UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOSÉ DE CALDAS
FACULTAD DE INGENIERIA
SYLLABUS
PROYECTO CURRICULAR: INGENIERÍA ELECTRÓNICA
NOMBRE DEL DOCENTE: MARTHA RUTH OSPINA TORRES
ESPACIO ACADÉMICO (Asignatura):
ELECTRÓNICA I
CÓDIGO: 35
Obligatorio ( X ) : Básico (X) Complementario ()
Electivo () : Intrínsecas ( ) Extrínsecas ( )
NUMERO DE ESTUDIANTES: GRUPO: 005-7 y 005-8
NÚMERO DE CREDITOS: 3
TIPO DE CURSO: TEÓRICO PRACTICO TEO-PRAC: X
Alternativas metodológicas:
Clase magistral, talleres, laboratorio, ejercicios guiados, Lectura autorregulada, presentación de
artículos divulgativos, ponencias divulgativas.
HORARIO:
DIA HORAS SALON
I. JUSTIFICACIÓN DEL ESPACIO ACADÉMICO (El Por Qué?)
En este espacio académico se analizan y diseñan circuitos con diodos, transistores de unión
bipolar y transistores de efecto de campo ya que son elementos esenciales para el desarrollo
de la electrónica analógica y digital que el estudiante abordará en semestres posteriores.
II. PROGRAMACION DEL CONTENIDO (El Qué? Enseñar)
Diodos
Transistores de Unión Bipolar
Transistores de efecto de campo.
OBJETIVO GENERAL
Diseñar y analizar circuitos con diodos y transistores a bajas frecuencias y con señales de
pequeña amplitud.
OBJETIVOS ESPECÍFICOS
Definir puntos de polarización para diodos y transistores.
Caracterizar el comportamiento de los diodos y los transistores.
Diseñar circuitos a partir de los conceptos relacionados con el comportamiento de los diodos y
los transistores.
COMPETENCIAS DE FORMACIÓN:
Resolución de problemas.
Trabajo en equipo.
Razonamiento crítico.
Creatividad.
Elaboración y planeación de proyectos.
PROGRAMA SINTÉTICO:
1.Introducción a los semiconductores
1.1. Comportamiento eléctrico de los materiales (conductores, semiconductores y aislantes)
1.2. Estructura cristalina del silicio y del germanio. Concepto de energía de valencia y del nivel
de energía de conducción.
1.3. Conducción eléctrica de un semiconductor intrínseco, corriente de recombinación,
influencia de la temperatura.
1.4. Semiconductor tipo P y N
1.5. Semiconductores dopados. Elementos aceptores y donadores.
1.6. Concentración de portadores mayoritarios y minoritarios en los semiconductores
intrínsecos.
1.7. Conducción eléctrica en el semiconductor extrínseco, conductividad, efectos térmicos.
2. Diodo semiconductor
2.1. Características estáticas: Capacidades de transición y de difusión. Tiempo inverso de
recuperación. Efectos de la temperatura.
2.2. Recortadores de media onda y completa.
2.3. Circuitos fijadores. Aplicación de análisis de diferentes niveles de fijación.
2.4. Análisis de circuitos dobladores, triplicadores y cuadruplicadores de voltaje.
2.5. Diodo zener. Aplicación como regulador de tensión. Fuentes D.C. reguladas con diodo
zener.
2.6. Otros dispositivos de dos terminales: varactor, diodo túnel, fotodiodos, fotoceldas, diodos
emisores de luz, pantallas de cristal líquido, celdas solares.
3. Transistores de unión bipolar (BJT’s)
3.1. Configuraciones EC, CC, BC.
3.2. Curvas características de entrada y salida de los tres montajes. Características cualitativas
de entrada y salida para cada montaje.
3.3. Polarización del transistor bipolar.
3.4. Circuito equivalente híbrido para los tres montajes. Circuito equivalente híbrido general.
3.5. Estabilización de la polarización, factores de estabilidad. Criterios de diseño por
polarización por divisor de voltaje.
3.6. Efecto de Miller sobre la ganancia y las impedancias de entrada y salida.
4. Transistores de efecto de campo (FET’s)
4.1. Tipos de transistores MOSFET Construcción. Curvas características. Zonas de
funcionamiento Efectos térmicos. Símbolos utilizados para cada uno de ellos.
4.2. Característica de transferencia. Aplicación y cálculo de la transconductancia del transistor.
4.3. Circuito equivalente para A.C. Definición de transconductancia y resistencia dinámica..
4.4. Circuitos de polarización para los JFET y los MOSFET de empobrecimiento. Polarización
fija. Polarización por divisor de tensión. Circuitos prácticos. Aplicaciones.
4.5 Análisis de las ganancias y las impedancias de entrada y salida para el amplificador con
transistor JFET y MOSFET de empobrecimiento.
4.6. Criterios de diseño. Aplicaciones prácticas diseño de amplificadores con transistores a
efecto de campo.
4.7. Análisis de combinaciones entre transistores bipolares y transistores a efecto de campo.
III. ESTRATEGIAS (El Cómo?)
Metodología Pedagógica y Didáctica:
El estudiante es actor fundamental en este espacio académico, por lo cual él deberá preparar
cada tema de clase con anterioridad. La primera parte será una clase magistral por parte del
docente y el resto serán ejercicios guiados donde los estudiantes trabajan de manera individual
o en grupo.
Por medio de talleres grupales se busca resolver problemas concretos a partir de la electrónica.
El laboratorio fortalece los conceptos teóricos incentivando en el estudiante sus facultades
investigativas enfocadas en problemas concretos. Además, permite el trabajo en grupo y el
desarrollo de la creatividad al proponer sus propios diseños, los cuales simulará, implementará
y verificará en el laboratorio.
IV. RECURSOS (Con Qué?)
Medios y Ayudas:
Aulas virtuales
Software de simulación
Laboratorio de electrónica
BIBLIOGRAFÍA
TEXTOS GUÍAS
MILLMAN Y HALKIAS, Electrónica Integrada.
SAVANT, RODEN, CARPENTER, Diseño electrónico
SCHULLER CHARLES, Electrónica, principios y aplicaciones.
SCHILLING AND BELOVE, Circuitos electrónicos discretos e integrados.
BOYLESTAD, Electrónica, Teoría de circuitos.
SEDRA, Circuitos Microelectrónicos
V. ORGANIZACIÓN / TIEMPOS (De Qué Forma?)
Espacios, Tiempos, Agrupamientos:
Cada unidad se trabaja en cuatro semanas y se desarrolla un trabajo individual donde el
estudiante prepara el tema con lecturas autorreguladas que se dejarán en el aula virtual de la
asignatura, luego en el aula de clase el docente desarrollará el tema en una clase magistral de
una hora y la otra hora de clase se desarrollarán ejercicios de manera individual y grupal.
En el laboratorio los estudiantes organizados por grupos harán sus propios diseños, los cuales
deben traer simulados e implementados para en este espacio corroborarlos mediante las
respectivas mediciones y en un informe escrito presentar sus comentarios y conclusiones.
VI. EVALUACIÓN (Qué, Cuándo, Cómo?)
TIPO DE EVALUACIÓN FECHA PORCENTAJE
PRIMERA
1º Parcial 20%
NOTA
2º Parcial 20%
SEGUNDA
NOTA
Laboratorio 20%
TERCERA Talleres, tareas 10%
NOTA
EXAM. Examen escrito 30%
FINAL
ASPECTOS A EVALUAR DEL CURSO
1. Evaluación del desempeño docente
2. Evaluación de los aprendizajes de los estudiantes en sus dimensiones: individual/grupo,
teórica/práctica, oral/escrita.
3. Autoevaluación:
4. Coevaluación del curso: de forma oral entre estudiantes y docente.
