CAPÍTULO 6b

TRANSISTORES MOSFET Y APLICACIONES

6.1 Funcionamiento y curvas características.

Transistor MOSFET significa Transistor de Efecto de Campo (FET)
de estructura Metal-Óxido-Semiconductor (MOS).

Se trata de un dispositivo parecido al transistor BJT en cuanto al hecho de

que la corriente que fluye del drenador (D) a la fuente (S) se controla a través de
un tercer terminal, que en este caso es la puerta (G). La diferencia fundamental
con el transistor BJT es que en este caso la señal de control es una tensión y
no una corriente. Es decir; la tensión aplicada en la puerta (G) determina la
intensidad de la corrinente drenador-fuente. Dicha tensión debe ser, además,
mayor que una tensión umbral VT para que el dispositivo empiece a conducir.
A partir de ese valor, cuanto mayor sea la tensión de puerta, mayor será la
corriente de drenador.

El transistor MOSFET está construído de acuerdo a la siguiente estructura:

G (puerta)

S (fuente) METAL D (drenador)

OXIDO
N N

EL hecho de que haya una capa de óxido trae como consecuencia que enl valor
de la corriente de puerta sea cero, puesto que dicho material tiene propiedades
aislantes.
Si, al igual que en el BJT, aplicamos tensiones en sus terminales y med-
imos las corrientes de drenador y de puerta obtenemos las siguientes curvas
características

1
 D
ID

iD
VGS =VT +3

N
8mA
G METAL VGS =VT +2
OXIDO
V
DS

P
I =0 4mA
G
VGS =VT +1
2mA
N

V VGS =V T >0
GS

2V 4V 6V VDS
S

En primer lugar vemos que no existen características de entrada puesto que

como hemos dicho, la corriente de puerta es cero. Con respecto a las caracterís-
ticas de salida, éstas están parametrizadas con la con tensión de puerta VGS .
Podemos ver que hay 2 regiones bien diferenciadas:

- Por un lado tenemos la region de saturación (equivalente a la región ac-

tiva en el transistor BJT) que es aquella en la cual las curvas son practicamente
horizontales. Esta es la región donde tiene lugar el efecto “grifo” o efecto “tran-
sistor”; es decir donde el valor de la corriente de drenador sólo depende de la
tensión de puerta VGS . Además se observa cómo esta tensión tiene que superar
una tensión umbral VT para que el transistor empiece a conducir.

- La otra región, llamada región óhmica, es aquella en la cual las curvas

tiene una pendiente muy elevada (la zona próxima al eje y).

Podemos hablar también de región de corte (sin curvas en la figura) que

tiene lugar cuando la tensión de puerta no supera el umbral: VGS ≤ VT

El símbolo que utilizaremos en los circuitos para el transistor MOSFET sera

el siguiente:

iD
D

G
S
iG

2
 6.2 Circuitos de corriente continua.
Para resolver circuitos de corriente continua con MOSFET no será nece-
sario recurrir a modelos lineales a tramos, puesto que las ecuaciones de fun-
cionamiento -que veremos a continuación- son ecuaciones sencillas de 2º grado
que no conducen a sistemas trascendentes sin soluciones analíticas.

Ecuación para la región óhmica:

Se puede demostrar que la ecuación para la corriente de drenador en la región
óhmica es:
V2
ID = K((VGS − VT )VDS − DS )
2
donde tanto VT como K (una constante) dependen del dispositivo concreto.
Esta curva es una parábola invertida como se muestra en la imagen siguiente
(para un valor fijo de VGS ):

Obsérvese que la mitad derecha de la parábola esta dibujada con puntos;

esto es debido a que este tramo no tiene realidad física en el dispositivo, tal y
como se muestra en las curvas características mostradas más arriba. El máximo
de la parábola es el valor máximo que tiene la corriente en esta curva, a partir
de aquí el dispositivo entra en otra región en la cual la corriente se “satura” y se
mantiene constante (linea de rayas) a pesar de que VDS aumente: es la región
de saturación.
De modo que para obtener la expresión de la corriente en la región de sat-
uración podemos utilizar la ecuación de la región óhmica y calcular su valor
máximo. Para ello igualamos a cero la derivada de la ecuación:
dID
0= = K((VGS − VT ) − VDS ) y despejando, tenemos que el máximo
dVDS
tiene lugar a una tensión VDS = VGS − VT . Si introducimos esta tensión en la
ecuación de la corriente:

3
 (VGS − VT )2 K
ID = K((VGS − VT )(VGS − VT ) − ) = (VGS − VT )2 . Por tanto
2 2
esta será la ecuación para la corriente en la región de saturación:
K
ID = (VGS − VT )2
2
Nótese que la propia condición de máximo (VDS = VGS − VT ) nos sirve como
límite entre las dos regiones; de este modo tenemos:

Región óhmica:
2
VDS
ID = K((VGS − VT )VDS − ) con VDS ≤ VGS − VT
2

Región de saturación:
K
ID = (VGS − VT )2 con VDS ≥ VGS − VT
2

Además, a estas desigualdades hay que añadir siempre VGS ≥ VT puesto que
si no, el transistor estaría en corte.

Veamos a continuación cómo se resuelve un circuito con transistores mosfet.

EJEMPLO Y METODOLOGÍA
Sea el siguiente circuito, donde los parámetros del transistor MOSFET son:
VT = 1.6V y K = 2mA/V 2 .
Consideraremos dos casos que implican dos grados de dificultad: a) RS = 0
y b) RS = 0.2K

24V 24V

1.5K
500K iD
D
I G
S
iG=0

100K Rs

4
 a) RS = 0.
En primer lugar, como IG = 0 para cualquier MOSFET, la corriente I recorre
toda la malla de la izquierda y la corriente ID recorre toda la malla derecha.
La ecuación de la malla izquierda es:
24 − 0 = I(500 + 100) de donde I = 40µA.

Por otra parte la ecuación de la malla inferior es:

0 − 0 = −100I + VGS + RS ID y como en este caso RS = 0 tenemos que
VGS = 4V

Conociendo cuanto vale VGS sabemos cuánto está “abierto el grifo”y por lo
tanto podemos calcular la corriente1 ID .

SUPONGAMOS ahora que el transistor está en la región de saturación; la

corriente es:
K 2
ID = (VGS − VT )2 = (4 − 1.6)2 = 5.76mA
2 2

Por último la malla de la derecha es:

24 − 0 = 1.5ID + VDS + RS ID y como RS = 0 tenemos que VDS = 15.36V

Solo queda comprobar la suposición: si el transistor está en la región de

saturación se tiene que cumplir VDS ≥ VGS − VT . Lo cual se cumple porque
VDS = 15.36 y VGS − VT = 2.4.

b) RS = 0.2K.
La malla de la izquierda sigue siendo la misma y por lo tanto I = 40µA.

Sin embargo, la malla inferior tiene ahora 2 incógnitas:

0−0 = −100·0.04+VGS +0.2ID De modo que tenemos que combinarla con la
K
ecuación del dispositivo (SUPONIENDO en saturación): ID = (VGS −VT )2 =
2
2 2
(VGS − 1.6)
2
y
 formar un sistema:
0 = −4 + VGS + 0.2ID
ID = (VGS − 1.6)2 
VGS = 3.37
De este sistema (de segundo grado) obtenemos dos soluciones
VGS = −5.17
De estas dos soluciones nos quedamos con VGS = 3.37 puesto que con el otro
valor el transistor estaría en corte al no alcanzar el umbral VT = 1.6V .
2
Con el valor bueno de VGS calculamos la corriente ID = (3.37 − 1.6)2 =
2
3.13mA.
1 Si estamos en la región de saturación

5
 Finalmente, calculamos la malla de la derecha:
24 − 0 = 1.5ID + VDS + RS ID con lo que VDS = 18.68V .

Solo queda comprobar la suposición: si el transistor está en la región de

saturación se tiene que cumplir VDS ≥ VGS − VT . Lo cual se cumple porque
VDS = 18.68 y VGS − VT = 1.77.

6.3 Circuitos de pequeña señal.

Para resolver circuitos de pequeña señal tenemos que utilizar un modelo de
pequeña señal del transistor. En esta asignatura sólo utilizaremos un modelo
para la región de saturación que, como hemos indicado, es la que tiene más
interés (es dónde se produce la amplificación de señales). El modelo que uti-
lizaremos es el siguiente:

G D
+
vgs gm vgs
_

Donde el parámetro gm se calcula de la siguiente forma:

K
dID d( (VGS − VT )2 )
gm = = 2 = K(VGS − VT ) siendo VGS la tensión
dVGS dVGS
de la puerta en el punto de operación (solución del circuito de contínua). Así
pues:

gm = K(VGS − VT )

Veamos a continuación cómo se resuelven los circuitos.

EJEMPLO Y METODOLOGÍA
Sea el siguiente circuito, donde los parámetros del transistor MOSFET son:
VT = 1.6V y K = 2mA/V 2 .
También aquí consideraremos dos casos que implican dos grados de dificul-
tad: a) Con el condensador CS y b) Sin el condensador CS .

6
 24V 24V

1.5K
500K
D
0.1K
G
S
+- vs
100K 0.2K Cs

a) Con el condensador CS .

-PARTE DE CONTINUA
Para resolver la parte de continua, anulamos la fuentes de pequeña señal y
los condensadores son circuitos abiertos. El resultado es el mismo circuito que el
apartado anterior (caso b). Así que no hace falta que lo resolvamos. La solución
de ese circuito era: ID = 3.13mA, VDS = 18.68V y VGS = 3.37V . Esta última
tensión nos hará falta para calcular el parámetro gm de pequeña señal.

-PARTE DE PEQUEÑA SEÑAL

En pequeña señal, se anulan las fuentes de continua, se corctocircuitan los
condensadores y el transistor se sustituye por el modelo de pequeña señal.
El circuito resultante es el siguiente. Nótese que debido al condensador
CE la resistencia RS desaparece. Por otra parte, el cálculo de gm es: gm =
K(VGS − VT ) = 2(3.37 − 1.6) = 3.52mS
0.1K
G D
+
vgs gm vgs 1.5
vs 500 100
_
S

Empecemos por la malla de la derecha; en esta malla la corriente es la que

indica la fuente: es decir gm vgs . Por lo tanto la ecuación de la malla es:
0 = Vds + 1.5gm vgs . –> vds = −5.28vgs

7
 En la parte izquierda sólamente hay una malla, puesto que el circuito está
“roto” entre el punto “G” y el “S”. Por lo tanto solo hay una corriente en esa
parte del circuito.
La ecuación de esta malla es:
vS vS
0 = 0.1I + 500||100I − vS de donde I= =
0.1 + 83.3 83.4
Conociendo la corriente, podemos calcular ahora la caída de tensión en la
resistencia 500||100. Nótese que este valor de tensión es precisamente vgs , que
es el que necesitamos para la ecuación de la malla de la derecha:
vS
vgs = v500||100 = I500||100 = I83.3 = 83.3 ≈ vs.
83.4
Así que finalmente tenemos
vds = −5.28vgs ≈ −5.28vS

SOLUCION COMPLETA.
La solución completa es la superposición de la continua y la pequeña señal.
Por ejemplo para la tensión drenador-fuente:
vDS = VDS + vds = 18.68 − 5.28vS

b) Sin el condensador CS .

-PARTE DE CONTINUA
También ahora el resultado es el mismo circuito que el apartado anterior
(caso b). : ID = 3.13mA, VDS = 18.68V y VGS = 3.37V .

-PARTE DE PEQUEÑA SEÑAL

En pequeña señal, se anulan las fuentes de continua, se corctocircuitan los
condensadores y el transistor se sustituye por el modelo de pequeña señal.
El circuito resultante es el siguiente. Como ahora no tenemos el condensador
CS , la resistencia RS aparece en el circuito. Por otra parte, el cálculo de gm es
el mismo que antes: gm = K(VGS − VT ) = 2(3.37 − 1.6) = 3.52mS
0.1K
G D
+
vgs gm vgs
_ S
vs 500 100 1.5
0.2K

Empecemos por la malla de la derecha; en esta malla la corriente es la que

indica la fuente: es decir gm vgs . Por lo tanto la ecuación de la malla es:

8
 0 = Vds + 0.2gm vgs + 1.5gm vgs . –> vds = −5.98vgs

En la parte izquierda sólamente hay una malla, puesto que el circuito está
“roto” entre el punto “G” y el “S”. Por lo tanto solo hay una corriente en esa
parte del circuito.
La ecuación de esta malla es:
vS vS
0 = 0.1I + 500||100I − vS de donde I= =
0.1 + 83.3 83.4
Conociendo la corriente, podemos calcular ahora la caída de tensión entre el
punto “G” y el punto “S” por el “camino” a través las resistencias de 500||100K
y 0.2K.
vgs = v500||100 − v0.2 = I500||100 − gm vgs 0.2, de aquí obtenemos vgs =
I83.3
= 0.59vS .
1 + gm 0.2
Así que finalmente tenemos
vds = −5.98vgs = −3.52vS

SOLUCION COMPLETA.
La solución completa es la superposición de la continua y la pequeña señal.
Por ejemplo para la tensión drenador-fuente:
vDS = VDS + vds = 18.68 − 3.52vS

CONCLUSION.
El efecto de poner un condensador en paralelo con la resistencia RS hace que
el valor de la pequeña señal (por ejemplo vds ) sean sensiblemente mayor. De
este modo, si se utiliza el circuito como amplificador, la ganancia (amplificación)
en pequeña señal que se obtiene es mayor. Además, el circuito a resolver resulta
bastante más sencillo.