Autores: Eduardo Illescas

Ing. Rene Ávila

Materia:Laboratorio de Analógica II
Ciclo:5to Ciclo

Tema: Transistor FET Y MOSFET

Objetivos:

1.1) Verificar los siguientes tipos de polarización de un

transistor FET
1.1.1)Polarización con dos fuentes
1.1.2)Polarización con resistencias de sourse
1.1.3)Autopolarización sin resistencia de sourse
1.1.4)Polarización con divisor de tensión
1.1.5)Polarización con fuente positiva y negativa
1.1) Diseñar calcular y comprobar el funcionamiento de la
polarización de transistor MOSFET incremental
1.2) Diseñar calcular y comprobar el funcionamiento de la
polarización de transistor MOSFET decremental
Nota: todas los siguientes circuitos deben tener el punto de
traajo a la salida al centro de la recta de carga; con una
tolerancia de ± 0,5 v

1. Marco Teórico:

Un JFET de canal N se fabrica difundiendo una región de tipo P en un

canal de tipo N, tal y como se muestra en la Figura 1. A ambos lados del
canal se conectan los terminales de fuente (S, Source) y drenaje (D,
Drain). El tercer terminal se denomina puerta (G, Gate).

Figura 1: Esquema del transistor JFET de canal N

Los símbolos de este tipo de dispositivos son:

 Polarización FET Y
MOSFET

Figura 2: Símbolos
de los transistores
JFET
Las explicaciones incluidas en este capítulo se refieren
fundamentalmente al transistor NJFET, teniendo en cuenta que el
principio de operación del PJFET es análogo.
Principio de operación del NJFET
A continuación se explica cómo se controla la corriente en un JFET. Al
igual que sucede con los transistores BJT el JFET tiene tres regiones de
operación:
• Región de corte
• Región lineal
• Región de saturación
Es preciso hacer notar que en este caso, la saturación alude a un
fenómeno completamente distinto al de los transistores BJT.
Características de salida
Al variar la tensión entre drenador y surtidor varia la intensidad de
drenador permaneciendo constante la tensión entre puerta y surtidor.

En la zona óhmica o lineal se observa como al aumentar la tensión

drenador surtidor aumenta la intensidad de drenador.

En la zona de saturación el aumento de la tensión entre drenador y

surtidor produce una saturación de la corriente de drenador que hace
que esta sea constante. Cuando este transistor trabaja como
amplificador lo hace en esta zona.

La zona de corte se caracteriza por tener una intensidad de drenador

nula.

La zona de ruptura indica la máxima tensión que soportará el

transistor entre drenador y surtidor.
 Polarización FET Y
MOSFET

Es de destacar que cuando la tensión entre puerta y surtidor es cero la

intensidad de drenador es máxima.

Características de transferencia

Indican la variación entre la intensidad de drenador en función de la

tensión de puerta.

Especificaciones de los FET

 Polarización FET Y
MOSFET

En las hojas de características de los fabricantes de FETs encontrarás los

siguientes parámetros (los más importantes):

VGS y VGD.- son las tensiones inversas máximas soportables por la

unión PN.

IG.- corriente máxima que puede circular por la unión puerta - surtidor
cuando se polariza directamente.

PD.- potencia total disipable por el componente.

IDSS.- Corriente de saturación cuando VGS=0.

IGSS.- Corriente que circula por el circuito de puerta cuando la unión

puerta - surtidor se encuentra polarizado en sentido inverso.

Desventajas:

• Su ganancia de voltaje es mucho menor que en el BJT

• Es susceptible al daño en su manejo
• Su ancho de banda o respuesta en frecuencia es menor que en el
BJT para este tipo de dispositivos.

Ventajas:

• Su impedancia de entrada es extremadamente alta

• Su tamaño físico es aproximadamente un 20 o 30% del espacio
que ocupa un BJT.
• Su consumo de potencia es mucho más pequeño que la del BJT
• Su velocidad de conmutación es mucho mayor que las del BJT
• Es menos ruidoso que el BJT.
• Es afectado en menos grado por la temperatura
 Polarización FET Y
MOSFET

1. Explicación de la práctica:

2. Cálculos y Esquemas:

3.1) Polarización con dos fuentes

Datos:
Idss=13mA
Vp=-4,3v
Id=6mA
VDS=6v
VDD=10v

Incógnitas:
ID= ?
RD= ?
VGS= ?

Solución:
 Polarización FET Y
MOSFET

RG= 1MΩ
ID= IDSS*(1-VGSVP)2
6mA= 10mA*1-VGS-42VGS= -1.2v
VDD= ID.RD+VDS
RD= VDD-VDSID=56mARD= 769kΩ

3.2) Polarización con resistencias de sourse

Datos:
Idss=14,7mA
Vp=-4,8v
ID=7,35mA
VDS=5v
VDD=10v

Incógnitas:
ID= ?
RD= ?
RS= ?
VGS= ?

Solución:
RG= 1MΩ
ID= IDSS*(1-VGSVP)2
7,35mA= 14,7mA*1-VGS-
4,82VGS= -1.4v
RS= VGSID=-1,4V7,35mA RS= 190kΩ

VDD= ID.RD+VDS+VRS
RD= VDD-VDS-VRSID=3,627,35mA RD= 491,156kΩ

3.3) Autopolarización sin resistencia de sourse

 Polarización FET Y
MOSFET

Datos:
Idss=12mA
Vp=-4,8v
VDS=5v
VDD=10v

Incógnitas:
ID= ?
RD= ?
RS= ?
VGS= ?

Solución:
RG= 1MΩ
ID≈ IDSS
RD= VDD-VDSID=512mA RD= 416,66kΩ

3.4) Polarización con divisor de tensión

Datos:
Idss=12
Vp=-4v
VDS=5v
VDD=10v
VGS= -1,7v

Incógnitas:
RD= ?
RS= ?
R1= ?
R2= ?
ID= ?

Solución:
RG= 1MΩ
ID= IDSS*(1-VGSVP)2
ID= 12mA*1--1,7-4,82ID= 7,9 mA
VGS= VDD.R2R1+R2=10v.R1R1+R2
R1=R2
 Polarización FET Y
MOSFET

VG= VDD.R2R1+R2=10v.2VG=5 v
R1=R2=2 MΩ
VG=VGS+ID.RS
RS= VG-VGSID=5v-1,7v3,9mA RS= 846Ω
VDD= ID.(RD+RS)+VDS
RD= 0,7 v3,9mA RD= 435,8Ω

3.5) Polarización con fuente positiva y negativa.

Datos:
Idss=12 mA
Id=6 mA
Vp=-4v
VDS=5v
VDD=12v
VSS=-5v

Incógnitas:
R1= ?
R2= ?
ID= ?

Solución:
RG= 1MΩ
 Polarización FET Y
MOSFET

ID= IDSS*(1-VGSVP)2
6 mA= 12mA*1-VGS-4,82 VGS= -1,7 v
VGS=VSS+ID.RS
RS= VG-VGSID=5v+1,7v6mA RS= 1 KΩ
VDD= ID.(RD+RS)+VDS
RD= 4,83 v6 mA RD= 820 Ω

3.6) Polarización de transistor MOSFET incremental

3.7) Polarización de transistor MOSFET decremental

 Polarización FET Y
MOSFET

1. Lista de Materiales e Instrumentos a utilizar:

2. Cuadro de cálculos medidos y simulados:

5.1) Polarización con dos fuentes

Calculad Medoidos
os

VG -1,2 VG -1,32
S v S v

VD 5v VD 5,07
S S v

VR 5v VR 5,02
D D v

ID 6 ID 6,72
mA mA
 Polarización FET Y
MOSFET

5.2) Polarización con resistencias de sourseÇ

Calculados Medoidos

VG -1,4 v VG -1,42
S S v

VD 5v VD 4,75
S S v

VR 3,60 VR 3,02
D v D v

VR 1,39 VR 1,22
S v S v

ID 7,35 ID 6,72
mA mA

5.3) Autopolarización sin resistencia de sourse

Calculado Medoidos
s

VG 0v VG 0v
S S

VD 5v VD 4,44 v
S S

VR 5v VR 5,62 v
D D

ID 12 ID 10,62
mA mA

5.4) Polarización con divisor de tensión

Calculad Medoidos
os
 Polarización FET Y
MOSFET

VG 1,7 VG 1,4 v
S v S

VD 5v VD 5,3 v
S S

VR 5v VR 5,62
D D v

VR
S

ID 6 ID 7,96
mA mA

5.5) Polarización con fuente positiva y negativa

Calculado Medoidos
s

VG - VG -1,3 v
S 1,17 S
v

VD 6v VD 5,52
S S v

VR 4,87 VR 5,2 v
D v D

VR 6,17 6,29
S v v

ID 6 ID 6,43
mA mA

5.6) Diseñar calcular y comprobar el funcionamiento de la

polarización de transistor MOSFET incremental
 Polarización FET Y
MOSFET

5.7) Diseñar calcular y comprobar el funcionamiento de la

polarización de transistor MOSFET decremental

1. Análisis de datos y la practica en general:

En esta práctica no encontramos ningún inconveniente y el único al que le

podríamos llamar problema o más bien un detalle que debemos tomar en
cuenta es que al momento de conectar el transformador verificar que cumpla
con la carga de nuestro circuito.

2. Conclusiones y Recomendaciones:

Una recomendación para realizar esta práctica es que al momento de empezar

los cálculos con el condensador debemos tener en cuenta que la corriente
cambia totalmente por lo que el valor del voltaje en también y de hecho es
diferente al calculado sin el condensador.

Debido a los gráficos y valores de los esquemas, esta práctica está bien
realizada puesto a que coincidieron los gráficos y mediciones, no en su
totalidad pero si en lo que esperábamos.

A recommendation for practice is that when the calculations start with the
capacitor should be noted that the current changes completely as the
voltage on too and in fact is different than that calculated without the
 Polarización FET Y
MOSFET

capacitor.

Because the graphics and values of the schemes, this practice is well
done since it coincided graphs and measurements, not entirely but if what
we expected.

3. Bibliografía:

4. Anexos:

Existen varios tipos de conexión del FET aquí analizaremos una vista
rápida de los 3 principales que posee:

Polarización Fija.

De la figura se observa la gran inestabilidad que puede experimentar el

punto de operación para el caso de los posibles cambios en los
parámetros que puede presentar un FET aún cuando tratándose del
mismo tipo ya que las técnicas de fabricación no son tan perfectas
como para que IDSS y VGS off sean constantes de un dispositivo a otro.

Este tipo de polarización es la peor forma de polarizar a un JFET ya que

 Polarización FET Y
MOSFET

el punto de operación (IDSQ, VDSQ) bastante es inestable.

Autopolarizacion.

La recta 1 representa una RS pequeña y proporciona un elevado valor de

gm, ideal para una buena ganancia de corriente, la desventaja es la
inestabilidad debido a los cambios en los parámetros del JFEt, como
puede observarse.

La recta 2 ofrece las mejores condiciones tales que no compromete la

inestabilidad y los valores de transconductancia, es decir, no se
sacrifican una u otra.

La tercera grafica produce una buena estabilidad del punto de operación

valores de gm bajos que se traduce en una baja ganancia de corriente.

Por de divisores de Voltaje

 Polarización FET Y
MOSFET

De la figura puede observarse que este tipo de polarización es mejor

que las dos anteriores debido a que ∆ IDSQ es menor, sin embargo para
conseguir esto es necesario aplicar valores elevados de VDD para que
VGG sea lo más grande posible y así el punto de operación sea más
estable.
Polarización FET Y
MOSFET