se considera un interruptor abierto
Zona de saturación, VGS- VT <VDS, iD≅constante (independiente de VDS):
En esta región funciona como amplificador y no es utilizada en Potencia.
Zona óhmica, VGS- VT >VDS en esta zona el transistor se considera un interruptor
cerrado, con una resistencia (para valores muy pequeños de VDS). En funcionamiento
interruptor, las pérdidas de potencia durante la conducción son:

Zona de ruptura, VDS > VBD.

∆VDS
RDSON =
∆I D

La RDS debe ser lo mas pequeña posible para que no disipe potencia, este parametro es una de las caracteristicas mas
importantes de los MOSFET

Efecto de las Capacidades Parásitas en la Tensión de Puerta

El efecto de la conmutación de otros dispositivos puede provocar

variaciones importantes en la tensión de puerta debido al acoplamiento
capacitivo CGD –CGS . Esto tiene como consecuencias no deseadas:
a) Se supere la tensión máxima que el óxido puede soportar.
b) Haciendo que el transistor (que estaba cortado) conduzca.
Si se produce un flanco de subida, ese flanco se transmitirá a la puerta,
con lo que si se supera la tensión umbral, el MOS entra en conducción.
Esto tiene el efecto de que baje la tensión VDS con lo que el efecto se
compensa, cortándose de nuevo el transistor a costa de sufrir grandes pérdidas por la corriente que circula durante el transitorio.
Si se produce un flanco de bajada, ese flanco se transmitirá igualmente a la puerta, permaneciendo el transistor cortado, pero con
peligro de superar la tensión máxima del óxido. En ambos casos es determinante el valor de la resistencia equivalente de la fuente
que excita a la puerta (RG) cuanto menor sea esta resistencia menos se notará este efecto.
Otra desventaja que tiene los transistores MOSFET, respecto a los transistores TBJ, es que aparecen capacidades, de
manera tal que vG (t ) ≠ vGS (t ) debido a C in = C GS + (1 + gm ⋅ R D ) ⋅ C GD siendo gm = I D VGS .

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Normalmente, la VGS del MOSFET para el estado activado en circuitos conmutados está entre 10 y 20 V. El estado desactivado se
consigue con una tensión menor que la tensión umbral. Las corrientes de puerta para los estados de encendido y apagado son muy
bajas. Sin embargo, es necesario cargar la capacidad de entrada parásita para poner al MOSFET en conducción, y descargarla para
apagarlo. Las velocidades de conmutación vienen determinadas básicamente por la rapidez con que la carga se puede transferir
hacia y desde la puerta. Un circuito de excitación para MOSFET debe ser capaz de absorber y generar corrientes rápidamente,
para conseguir una conmutación de alta velocidad. Algunos ejemplos son:

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CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS DINÁMICAS

Transistor Bipolar de Puerta Aislada, IGBT

El Transistor Bipolar de Puerta Aislada, IGBT “Insulate Gate Bipolar

Transistor” combina las ventajas de los BJT y los Mosfet. Tiene una
impedancia de entrada elevada, como los Mosfet y bajas perdidas en
onmutación, como los BJT, por lo que puede trabajar a elevada frecuencia y
con grandes intensidades.

• Entrada como MOS, Salida como BJT

• Velocidad intermedia (MOS-BJT)
• Tensiones y corrientes mucho mayores que MOS (1700V-400Amp)
• Geometría y dopados análogos a MOS (con una capa n- mas ancha y menos dopada)
• Soporta tensiones inversas (no diodo en antiparalelo). No el PT
• Tiristor parásito no deseado
• Existen versiones canal n y canal p.

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Comparación VDS(on) MOS-IGBT para la misma BVDSS

VDS(on)=VJ1+ IDRcanal +IDRarrastre
Rarrastre (IGBT) << Rarrastre (MOS)
• La caída total es menor en el IGBT para tensiones a partir de 600V. (1.6V para 1.200 Voltios)
• En el mercado existen IGBTs de 600, 1.200, 1.700, 2.200 y 3.300 Voltios
• Hay anunciados IGBTs de 6.500 Voltios

EFECTO DE CEBADO DEL TIRISTOR PARÁSITO

INTERNO DEL IGBT (LATCH UP)

Si VJ3>Vj3 el transistor npn entra en conducción y activa el

SCR.
=> Pérdida de control desde puerta
=latch-up estático (ID>IDmax).

Si se corta muy rápido, el MOS es mucho más rápido que el

BJT y aumenta la fracción de la corriente que circula por el
colector del p-BJT, esto aumenta momentáneamente VJ3,
haciendo conducir el SCR.
=>latch-up dinámico.

Debe evitarse porque se pierde el control del dispositivo desde la puerta

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Métodos para evitar el Latch-up en IGBT’s:

Limitar ID máxima al valor recomendado por el fabricante.
Limitar la variación de VGS máxima al valor recomendado por el fabricante (ralentizando el apagado
del dispositivo).

ÁREA DE OPERACIÓN SEGURA

Área de Operación Segura SOA de un Transistor IGBT. a) SOA directamente

Polarizada (FBSOA) b) SOA Inversamente Polarizada (RBSOA)

Este elemento semiconductor está desplazando a los demás en potencia media.

Otros elementos de potencia:

VDR- fuses – capacitares varios – cableado

Cuadro comparativo de todos los transistores

Analisis en Potencia

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