TRANSITORES DE EFECTO DE CAMPO

(Field effect transistor, FET)

INTRODUCCIÓN:
qSon dispositivos de estado sólido
qTienen tres o cuatro terminales
qEs el campo eléctrico el que controla el flujo de cargas
qEl flujo de portadores es de un único tipo ( o electrones ó huecos)
qPueden funcionar en diferentes regiones de polarización
qSegún en que región de polarización se encuentren, funcionan como:
qResistencias controladas por tensión
qAmplificadores de corriente ó tensión
qFuentes de corriente
qInterruptores lógicos y de potencia

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qHay de bastantes tipos, pero los mas importantes son los:
MOSFET (Metal-óxido semiconductor)
qNormalmente tienen tres terminales denominados:
qDrenador
qPuerta
qFuente ó surtidor
qSon dispositivos gobernados por tensión
q La corriente de puerta es prácticamente nula (func. Normal)
qUtilizan un solo tipo de portadores de carga,
(Por eso se llaman también unipolares):
qElectrones si son de canal N
qHuecos si son de canal P
COMPARACIÓN ENTRE FETs y BJTs

ØLos FETs necesitan menos área del chip, y menos

pasos de fabr.
ØLos BJts pueden generar corrientes de salida mas
elevadas
para conmutación rápida con cargas capacitivas.
ØLos FETs tiene una impedancia de entrada muy alta
Ø En los Fets el parámetro de transconductancia (gm)
es menor
que en los BJts, y por lo tanto tienen menor
ganancia.
 Características
1. Su operación depende del flujo de portadores mayoritarios
solamente.
2. Es más sencillo de fabricar y ocupa menos espacio en
forma integrada.
3. Exhibe una gran resistencia de entrada, típicamente de
muchos megaOhms.
4. Es menos ruidosa que el transistor bipolar.
5. No exhibe voltaje offset a corriente de drenaje cero, y por
tanto lo hace un excelente recortador de señales.
 Construcción
El FET consiste de una región de tipo n la cual tiene es su parte media
dos regiones de tipo p. Una terminal de la región n se llama Fuente
(Sourse) y la opuesta Drenaje (Drain). Las regiones tipo p están
conectadas. La terminar de las regiones p se llama Compuerta (Gate).

Drenaje (D)

Contactos óhmicos

Canal-n

p n p
Compuerta (G)

Región de
agotamiento

Fuente (S)
 VGS = 0 y VDS > 0
D +
Región de
ID
agotamiento
VDS

G
VDD
p n p

S IS -
 Ideas generales sobre el transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-
Semiconductor

• El nombre hace mención a la estructura interna: Metal Oxide

Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

• Es un dispositivo unipolar: la conducción sólo es debida a un tipo

de portador
• Los usados en Electrónica de potencia son de tipo “acumulación”

D D
EL MOSFET DE POTENCIA

G G
S S
Canal N Canal P
Conducción debida Conducción
a electrones debida a huecos

• Los más usados son los MOSFET de canal N

• La conducción es debida a los electrones y, por tanto, con mayor
movilidad Þ menores resistencias de canal en conducción
 Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulación

• Curvas características del MOSFET

- Curvas de salida
ID
D ID [mA]
+
VGS = 4,5V
G VDS 4
+ S -
VGS = 4V
EL MOSFET DE POTENCIA

VGS
- 2 VGS = 3,5V
Referencias normalizadas VGS = 3V
VGS = 2,5V VDS [V]
0 2 4 6
VGS < VTH = 2V

- Curvas de entrada:
No tienen interés (puerta aislada del canal)
 Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulación

• Zonas de trabajo
ID [mA]
ID
VGS = 4,5V
2,5KW 4
VGS = 4V
D
+
VDS 2 VGS = 3,5V
G
S - 10V VGS = 3V
+
EL MOSFET DE POTENCIA

VGS VGS = 2,5V

- 0 4 8 12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V
VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V
Comportamiento resistivo
Comportamiento como fuente de corriente
(sin interés en electrónica de potencia)

Comportamiento como circuito abierto

 Ideas generales sobre los MOSFETs

• Precauciones en el uso de transistores MOSFET

- El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos
- El óxido se puede llegar a perforar por la electricidad estática de
los dedos. A veces se integran diodos zener de protección
- Existe un diodo parásito entre fuente y drenador en los MOSFET
de enriquecimiento
EL MOSFET DE POTENCIA

S G D D

N+ N+
G
P-
S
+

Substrato
 Características fundamentales de los MOSFETs de potencia

1ª -Máxima tensión drenador-fuente

2ª -Máxima corriente de drenador
3ª -Resistencia en conducción
4ª -Tensiones umbral y máximas de puerta
5ª -Velocidad de conmutación

1ª Máxima tensión drenador-fuente

• Corresponde a la tensión de ruptura de la unión que forman el substrato (unido a
EL MOSFET DE POTENCIA

la fuente) y el drenador.
• Se mide con la puerta cortocircuitada a la fuente. Se especifica a qué pequeña
circulación de corriente corresponde (por ejemplo, 0,25 mA)
 1ª Máxima tensión drenador-fuente

• La máxima tensión drenador-fuente de representa como VDSS

o como V(BR)DSS
• Ayuda a clasificar a los transistores MOSFET de potencia

Baja tensión Media tensión Alta tensión

15 V 100 V 500 V
EL MOSFET DE POTENCIA

30 V 150 V 600 V
Ejemplo de 45 V 200 V 800 V
clasificación 55 V 400 V 1000 V
60 V
80 V
 2ª Máxima corriente de drenador

• El fabricante suministra dos valores (al menos):

- Corriente continua máxima ID
- Corriente máxima pulsada IDM
EL MOSFET DE POTENCIA

• La corriente continua máxima ID depende de la

temperatura de la cápsula (mounting base aquí)

A 100ºC, ID=23·0,7=16,1A
 4ª Tensiones umbral y máximas de puerta

• La máxima tensión soportable entre puerta y fuente es

típicamente de ± 20V
EL MOSFET DE POTENCIA
 Pérdidas en un MOSFET de potencia

• Pérdidas por convivencia tensión corriente entre drenador y fuente

vGS

vDS Pcond = RDS(on)iDT(rms)2

Pconm = fS(won + woff)

EL MOSFET DE POTENCIA

iDT

PVI Won Pérdidas en conmutación

Pérdidas en
conducción Woff