Universidad Autónoma de San Luis Potosí

Facultad de Ingeniería

Electrónica I
Unidad VII “TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO”

El transistor de efecto de campo (JFET) tiene las siguientes ventajas y desventajas comparado con
el transistor Bipolar BJT:

@ VENTAJAS:

- Su impedancia de entrada es extremadamente alta (típicamente 100MW o más).

- Su tamaño físico es un20 o 30% del espacio que ocupa un BJT. Esto lo hace ideal para su
integración a gran escala.
- Su consumo de potencia es mucho más pequeña que el BJT.
- Su velocidad de conmutación es mucho mayor que la del BJT.
- Es menos susceptible al ruido que el BJT, esto lo hace ideal para amplificadores de alta
fidelidad.
- Es afectado en menor grado por la temperatura.

@ DESVENTAJAS:

- Su ganancia de voltaje es mucho menor que el BJT.

- Es susceptible a daño en su manejo, sobre todo el MOSFET.
- Su ancho de banda o respuesta en frecuencia es menor que el BJT.

 CONSTRUCCIÓN:
 FUNCIONAMIENTO:

El canal N se comporta como una resistencia cuyo valor

depende del voltaje entre D y S. Cuando VDS llega a ser lo
suficientemente grande la I DS comienza a ser constante,
VDS puede incrementarse hasta BVDS0 (punto en el que
ocurre el rompimiento por avalancha).

A continuación se muestra la curva que se obtiene con

VGS = 0 y VDS variable:

El voltaje VGS es negativo en los FET´s canal N, esto para controlar la anchura del canal, a medida
que se incrementa VGS negativamente se origina una barrera de potencial entre compuerta y
fuente que va reduciendo la corriente IDS gradualmente:
 CURVA DE TRANSCONDUCTANCIA:

Es una gráfica que representa la corriente de salida en función del

voltaje de entrada.

La ecuación que representa esta curva es:

( )
2
V
I DS =I DSS 1− GS
V GSoff

Donde IDSS = Corriente de saturación entre D y S cuando VGS=0

VGSOFF = Voltaje que produce el

cierre del canal

Ejemplo 1: El JFET 2N5457 tiene los siguientes parámetros: IDSS = 5mAVGSoff = -6V

Obtener la ecuación de la curva de transconductancia y graficarla.

( )
2
V GS
I DS =5 mA 1−
V GSoff

VGS 0V -2V -4V -6V -8V

IDS 5mA 2.22mA .555mA 0 .555mA

 TRANSCONDUCTANCIA EN UN PUNTO

Si derivamos la ecuación de la curva de transconductancia se obtendrá el valor de la conductancia

en un punto en particular sobre la curva llamado gm:
 ( )
2
V GS
∂ I DS 1−

( )
∂i DS V GSoff 2 I DSS V
gm = = = 1− GS
∂ V GS ∂ V GS −V GSoff V GSoff

gm indica que tanto control tiene el voltaje de entrada V GS sobre la corriente de salida:

En la figura se observa que para un

mismo incremento de V GS se obtienen
diferentes amplitudes de corriente.

Q2 tiene mayor pendiente, es decir

mayor conductancia, por lo tanto hay un
mayor control de i DS para el mismo V GS .

 POLARIZACIÓN DEL JFET

Algunas formas típicas de polarización de un JFET son las siguientes:

a) Polarización fija o de compuerta

b) Autopolarización
c) Polarización por divisor de voltaje

@ POLARIZACIÓN FIJA:

Al igual que en el BJT, la

malla de entrada es la
que polariza al JFET, en
este caso la malla de
compuerta. Cabe
mencionar que para
este dispositivo la
corriente de reposo es
fijada por el voltaje de la
compuerta.

Análisis:
El voltaje en la compuerta siempre será negativo respecto al terminal de Source en un JFET canal
N:

 ANALISIS DE MALLA DE COMPUERTA

Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff en la malla de compuerta: +V ¿ + V RG +V GS =0 y debido a

que la unión G-S está polarizada en inversa, no hay corriente, por lo tanto: V RG=0 entonces:

V GS=−V ¿

Esta ecuación representa la recta de polarización. En la siguiente figura se muestra esta recta la
cual queda representada por una recta vertical del lado izquierdo del eje de la corriente:

De la figura se observa la gran inestabilidad que puede

experimentar el punto de operación para el caso de los
posibles cambios en los parámetros que presenta el FET
aun cuando se trate del mismo tipo ya que las técnicas
de fabricación no son tan perfectas como para que los
I DSS y V GSoff sean constantes de un dispositivo a otro.

En esta polarización, el punto de operación es muy

inestable.

 ANALISIS DE MALLA DEL DRENADOR

Por la ley de voltajes de Kirchhoff: −V DD +V RD + V DS =0, despejando la corriente de Drenador:

V DD−V DS
I DS =
RD

Esta es la ecuación de la recta de carga de cc:

En la figura, el punto de operación depende del punto de

operación fijado en la curva de transconductancia.

Ejemplo 2: El Encontrar la variación del punto de operación para el siguiente circuito:

@ AUTOPOLARIZACIÓN:

A esta ecuación se le conoce como ecuación de la recta de polarización. Esta recta tiene pendiente
negativa y pasa por el origen:

La recta 1 representa una R pequeña y proporciona un elevado

S

valor de gm ideal para una buena ganancia de corriente, la

desventaja es la inestabilidad debido a los cambios en los
parámetros del JFET.

La recta 2 ofrece las mejores condiciones tales que no compromete

la estabilidad ni los valores de la transconductancia.

La recta 3 produce buena estabilidad del punto de operación, sin embargo produce valores de gm
bajos que se traducen en una baja ganancia de corriente.

Este tipo de polarización es mejor que la polarización fija ya que el punto de operación es más
estable.

En la recta 2 la R S puede llamarse óptima ya que esta recta pasa por el centro de la curva de
transconductancia.

R S óptima puede calcularse con: R S=

| |
V GSoff
I DSS
y las coordenadas del punto de operación (solo

cundo se tiene la R S óptima son:

I DSQ=0.382 I DSS V GSQ=0.382V GSoff

 ANALISIS DE MALLA DEL DRENADOR

Para obtener la recta de carga de cc:

Ejemplo 3: Polarizar el JFET de la siguiente figura de tal modo que el punto de operación se
ubique a la mitad de la curva de transconductancia y a la mitad de la recta de polarización.
Calcular además el valor de gm en el punto de operación:

@ POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE VOLTAJE:

Aplicando la ley de Voltajes de Kirchhoff:

V ¿ −V GS
−V ¿ + V RG +V GS +V RS=0 V ¿ =V GS + R S I DS I DS =
RS

Esta ecuación representa la ecuación de la recta de polarización. Esa ecuación puede escribirse
como:

−1 V
I DS = V GS+ ¿
RS RS

V¿
Es una recta con pendiente negativa y con la ordenada en el origen ha como se observa en la
RS
figura:

De la figura puede observarse que este tipo de

polarización es mejor que las dos anteriores
debido a que ∆ I DSQ es menor, son embargo
para conseguir esto es necesario aplicar valores elevados V DD para que V ¿ sea lo más grande
posible y así el punto de operación sea más estable.

 ANALISIS DE MALLA DEL DRENADOR

V DD−V DS
V DD=V RD +V DS+ V RS V DD=I DS ( R D + R S ) +V DS I DS =
RS+ RD

Esta es la Ecuación de la recta de carga

Ejemplo 4: Polarizar un JFET por división de tensión y de tal modo que se cumplan los siguientes
datos: Punto de operación a la mitad de la recta de carga y a la mitad de la curva de
transconductancia, el voltaje de alimentación V DD=12 V y calcular el valor de gm en el
punto de operación.
 Solución:

Ejemplo 4: Para cada uno de los circuitos de polarización con FET, determinar el punto de
operación

Solución:

En el punto de operación se obtiene analíticamente a partir de la

intersección de la curva de transconductancia con la recta de
polarización.

Igualando ambas ecuaciones obtenemos el punto de operación

Resolviendo la ecuación cuadrática:

Este último valor de V GSQ es el correcto.
@ EL AMPLIFICADOR FUENTE COMÚN:

El circuito equivalente del amplificador para pequeña señal:

Ejemplo 5: Realizar los cálculos para el siguiente amplificador:

*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*.*