UNIVERSIDAD POLITECNICA DEL VALLE DE

TOLUCA.

ALUMNOS:
CALIXTO BECERRIL BENJAMIN CALEB

1320274024

MAESTR@:
OMAR MORALES MONTES

ASIGNATURA:
ELECTRONICA

GRUPO:
IMA5MB

18-MARZO-2022
 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO…
Los transistores de efecto de campo son muy utilizados en electrónica, su uso se ha ex-
tendido mucho en los circuitos integrados y en circuitos de alta frecuencia, y presentan
algunas ventajas con respecto al transistor BJT, especialmente cuando es considerable el
ruido.
  La compuerta AND o puerta AND es una puerta lógica digital que implementa la
conjunción lógica, se comporta de acuerdo a la tabla de verdad mostrada a la
derecha; esta tendrá una salida ALTA (1), únicamente cuando los valores de ambas
entradas sean ALTOS. Si alguna de estas entradas no son ALTAS, entonces tendrá
un valor de salida BAJA (0). Desde el punto de vista funcional, la puerta AND es un
multiplicador pues su salida es el producto de sus entradas.1

La expresión matemática de la compuerta AND es: Output = a*b.

El transistor de efecto de campo de unión o JFET
 JFET de canal N
 JFET de canal P
 La construcción básica del JFET de canal-n se muestra en la figura siguiente
Observe que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal
entre las capas difundidas en material tipo p. El extremo superior del canal tipo n se
conecta mediante contacto óhmico a la terminal denominada como drenaje (drain)
(D), mientras que el extremo inferior del mismo material se conecta por medio de
contacto óhmico a la terminal llamada la fuente (source) (S). Los dos materiales tipo
p se encuentran conectados juntos y al mismo tiempo hacia la terminal de
compuerta (gate) (Q). Por tanto, esencialmente el drenaje y la fuente se conectan
en esencia a los extremos del canal tipo n y la compuerta, a las dos capas del
material tipo p. En ausencia de cualquiera de los potenciales aplicados, el JFET
tiene dos uniones p-n bajo condiciones sin polarización. El resultado es una región
de agotamiento en cada unión, como se ilustra en la figura siguiente, que se parece
a la misma región de un diodo bajo condiciones sin polarización. Recuérdese
también que una región de agotamiento es aquella región carente de portadores
libres y por lo tanto incapaces de permitir la conducción a través de la región.
La operación de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET de CANAL
N, lo que significa que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario.

CONCLUSIONES…

Los transistores FET realizan la función de control de la corriente, común a todos los
transistores por ser característica básica, mediante una tensión aplicada en uno de sus
terminales. Están construidos con una zona semiconductora tipo P o N que une dos de
sus tres terminales. El comportamiento de los transistores de efecto de campo se
caracteriza por sus curvas características en las que se representa la corriente que entra o
sale por el Drenado en función de la tensión aplicada entre éste y la Fuente.

REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS…
https://es.wikipedia.org/wiki/Puerta_AND
https://slideplayer.es/slide/4002108/