Autores: Eduardo Illescas Ing.

Rene Ávila Materia:Laboratorio de Analógica II Ciclo:5to Ciclo Tema: Transistor FET Y MOSFET Objetivos: 1.1) Verificar los siguientes tipos de polarización de un transistor FET 1.1.1)Polarización con dos fuentes 1.1.2)Polarización con resistencias de sourse 1.1.3)Autopolarización sin resistencia de sourse 1.1.4)Polarización con divisor de tensión 1.1.5)Polarización con fuente positiva y negativa 1.1) Diseñar calcular y comprobar el funcionamiento de la polarización de transistor MOSFET incremental 1.2) Diseñar calcular y comprobar el funcionamiento de la polarización de transistor MOSFET decremental Nota: todas los siguientes circuitos deben tener el punto de traajo a la salida al centro de la recta de carga; con una tolerancia de ± 0,5 v 1. Marco Teórico: Un JFET de canal N se fabrica difundiendo una región de tipo P en un canal de tipo N, tal y como se muestra en la Figura 1. A ambos lados del canal se conectan los terminales de fuente (S, Source) y drenaje (D, Drain). El tercer terminal se denomina puerta (G, Gate).

Figura 1: Esquema del transistor JFET de canal N

Los símbolos de este tipo de dispositivos son:

Características de salida Al variar la tensión entre drenador y surtidor varia la intensidad de drenador permaneciendo constante la tensión entre puerta y surtidor. . teniendo en cuenta que el principio de operación del PJFET es análogo. Cuando este transistor trabaja como amplificador lo hace en esta zona. Al igual que sucede con los transistores BJT el JFET tiene tres regiones de operación: • • • Región de corte Región lineal Región de saturación Es preciso hacer notar que en este caso. Principio de operación del NJFET A continuación se explica cómo se controla la corriente en un JFET. En la zona óhmica o lineal se observa como al aumentar la tensión drenador surtidor aumenta la intensidad de drenador.Polarización FET Y MOSFET Figura de los JFET 2: Símbolos transistores Las explicaciones incluidas en este capítulo se refieren fundamentalmente al transistor NJFET. La zona de ruptura indica la máxima tensión que soportará el transistor entre drenador y surtidor. la saturación alude a un fenómeno completamente distinto al de los transistores BJT. En la zona de saturación el aumento de la tensión entre drenador y surtidor produce una saturación de la corriente de drenador que hace que esta sea constante. La zona de corte se caracteriza por tener una intensidad de drenador nula.

Especificaciones de los FET .Polarización FET Y MOSFET Es de destacar que cuando la tensión entre puerta y surtidor es cero la intensidad de drenador es máxima. Características de transferencia Indican la variación entre la intensidad de drenador en función de la tensión de puerta.

.son las tensiones inversas máximas soportables por la unión PN.. Desventajas: • • • Su ganancia de voltaje es mucho menor que en el BJT Es susceptible al daño en su manejo Su ancho de banda o respuesta en frecuencia es menor que en el BJT para este tipo de dispositivos.surtidor se encuentra polarizado en sentido inverso.potencia total disipable por el componente. IGSS.Corriente de saturación cuando VGS=0..Corriente que circula por el circuito de puerta cuando la unión puerta .. Ventajas: • • • • • • Su impedancia de entrada es extremadamente alta Su tamaño físico es aproximadamente un 20 o 30% del espacio que ocupa un BJT. IG.corriente máxima que puede circular por la unión puerta .Polarización FET Y MOSFET En las hojas de características de los fabricantes de FETs encontrarás los siguientes parámetros (los más importantes): VGS y VGD.surtidor cuando se polariza directamente. IDSS. Su consumo de potencia es mucho más pequeño que la del BJT Su velocidad de conmutación es mucho mayor que las del BJT Es menos ruidoso que el BJT. Es afectado en menos grado por la temperatura . PD..

Explicación de la práctica: 2.1) Polarización con dos fuentes Datos: Idss=13mA Vp=-4. Cálculos y Esquemas: 3.Polarización FET Y MOSFET 1.3v Id=6mA VDS=6v VDD=10v Incógnitas: ID= ? RD= ? VGS= ? Solución: .

RD+VDS+VRS RD= VDD-VDS-VRSID=3.35mA RD= 491.3) Autopolarización sin resistencia de sourse .2v VDD= ID.4V7.82VGS= -1.627.7mA*1-VGS4.8v ID=7.35mA VDS=5v VDD=10v Incógnitas: ID= ? RD= ? RS= ? VGS= ? Solución: RG= 1MΩ ID= IDSS*(1-VGSVP)2 7.7mA Vp=-4.35mA RS= 190kΩ VDD= ID.RD+VDS RD= VDD-VDSID=56mARD= 769kΩ 3.4v RS= VGSID=-1.2) Polarización con resistencias de sourse Datos: Idss=14.35mA= 14.Polarización FET Y MOSFET RG= 1MΩ ID= IDSS*(1-VGSVP)2 6mA= 10mA*1-VGS-42VGS= -1.156kΩ 3.

R1R1+R2 R1=R2 .4) Polarización con divisor de tensión Datos: Idss=12 Vp=-4v VDS=5v VDD=10v VGS= -1.7v Incógnitas: RD= ? RS= ? R1= ? R2= ? ID= ? Solución: RG= 1MΩ ID= IDSS*(1-VGSVP)2 ID= 12mA*1--1.9 mA VGS= VDD.66kΩ 3.82ID= 7.8v VDS=5v VDD=10v Incógnitas: ID= ? RD= ? RS= ? VGS= ? Solución: RG= 1MΩ ID≈ IDSS RD= VDD-VDSID=512mA RD= 416.Polarización FET Y MOSFET Datos: Idss=12mA Vp=-4.7-4.R2R1+R2=10v.

R2R1+R2=10v.(RD+RS)+VDS RD= 0.9mA RS= 846Ω VDD= ID.7 v3.RS RS= VG-VGSID=5v-1.2VG=5 v R1=R2=2 MΩ VG=VGS+ID.8Ω 3.7v3. Datos: Idss=12 mA Id=6 mA Vp=-4v VDS=5v VDD=12v VSS=-5v Incógnitas: R1= ? R2= ? ID= ? Solución: RG= 1MΩ .5) Polarización con fuente positiva y negativa.9mA RD= 435.Polarización FET Y MOSFET VG= VDD.

7 v VGS=VSS+ID.(RD+RS)+VDS RD= 4.82 VGS= -1.RS RS= VG-VGSID=5v+1.7) Polarización de transistor MOSFET decremental .83 v6 mA RD= 820 Ω 3.6) Polarización de transistor MOSFET incremental 3.Polarización FET Y MOSFET ID= IDSS*(1-VGSVP)2 6 mA= 12mA*1-VGS-4.7v6mA RS= 1 KΩ VDD= ID.

Polarización FET Y MOSFET 1.2 VG v S 5v 5v 6 mA VD S VR D ID -1.32 v 5. Lista de Materiales e Instrumentos a utilizar: 2.72 mA .1) Polarización con dos fuentes Calculad Medoidos os VG S VD S VR D ID -1.07 v 5. Cuadro de cálculos medidos y simulados: 5.02 v 6.

44 v 5.62 mA 5.75 v 3.2) Polarización con resistencias de sourseÇ Calculados VG S VD S VR D VR S ID -1.4 v 5v 3.39 v 7.4) Polarización con divisor de tensión Calculad os Medoidos .22 v 6.Polarización FET Y MOSFET 5.62 v 10.35 mA Medoidos VG S VD S VR D VR S ID -1.02 v 1.42 v 4.72 mA 5.3) Autopolarización sin resistencia de sourse Calculado s VG S VD S VR D ID 0v 5v 5v 12 mA Medoidos VG S VD S VR D ID 0v 4.60 v 1.

87 VR v D 6.3 v VG 1.17 S v 6v VD S 5.6) Diseñar calcular y comprobar el funcionamiento de la polarización de transistor MOSFET incremental .17 v 6 mA ID 6.7 v 5v 5v VG S VD S VR D 1.43 mA 5.96 mA 1.29 v 4.52 v 5.2 v 6.Polarización FET Y MOSFET VG S VD S VR D VR S ID 6 mA ID 7.3 v 5.62 v 5.5) Polarización con fuente positiva y negativa Calculado s VG S VD S VR D VR S ID Medoidos -1.4 v 5.

Polarización FET Y MOSFET 5. esta práctica está bien realizada puesto a que coincidieron los gráficos y mediciones.7) Diseñar calcular y comprobar el funcionamiento de la polarización de transistor MOSFET decremental 1. Conclusiones y Recomendaciones: Una recomendación para realizar esta práctica es que al momento de empezar los cálculos con el condensador debemos tener en cuenta que la corriente cambia totalmente por lo que el valor del voltaje en también y de hecho es diferente al calculado sin el condensador. A recommendation for practice is that when the calculations start with the capacitor should be noted that the current changes completely as the voltage on too and in fact is different than that calculated without the . 2. Análisis de datos y la practica en general: En esta práctica no encontramos ningún inconveniente y el único al que le podríamos llamar problema o más bien un detalle que debemos tomar en cuenta es que al momento de conectar el transformador verificar que cumpla con la carga de nuestro circuito. Debido a los gráficos y valores de los esquemas. no en su totalidad pero si en lo que esperábamos.

not entirely but if what we expected. De la figura se observa la gran inestabilidad que puede experimentar el punto de operación para el caso de los posibles cambios en los parámetros que puede presentar un FET aún cuando tratándose del mismo tipo ya que las técnicas de fabricación no son tan perfectas como para que IDSS y VGS off sean constantes de un dispositivo a otro. this practice is well done since it coincided graphs and measurements.Polarización FET Y MOSFET capacitor. 3. Este tipo de polarización es la peor forma de polarizar a un JFET ya que . Bibliografía: 4. Anexos: Existen varios tipos de conexión del FET aquí analizaremos una vista rápida de los 3 principales que posee: Polarización Fija. Because the graphics and values of the schemes.

La tercera grafica produce una buena estabilidad del punto de operación valores de gm bajos que se traduce en una baja ganancia de corriente. ideal para una buena ganancia de corriente.Polarización FET Y MOSFET el punto de operación (IDSQ. La recta 2 ofrece las mejores condiciones tales que no compromete la inestabilidad y los valores de transconductancia. Autopolarizacion. La recta 1 representa una RS pequeña y proporciona un elevado valor de gm. la desventaja es la inestabilidad debido a los cambios en los parámetros del JFEt. como puede observarse. es decir. no se sacrifican una u otra. Por de divisores de Voltaje . VDSQ) bastante es inestable.

. sin embargo para conseguir esto es necesario aplicar valores elevados de VDD para que VGG sea lo más grande posible y así el punto de operación sea más estable.Polarización FET Y MOSFET De la figura puede observarse que este tipo de polarización es mejor que las dos anteriores debido a que ∆ IDSQ es menor.

Polarización FET Y MOSFET .

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