Aplicaciones con Transistores MOSFET

Brando Niels Castillo Choquehuanca

Benjamin Prado Moroco
Alumnos :
Jose Valdivia Medina

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“APLICACIONES CON TRANSISTORES MOSFET”

Transistores MOSFET

Los MOSFET están compuestos de un diodo MOS y dos uniones P-N colocadas a los lados del
diodo MOS. Es un dispositivo muy importante para circuitos integrados avanzados tales como
microprocesadores y memorias semiconductoras. La causa de este desarrollo radica en su bajo
consumo de potencia y un alto rendimiento de trabajo, otro hecho importante es que el MOSFET
se puede reducir fácilmente de tamaño sin perder sus características y ocupa menos espacio que
un transistor bipolar para las mismas consideraciones.
En un MOSFET la compuerta está aislada del canal, también se le conoce como IGFET, y pueden
ser de canal N o canal P. El MOSFET posee un electrodo de compuerta de metal que esta
separado del material semiconductor por una capa de material aislante formada por dióxido de
silicio (SiO2) llamado también “sílice” o “sílica”.

Cuando la polaridad de la polarización de Compuerta - Fuente requerida es tal que produce un

aumento en la corriente del canal se dice que el MOSFET funciona en el modo de
ENRIQUECIMIENTO y cuando produce una disminución en la corriente se dice que funciona en el
modo de EMPOBRECIMIENTO.
Algunos MOSFET pueden operar en ambos modos, es decir, de Empobrecimiento y
Enriquecimiento. La impedancia de entrada es más alta y la capacitancia de entrada más baja en
un MOSFET que en un JFET. Los MOSFET pueden requerir cierta forma de protección de
compuerta para impedir el daño debido a la carga estática.

En el JFET de canal N, la polarización inversa del diodo de compuerta impide la corriente de

compuerta. En el MOSFET, el óxido aislante impide la corriente de compuerta (aunque no es raro
tener una corriente del orden de los nA o pA). El aislante es mucho más perfecto que el diodo, y la
impedancia de entrada del MOSFET puede llegar hasta un millón de megaohmios. La estructura
de compuerta de MOSFET también tiene una ventaja de una capacitancia más baja de entrada. La
menor capacitancia mejora su funcionamiento a altas frecuencias.

1. Objetivos

- Identificar los terminales de un MOSFET de enriquecimiento y empobrecimiento.

- Probar el estado de un MOSFET de enriquecimiento.
- Implementar un circuito básico de polarización con MOSFET.
- Medir los valores DC en un circuito básico con MOSFET.

2. Equipos y Materiales

01 Multímetro digital. 01 Resistencia de 1k, 2W.

01 Fuente doble de DC. 01 MOSFET Enriquecimiento de canal N,
01 Protoboard (módulo de conexiones). IRF840.
01 Pelacables.
01 Resistencia de 1M, ½ W.

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3. Reconocimiento físico de un MOSFET

3.1 Identifique el tipo de MOSFET y sus terminales en la figura.

Drenaje Drenaje

Compuerta

Fuente

Fuente
Compuerta
Tipo: P (ensanchamiento agotamiento).
Tipo: N (ensanchamiento agotamiento)

3.2 En la figura se muestra el encapsulado de un MOSFET, identifique con la ayuda del

manual las características principales.
Compuerta
a) Código: IRF840
b) Encapsulado:
c) Señalar sus terminales
Fuente

d) Características técnicas, complete la tabla. Drenaje

Descripción y
BVDSS BVGS ID VGS PD
aplicación

• Clasificación
dV/dt
dinámica
• Calificación
de avalancha
repetitiva
• Cambio 500V 8.0A ± 20V 125W
rápido
• Facilidad de
paralelismo •
Requisitos
sencillos de
manejo
• Cumple con
la Directiva
RoHS
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2002/95 / EC

3.3 En la figura se muestra el encapsulado de un MOSFET, identifique con la ayuda del

manual las características principales.

e) Código: BS170
f) Encapsulado
g) Señalar sus terminales

h) Características técnicas, complete la tabla.

Descripción y
BVDSS BVGS ID VGS PD
aplicación

Este es un
dispositivo sin
60V 0.5A ±20V 350mW
Pb

3.4 ¿Cómo se usa el multímetro para verificar si un MOSFET está operativo?

Los mosfets tienen dos tipos, los de canal P y los de canal N. Para los mosfet primero se identifica
si es posible el tipo de mosfet y luego se procede a buscar las patitas GDS que son GATE, DRAIN
Y SOURCE que en español son puerta, dreno y fuente, y para medirlos basta que el D con el S
marque un valor tipo diodo o sea del orden de los 0.415 volts más o menos y después ver si hace
el llaveo correspondiente, o sea, al invertirlos tiene que marcar valores inferiores a lo dicho sobre la
medición entre D y S. En pocas palabras tiene que llavear en ese punto y desllavear al invertir los
polos del fluke previo punteo con la punta del fluke en el G y proceder a la inversa para que el
mosfet vuelva a su estado normal. TODO ESTO ES EN CONDICIONES NORMALES, cualquier
otra medición fuera de estos parámetros indica una fuga o una alteración del transistor BIPOLAR y
de los MOSFETS.

4. Polarización de MOSFET

4.1 Implemente el circuito mostrado en la figura.

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4.2 Aplique a VDD un valor de 12 V y varíe la tensión de la fuente VGS desde 0 hasta 12 V, y
anote el valor de la corriente ID para cada caso, complete la tabla.

VGS 0 2 4 6 8 10 12

ID 0A 0A 0A 1.94mA 3.93mA 5.92mA 7.92mA

4.3 ¿Qué comentarios puede hacer de los resultados obtenidos?

…Vemos que al aumentar el voltaje, disminuye la intensidad

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5. Simulación de circuitos con MOSFET canal P

Implemente el siguiente circuito utilizando software de simulación de circuitos.

Considere:

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5.1 Determine el voltaje VG, que permita VD (voltaje drenador) = VDD / 2.

● 2.12Mv-12V
●

5.2 Mida la corriente ID para cuando el FET opere en la condición indicada en el punto 6.1.

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● 292.34 uA

5.3 Determine la ganancia del amplificador en AC cuando trabaja en el punto de operación

indicado en el punto 6.1, si la entrada es una señal sinusoidal de 100 mV pico-pico con frecuencia
de 1 kHz.

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6. Observaciones y Conclusiones

Se observó que los MOSFET tienen la ventaja de ser capaces de conmutar señales de alta
frecuencia, debido a un tiempo de conmutación en el rango de los nanosegundos. Para
corrientes altas es preferible usar un BJT.
Se observo que estos dispositivos se utilizan en la conmutación de cargas de alta velocidad,
dado su tiempo de respuesta mínimo
Se probo el estado de un MOSFET de enriquecimiento
Al probar en las patas de la Mosfet la compuerta drenaje
Se midió Medir los valores DC en un circuito básico con MOSFET

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Conclusiones
Se implementar un circuito básico de polarización con MOSFET
Se aprendió a como usar los dos tipos de
Se aprendió que en el JFET de canal N, la polarización inversa del diodo de compuerta
impide la corriente de compuerta. En el MOSFET, el óxido aislante impide la corriente de
compuerta
Se aprendió que Algunos MOSFET pueden operar en ambos modos
- En un MOSFET la compuerta está aislada del canal, también se le conoce como IGFET,
y pueden ser de canal N o canal P.

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